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PID2021-126046OB-C22

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CARACTERIZACION AVANZADA DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS PARA DISPOSITIVOS DE...

CARACTERIZACION AVANZADA DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS PARA DISPOSITIVOS DE COMPUTACION CUANTICA EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS DE COMPUTACION CUANTICA PUEDE LLEVARSE A CABO EMPLEANDO NANOESTRUCTURAS (NSS) SEMICONDUCTORAS, BENEFICIANDOSE DE DECADAS DE DESARROLLO DE LA INDUSTRIA DE SEMICONDUCTORES.CON ESTE FIN, LAS NSS SEMICOND... ver más

01/01/2021

UVA

125K€

Presupuesto del proyecto: 125K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UVA

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Presupuesto del proyecto 125K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS DE COMPUTACION CUANTICA PUEDE LLEVARSE A CABO EMPLEANDO NANOESTRUCTURAS (NSS) SEMICONDUCTORAS, BENEFICIANDOSE DE DECADAS DE DESARROLLO DE LA INDUSTRIA DE SEMICONDUCTORES.CON ESTE FIN, LAS NSS SEMICONDUCTORAS, TIPICAMENTE MATRICES DE PUNTOS CUANTICOS (QDS) CRECIDOS EN NANOHILOS (NWS), DEBEN PRESENTAR UNA ESTRUCTURA DETERMINADA CONSISTENTE ENTRE OTRAS COSAS DE FRONTERAS ABRUPTAS, TAMAÑOS ESPECIFICOS, Y UN CONTROL PRECISO DEL DOPADO Y DE LA DEFORMACION.EN ESTE PROYECTO PROPONEMOS UNA CARACTERIZACION AVANZADA Y EN DETALLE DE LA ESTRUCTURA, LAS PROPIEDADES OPTICAS, Y LA COMPOSICION QUIMICA DE NSS SEMICONDUCTORAS EN EL MARCO DE UN PROYECTO COORDINADO DIRIGIDO A LA FABRICACION DE UNA PLATAFORMA PARA QUBITS SEMICONDUCTORES.LOS OBJETIVOS DE ESTE SUBPROYECTO SON:1. ESTABLECER UNA PLATAFORMA PARA LA CARACTERIZACION FISICA DE NWS SEMICONDUCTORES PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS QUBIT, A LO LARGO DE DIFERENTES ETAPAS DE FABRICACION.2. RETROALIMENTAR EL SUBPROYECTO 1 CON LOS INDICADORES PRINCIPALES QUE PUEDEN AFECTAR LAS PROPIEDADES DEL DISPOSITIVO Y SU VARIABILIDAD.CON ESTE FIN USAREMOS DIVERSAS TECNICAS AVANZADAS DE CARACTERIZACION EN ESCALA NANOMETRICA: I) MICROSCOPIA DE ALTA RESOLUCION DE BARRIDO Y DE TRANSMISION, II) MICROSCOPIA DE FUERZA ATOMICA, III) ESPECTROSCOPIA RAMAN, DE FOTOLUMINISCENCIA Y CATODOLUMINISCENCIA CON RESOLUCION NANOMETRICA, Y IV) TECNICAS AVANZADAS DE NANOHAZ DE RAYOS X PARA DIFRACCION, FLUORESCENCIA, Y LUMINISCENCIA OPTICA CON RADIACION SINCROTRON EN LA INSTALACION EUROPEA DE RADIACION SINCROTRON (ESRF). ADEMAS, MODELAREMOS EL TRANSPORTE TERMICO Y LA INTERACCION DEL CAMPO ELECTROMAGNETICO CON LAS NSS MEDIANTE CALCULOS DE ELEMENTOS FINITOS. TAMBIEN SE MODELIZARAN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y EL EFECTO DE LA DEFORMACION EN LAS NSS.LA CARACTERIZACION FISICA SERVIRA DE RETROALIMENTACION DEL SUBPROYECTO 1 DE MANERA REGULAR CON EL FIN DE INFORMAR DE LA MEJOR ESTRATEGIA DE CRECIMIENTO Y PROCESAMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS CUANTICOS OPTIMIZADOS. EN ESE SUBPROYECTO SE PRODUCIRAN NSS ESPECIFICAS PARA DETERMINAR DURANTE LA CARACTERIZACION LOS VALORES OPTIMOS DE PARAMETROS CLAVE CONDUCENTES A LA OPTIMIZACION DEL DISPOSITIVO. TAMBIEN SE PRODUCIRAN DOS TIPOS DE QUBITS BASADOS EN SEMICONDUCTORES: A) MATRICES DE QDS BASADOS EN NWS DE SI Y CMOS PLANOS, Y B) MATRICES DE QDS BASADOS EN ESTRUCTURAS HIBRIDAS DE NWS DE SEMICONDUCTORES III-V Y AL SUPERCONDUCTOR (SC/SUC QUBITS). ESTOS ULTIMOS SERVIRAN TAMBIEN PARA INVESTIGAR ESTADOS DE MAJORANA.EN ESTE PROYECTO SE EMPLEARA UNA CARACTERIZACION SISTEMATICA SECUENCIAL CON UN INCREMENTO GRADUAL DE LA COMPLEJIDAD DE LAS NSS: PASO 1: NSS HOMOGENEAS DE SI Y III-V; PASO 2: NWS DE SI DOPADOS Y DE III-V HETEROESTRUCTURADOS; PASO3: NWS PROCESADOS DE SI (CON COBERTURA DE SIO2) Y HETEROESTRUCTURAS HIBRIDAS SC/SUC; Y PASO 4: CARACTERIZACION DEL ESTRES INDUCIDO POR LAS PUERTAS DEL QUBIT TANTO EN SI QUBITS COMO EN SC/SUC QUBITS.EN ESTE PROYECTO SE ENTREGARA UN KIT DE CARACTERIZACION, PUBLICO PARA LA COMUNIDAD CIENTIFICA, PARA REPLICAR Y CONTRIBUIR AL PROGRESO HACIA UNA CARACTERIZACION SISTEMATICA DE NSS Y PROCESOS PARA EL DESARROLLO ESCALABLE DE DISPOSITIVOS DE COMPUTACION CUANTICA.DOS IPS LIDERAN ESTE SUBPROYECTO: JORGE SERRANO LIDERARA EL PAQUETE DE TRABAJO 3 Y LA CARACTERIZACION EXPERIMENTAL, Y JORGE SOUTO LIDERARA LA MODELIZACION TEORICA DE PROPIEDADES, DEL TRANSPORTE TERMICO, Y DE LA INTERACCION ENTRE EL CAMPO ELECTROMAGNETICO Y LOS NWS. ANOELECTRONICA\CARACTERIZACION AVANZADA\ESTRUCTURAS DE BAJA DIMENSION\NANOHILOS\QUBITS\SEMICONDUCTORES\COMPUTACION CUANTICA\TECNOLOGIAS CUANTICAS

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