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CTQ2011-27324

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ESTRUCTURA ELECTRONICA DE PUNTOS CUANTICOS ACTUALES

LA FINALIDAD DE ESTE PROYECTO ES INVESTIGAR, MEDIANTE SIMULACIONES COMPUTACIONALES YCONTRASTACION CON EXPERIMENTOS RECIENTES, LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS Y OPTO-ELECTRONICAS DEDIVERSAS ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS CERO-DIMENSIONAL... ver más

01/01/2011

FUEUJI

29K€

Presupuesto del proyecto: 29K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT JAUME I DE CASTELLÓ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 2

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2011-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT JAUME I DE CASTELLÓ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 2

Presupuesto del proyecto 29K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA FINALIDAD DE ESTE PROYECTO ES INVESTIGAR, MEDIANTE SIMULACIONES COMPUTACIONALES YCONTRASTACION CON EXPERIMENTOS RECIENTES, LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS Y OPTO-ELECTRONICAS DEDIVERSAS ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS CERO-DIMENSIONALES DE INTERES ACTUAL. FOCALIZAREMOSNUESTROS ESTUDIOS EN ESTRUCTURAS QUE ALBERGAN FENOMENOS FISICOS NOVEDOSOS O PERSPECTIVASTECNOLOGICAS PROMETEDORAS. ESTAS INCLUYEN PUNTOS CUANTICOS AUTO-ORDENADOS O COLOIDALES, ASICOMO REDES DE ANTI-PUNTOS Y NANOESTRUCTURAS HIBRIDAS SEMICONDUCTOR-METAL.A GRANDES RASGOS, INVESTIGAREMOS: (I) LAS PROPIEDADES Y POSIBILIDADES APLICATIVAS DE MOLECULASFORMADAS POR PUNTOS CUANTICOS ACOPLADOS CARGADOS CON HUECOS DE VALENCIA, PARA LOS QUERECIENTEMENTE HEMOS DESCUBIERTO LA EXISTENCIA DE UN TIPO DE ESTADO MOLECULAR INSOLITO; (II) LAINFLUENCIA QUE TIENE SOBRE LA ESTRUCTURA ENERGETICA EL ENTORNO COMPLEJO EN EL QUE HABITUALMENTESE ENCUENTRAN INMERSOS LOS PUNTOS CUANTICOS -A ESTE RESPECTO, CONSIDERAREMOS FACTORES TALESCOMO LAS FUERZAS DE TENSION-DEFORMACION O LAS CARGAS DE POLARIZACION SURGIDAS ENTRE LOS DISTINTOSMATERIALES QUE CONSTITUYEN EL SISTEMA-; (III) LA RESPUESTA FRENTE A CAMPOS MAGNETICOS EXTERNOS,QUE PERMITEN MANIPULAR EL ESPECTRO ENERGETICO DE FORMA FLEXIBLE; (IV) LA INFLUENCIA DE LOSPARAMETROS ESTRUCTURALES SOBRE LA DINAMICA EXCITONICA, QUE RESULTA FUNDAMENTAL PARA EL CONTROL DELOS PROCESOS OPTICOS.PARA CUMPLIR LOS OBJETIVOS PROPUESTOS, UTILIZAREMOS MODELOS TEORICOS BASADOS EN LA TEORIA K·P(APROXIMACION DE FUNCION ENVOLVENTE) PARA HETEROESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS. SI BIEN ENALGUNOS CASOS DEDICAREMOS PARTE DEL ESFUERZO A LA CONSTRUCCION DE LAS HERRAMIENTASCOMPUTACIONALES NECESARIAS, EN LA ACTUALIDAD DISPONEMOS YA DE DIVERSOS PROGRAMAS,DESARROLLADAS EN LOS ULTIMOS AÑOS, QUE NOS PERMITEN ABORDAR CON FIABILIDAD VARIOS DE ESTOSTEMAS. ESTOS PROGRAMAS INCLUYEN CODIGOS PARA EL CALCULO DE ESTADOS DE PARTICULA INDEPENDIENTECON MODELOS MULTIBANDA EN SEMICONDUCTORES ZINC-BLENDA O WURTZITA, ASI COMO LA INCLUSION DECORRELACIONES ELECTRONICAS MEDIANTE UN EFICIENTE CODIGO DE CONFIGURACION DE INTERACCIONES.CONTAMOS ASIMISMO CON COLABORACIONES ESTABLECIDAS CON EXPERTOS NACIONALES E INTERNACIONALESQUE FACILITARAN LA CONSECUCION DE LOS OBJETIVOS. UNTO CUANTICO\ESTRUCTURA ELECTRONICA\OPTICA\SEMICONDUCTOR

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