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FIS2008-05805

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ATOMISTIC APPROACHES FOR MODELLING AND SIMULATION OF ELECTRONIC AND TRANSPORT PR...

ATOMISTIC APPROACHES FOR MODELLING AND SIMULATION OF ELECTRONIC AND TRANSPORT PROPERTIES OF NANOSTRUCTURED SEMICONDUCTOR DEVICES LA CONTINUA REDUCCION DE LAS DIMENSIONES CARACTERISTICAS DE LOS TRANSITORES FABRICADOS CON TECNOLOGIA SOI HA ALCANZADO EL RANGO NANOMETRICO (LONGITUDES DE PUERTA DE 6NM Y ESPESORES DE CANAL DE 1NM, ES DECIR, LA LONGITUD CORRESPOND... ver más

01/01/2008

UGR

48K€

Presupuesto del proyecto: 48K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5524

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

UGR

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5524

Presupuesto del proyecto 48K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA CONTINUA REDUCCION DE LAS DIMENSIONES CARACTERISTICAS DE LOS TRANSITORES FABRICADOS CON TECNOLOGIA SOI HA ALCANZADO EL RANGO NANOMETRICO (LONGITUDES DE PUERTA DE 6NM Y ESPESORES DE CANAL DE 1NM, ES DECIR, LA LONGITUD CORRESPONDIENTE A 3 ENLACES SI-SI), COMO CONSECUENCIA, EL COMPORTAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS SE HACE MAS SENSIBLE A FLUCTUACIONES EN LA ESCALA ATOMICA, DISTORSIONES EN LOS ENLACES, DEFECTOS DE LA RED, CAMBIOS EN LA ESTRUCTURA MICROSCOPICA DE LAS INTERFASES Y EFECTOS CUANTICOS,LA APROXIMACION HABITUAL DE LA MASA EFECTIVA NO PUEDE TENER EN CUENTA LA INFLUENCIA DE LOS FENOMENOS QUE ACABAMOS DE MENCIONAR, PUESTO QUE NO INCLUYE TODA LA INFORMACION DE LA ESTRUCTURA MICROSCOPICA, POR ESTA RAZON, LOS MODELOS ATOMISTICOS, REPRESENTAN UNA HERRAMIENTO PODEROSA PARA LA INVESTIGACION DE FENOMENOS COMO LOS ANTES CITADOS PUESTO QUE INCLUYEN DE MANERA NATURAL LA ESTRUCTURA ATOMICA DE LA RED CRISTALINA Y LA ESTRUCTURA DE BANDAS COMPLETA DEL DISPOSITIVO,DEBIDO AL RAPIDO AUMENTO DE LA CAPACIDAD DE CALCULO DE LAS COMPUTADORAS ACTUALES, LOS CALCULOS A NIVEL ATOMICO SE HAN HECHO POSIBLES PARA SISTEMAS FORMADOS POR UN NUMERO PROXIMO DE 106 ATOMOS, Y RECIENTEMENTE SE HAN APLICADO A NANODISPOSITIVOS TALES COMO ESTRUCTURAS MOS,EXISTEN DOS METODOS QUE SE SUELEN EMPLEAR EN EL CALCULO DE LAS ESTRUCTURAS ELECTRONICAS Y LOS POTENCIALES DE DISPERSION:A,- METODOS AB-INITIO, BASADOS EN LA TEORIA DENSITY FUNCTIONAL THEORY EN LA APROXIMACION LOCAL DENSITY APPROXIMATION (DFT-LDA),B,- METODOS BASADOS EN LA TECNICA TIGHT BINDING (TB)LOS RESULTADOS OBTENIDOS A PARTIR DE ESTE TIPO DE CALCULOS PUEDEN APLICARSE AL ESTUDIO DEL TRANSPORTE ELECTRONICO EN NANODISPOSITIVOS MEDIANTE EL FORMALISMO CONOCIDO COMO NON-EQUILIBRIUM GREEN¿S FUNCTION (NEGF), ESTA APROXIMACION ES LA MAS ADECUADA PARA INCORPORAR TODOS LOS EFECTOS CUANTICOS QUE DOMINAN EL TRANSPORTE EN ESTE TIPO DE DISPOSITIVOS,UNA VEZ QUE LOS SIMULADORES DE TRANSPORTE ELECTRONICO ESTAN A PUNTO Y CALIBRADOS LOS SIGUIENTES OBJETIVOS DE LA PROPUESTA SERIAN:- EVALUACION DE LA MOVILIDAD ELECTRONICA EN NANODISPOSITIVOS MEDIANTE LA TENICA NEGF,- COMPARACION ENTRE LOS RESULTADOS OBTENIDOS EMPLEANDO APROXIMACIONES ATOMISTICAS Y SEMICLASICAS,- APLICACION DE LOS MODELOS Y SIMULADORES DESARROLLADOS A OTRO TIPO DE DISPOSITIVOS BASADOS EN MATERIALES DIFERENTES AL SILICIO (STRAINED-SI, GE) ASI COMO A OTRAS ALTERNATIVAS A LOS TRANSISTORES TRADICIONALES, TALES COMO LOS CNTS O INCLUSO BIO-MOLECULAS,- PARALELIZACION DE LOS CODIGOS E EMPLEMENTACION DE LOS MISMOS EN MAQUINAS CLUSTER CON SISTEMA OPERATIVO LINUX,- COMPARACION CON RESULTADOS EXPERIMENTALES Y OTROS SIMULADORES DENTRO DE LA RED DE EXCELENCIA EUROPEA NANOSIL,ESTE PROYECTO SE PUEDE CONSIDERAR COMO UNA PRIMERA APROXIMACION AL OBJETIVO FINAL Y MAS AMBICIOSO DE CONSEGUIR UNA SIMULACION COMPLETA DE TIPO ATOMISTICO DE UN NANO-TRANSISTOR COMPLETO, NanoelectronicsSilicon on Insulator SOIBand structureTight BindingDFTNonequilibrium Greens FunctionElectron TransportMPI

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