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MAT2008-03074

Financiado

NANOESTRUCTURAS Y CAPAS FINAS SEMICONDUCTORAS PARA OPTOELECTRONICA Y ELECTRONICA...

LOS RECIENTES PROGRESOS EN TECNICAS DE CRECIMIENTO HAN HECHO POSIBLE LA OBTENCION DE PUNTOS CUANTICOS, NANOHILOS, Y CAPAS FINAS SEMICONDUCTORAS CON UN DOPAJE DESEADO, LAS ESTRUCTURAS CON DIMENSIONALIDAD REDUCIDA TIENEN UNAS PROPIE... ver más

01/01/2008

CSIC

85K€

Presupuesto del proyecto: 85K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01

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Participantes

CSIC

Lider

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA...

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 85K€

Descripción del proyecto LOS RECIENTES PROGRESOS EN TECNICAS DE CRECIMIENTO HAN HECHO POSIBLE LA OBTENCION DE PUNTOS CUANTICOS, NANOHILOS, Y CAPAS FINAS SEMICONDUCTORAS CON UN DOPAJE DESEADO, LAS ESTRUCTURAS CON DIMENSIONALIDAD REDUCIDA TIENEN UNAS PROPIEDADES NOVEDOSAS, RELACIONADAS CON EL CONFINAMIENTO ESPACIAL DE ELECTRONES, POR OTRA PARTE, EL DOPAJE DETERMINA SUS PROPIEDADES ELECTRICAS Y MAGNETICAS, LOS NITRUROS Y OXIDOS, OBJETO DE ESTE ESTUDIO, SON SEMICONDUCTORES DE BRECHA GRANDE, SON TRANSPARENTES Y PUEDEN SER DOPADOS ALTAMENTE CON PORTADORES DE TIPO N, USUALMENTE, SON BUENOS DIELECTRICOS, ESTOS MATERIALES PUEDEN SER CRECIDOS A TEMPERATURAS BAJAS, INCLUSIVAMENTE SOBRE SUBSTRATOS PLASTICOS, SON DURADEROS E INOCUOS, TODO ESO LOS HACE ATRACTIVOS PARA APLICACIONES EN OPTOELECTRONICA Y ESPINTRONICA,DISPOSITIVOS QUE EMITEN O DETECTAN LA LUZ EN RANGO DE ULTRAVIOLETA TIENEN APLICACIONES EN PANTALLAS DE COLOR, IMPRESORAS DE LASER, Y EN ALMACENAMIENTO DE ALTA DENSIDAD USANDO MEDIOS MAGNETICOS Y OPTICOS, PARA ESTAS APLICACIONES, ES IMPORTANTE EVITAR RECOMBINACION DE PORTADORES QUE NO SEA CONTROLADA, USUALMENTE ESTO SE LOGRA UTILIZANDO PUNTOS O POZOS CUANTICOS CON POCOS DEFECTOS, SIN EMBARGO, AUN NO SE PUEDE CONTROLAR LA DISTRIBUCION DE TAMAÑOS Y DE CENTROS DE NUCLEACION EN NANOESTRUCTURAS, PARA MEJORAR ESTE CONTROL, SE NECESITAN ESTUDIOS DE ESTRUCTURA, DE TENSION Y DE MORFOLOGIA, ESTOS SE PUEDEN LLEVAR A CABO CON TECNICAS DE ABSORCION Y DE DIFRACCION DE RAYOS X, UTILIZANDO LA RADIACION DE SINCROTRON, ESTAS TECNICAS SON IGUALMENTE APROPIADAS PARA ESTUDIO ESTRUCTURAL DE SEMICONDUCTORES MAGNETICOS DILUIDOS (DMS) QUE SON MUY PROMETEDORES PARA APLICACIONES DE ESPINTRONICA, UN DMS ES UN SEMICONDUCTOR CONVENCIONAL, TAL COMO GAAS O ZNO, DOPADO CON IMPUREZAS MAGNETICAS, USUALMENTE CON IONES DE METALES DE TRANSICION (TM), SE HA MOSTRADO QUE SEMICONDUCTORES TIPO III-V, DOPADOS CON MN, EXHIBEN COMPORTAMIENTO FERROMAGNETICO (FM), LAMENTABLEMENTE, SU TEMPERATURA DE CURIE ES BAJA, POR OTRA PARTE, UNOS MODELOS TEORICOS PREDICEN FERROMAGNETISMO A TEMPERATURA AMBIENTE EN OXIDOS SEMICONDUCTORES, DOPADOS CON IONES DE TM (ODMS), ESTOS TRABAJOS HAN IMPULSADO UNA INVESTIGACION INTENSA DE ODMS, SE HAN OBSERVADO FM A TEMPERATURA AMBIENTE EN VARIOS MATERIALES TALES COMO ZNO O TIO2, DOPADOS CON CO, MN, NI, FE, Y CR,EL PROPOSITO DE ESTE PROYECTO ES EL ESTUDIO DE NANOESTRUCTURAS Y DE CAPAS FINAS SEMICONDUCTORAS CON POSIBLES APLICACIONES EN OPTOELECTRONICA Y ESPINTRONICA, SE UTILIZARAN TECNICAS DE DIFRACCION Y ABSORCION DE RAYOS X PARA DETERMINAR LA ESTRUCTURA LOCAL EN NANOHILOS (QWRS) Y PUNTOS CUANTICOS AUTO-ORGANIZADOS (QDS) DE GAN/ALN Y GAINN/ALN, PRETENDEMOS ESTABLECER EN QUE FORMA LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO, TALES COMO TEMPERATURA, CUBRIMIENTO TOTAL DE GAN, Y ESPESOR DE CAPA SEPARADORA DE ALN, AFECTAN LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES DE LOS QWRS Y DE QDS, ESTOS CONOCIMIENTOS SON FUNDAMENTALES PARA INTERPRETACION E DISEÑO DE PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRONICAS DE NANOESTRUCTURAS, POR OTRA PARTE, PRETENDEMOS ESTUDIAR LOS EFECTOS DE DOPAJE CON IONES DE TM SOBRE PROPIEDADES ESTRUCTURALES, MAGNETICAS Y ELECTRONICAS EN CAPAS FINAS DE IN2O3 Y DE OXIDO DE INDIO-ESTAÑO (ITO), HALLAR SEMICONDUCTOR FERROMAGNETICO A TEMPERATURA AMBIENTE EN UNO DE PROPOSITOS DE ESTA INVESTIGACION, ADICIONALMENTE, PRETENDEMOS ENTENDER POSIBLE ORIGEN DEL MAGNETISMO EN ESTOS MATERIALES, ESPERAMOS QUE ESTE PROYECTO AYUDE FORMAR UN NUEVO GRUPO DE INVESTIGACION EN ZARAGOZA, DEDICADO A LA FISICA DE SEMICONDUCTORES, Semiconductores\Materiales nano-estructurados\Propiedades magnéticas\Propiedades estructurales\Espectroscopía de rayos X

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