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PCIN-2014-008-C02-02

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CELULAS SOLARES TANDEM DE ALTA EFICIENCIA UTILIZANDO SEMICONDUCTORES III-V SOBRE...

CELULAS SOLARES TANDEM DE ALTA EFICIENCIA UTILIZANDO SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SILICIO ESTA PROPUESTA TIENE POR OBJETO DESARROLLAR UNA TECNOLOGIA NOVEDOSA DE CELULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA ORIENTADA A APLICACIONES DE PANEL PLANO MEDIANTE EL USO DE CELULAS TANDEM QUE INTEGREN SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SUSTRATOS... ver más

01/01/2014

DHV TECNOLOGIA ESP...

50K€

Presupuesto del proyecto: 50K€

Líder del proyecto

DHV TECNOLOGIA ESPACIAL AVANZADA MALAGUENA La prestación de servicios de consultoría empresarial y la realización de proyectos de ingeniería industrial. - el diseño, la elaboración y...

TRL 6-7 | 323K€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Presupuesto del proyecto 50K€

Descripción del proyecto ESTA PROPUESTA TIENE POR OBJETO DESARROLLAR UNA TECNOLOGIA NOVEDOSA DE CELULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA ORIENTADA A APLICACIONES DE PANEL PLANO MEDIANTE EL USO DE CELULAS TANDEM QUE INTEGREN SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO, LA BASE TECNOLOGICA DE ESTE DESARROLLO ES EL USO DE TECNICAS EPITAXIALES AVANZADAS PARA CRECER POR CVD ESTRUCTURAS DE SIGE Y SIGESN SOBRE SUBSTRATOS DE SILICIO, PARA EN UN SEGUNDO PROCESO EPITAXIAL POR MOCVD CRECER UNA TOP CELL DE INGAASP, EN ESTE SENTIDO, PRETENDEN FABRICARSE CELULAS TANDEM (DE DOS UNIONES) DE INGAASP/SIGE(SN) SOBRE SUBSTRATOS DE C-SI, ADICIONALMENTE, ESTE PROYECTO ABORDARA LA INTEGRACION DE DICHAS CELULAS EN UNA PRIMERA GENERACION DE MODULOS Y SU ANALISIS DE FIABILIDAD, COMO TAL, ESTE TRABAJO CONCUERDA CON EL ALCANCE ESTABLECIDO EN LA CONVOCATORIA SOLAR-ERA,NET PV2,4 'MODULOS FOTOVOLTAICOS DE ALTA EFICIENCIA BASADOS EN CELULAS SOLARES DE NUEVA GENERACION DE C-SI', EL OBJETIVO ES DESARROLLAR ESTAS CELULAS SOLARES DE ALTA EFICIENCIA PARA DEMOSTRAR RENDIMIENTOS DE CONVERSION FOTOVOLTAICA POR ENCIMA DEL 25%, PARA ESTA PRIMERA GENERACION, SIENDO EL POTENCIAL TEORICO DE ESTA TECNOLOGIA DEL 42% PARA DOS UNIONES, ESTE OBJETIVO SE CONSEGUIRA MEDIANTE LA COMBINACION DE LA AMPLIA EXPERIENCIA DE LA EMPRESA IQE (CARDIFF, UK) EN EL CAMPO DE LA EPITAXIA DE SIGE Y SEMICONDUCTORES III-V Y EL SOLIDO BAGAJE DE LA UPM (MADRID ESPAÑA) EN LAS AREAS DE DISEÑO DE LA CELULA SOLAR MULTIUNION , ASI COMO SU FABRICACION, EN ESTE SENTIDO, OBLEAS EPITAXIALES CON TOPCELLS DE INGAASP Y BOTTOM CELLS DE SIGE(SN) CRECIDAS SOBRE SUBSTRATOS DE C-SI POR IQE (SIGUIENDO EL DISEÑO DE LA UPM), SERAN PROCESADAS EN CELULAS SOLARES EN LAS INSTALACIONES DE LA UPM, PARA SER FINALMENTE INCORPORADAS EN LOS MODULOS PROTOTIPO INTEGRADOS POR DHV (MALAGA, ESPAÑA) QUE SERAN FINALMENTE PROBADOS AL SOL POR LA UPM DE MADRID, SE PREVE QUE LA EFICIENCIA DE LOS MODULOS FOTOVOLTAICOS SEA SUPERIOR AL 22%, PARA ESTA PRIMERA GENERACION DE PROTOTIPOS, LO QUE ESTA SIGNIFICATIVAMENTE POR ENCIMA DEL ESTADO ACTUAL DE LA TECNICA Y ADEMAS OFRECE UNA GRAN POTENCIAL DE CRECIMIENTO PARA FUTUROS REFINAMIENTOS DE LA TECNOLOGIA, FINALMENTE, LAS CELULAS FABRICADAS SERAN SOMETIDAS A ENSAYOS DE ENVEJECIMIENTO ACELERADO PARA MEDIANTE EL USO DE CAMARAS CLIMATICAS Y A ENSAYOS SOBRE EL TERRENO PARA ESTABLECER UNA VALORACION INICIAL DE LA DURABILIDAD DE LA TECNOLOGIA, CELULA SOLAR\SEMICONDUCTORES III-V\SILICIO CRISTALINO\ALTA EFICIENCIA

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