FABRICACION POR MOVPE DE CELULAS SOLARES MULTIUNION DE SEMICONDUCTORES III-V SOB...
EL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES MULTIUNION FORMADAS POR CELULAS SUPERIORES DE SEMICONDUCTORES III-V MONOLITICAMENTE CRECIDOS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO QUE ACTUAN COMO CELULA INFERIOR (EN ADELANTE...
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Descripción del proyecto
EL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES MULTIUNION FORMADAS POR CELULAS SUPERIORES DE SEMICONDUCTORES III-V MONOLITICAMENTE CRECIDOS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO QUE ACTUAN COMO CELULA INFERIOR (EN ADELANTE CELULAS MULTIUNION III-V/SI). EL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES CONJUGAR EL POTENCIAL DE ALTA EFICIENCIA YA DEMOSTRADO POR LOS SEMICONDUCTORES III-V EN ARQUITECTURAS DE CELULAS FOTOVOLTAICAS MULTIUNION CON EL BAJO COSTO, LA DISPONIBILIDAD Y LA ABUNDANCIA DEL SILICIO. OBVIAMENTE, EN UN SENTIDO MAS GENERAL, EL TRABAJO ESTA ORIENTADO A CONTRIBUIR EN LA BUSQUEDA DE UNA TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA CAPAZ DE PRODUCIR ALTA EFICIENCIA A BAJO COSTO Y ESCALABLE AL NIVEL DE LOS TERAVATIOS.EN UN PROYECTO EN CURSO QUE FINALIZARA EN DICIEMBRE DE 2012 (TEC2009-11143), HEMOS ESTABLECIDO LAS BASES PARA COMPRENDER LOS DESAFIOS BASICOS EN TERMINOS DE INGENIERIA DE MATERIALES ASOCIADOS AL CRECIMIENTO MOVPE DE ALGUNOS COMPUESTOS III-V SOBRE EL SILICIO. PARTICULARMENTE, SE HAN DESARROLLADO CON EXITO ESTRATEGIAS DE NUCLEACION DE III-V SOBRE SILICIO BASADAS EN CAPAS DE GAP, SE HA OPTIMIZADO LA FABRICACION MOVPE DE LA CELULA INFERIOR DE SILICIO Y SE ESTA EN FASE DE DEMOSTRAR LOS PRIMEROS PROTOTIPOS FUNCIONALES DE CELULAS MULTIUNION III-V/SI (PRUEBAS DE CONCEPTO).EN ESTE SENTIDO, LA PRESENTE PROPUESTA ES LA CONTINUACION NATURAL DEL PROYECTO EN CURSO. AHORA, TOTALMENTE CENTRADOS EN EL DISPOSITIVO, SE TRATA DE OPTIMIZAR CAPA A CAPA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL Y LA FABRICACION DE CELULAS HASTA OBTENER CELULAS SOLARES MULTIUNION III-V/SI CON RENDIMIENTOS RAZONABLES, MAS ALLA DE LA MERA DEMOSTRACION FUNCIONAL ALCANZADA HASTA AHORA. NUESTROS OBJETIVOS CUANTITATIVOS SON ALCANZAR UNA EFICIENCIA DE CONVERSION FOTOVOLTAICA DEL 24% O SUPERIOR. ESTE RESULTADO SERIA UN RECORD MUNDIAL PARA UN DISPOSITIVO MULTIUNION III-V/SILICIO Y, POR LO TANTO, DE ALCANZARSE SE CERTIFICARIA EL NIVEL DE EXCELENCIA TECNOLOGICA LOGRADO.PARA LOGRAR EL OBJETIVO FIJADO PRINCIPALES, EL PROYECTO TIENE CINCO OBJETIVOS ESPECIFICOS, A SABER: 1. CRECIMIENTO POR MOVPE UN AMPLIO CONJUNTO DE MUESTRAS DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SILICIO, INCLUIDAS ESTRUCTURAS COMPLETAS DE CELULA SOLAR ASI COMO ESTRUCTURAS DE PRUEBA 2. REALIZACION DE EXHAUSTIVOS ESTUDIOS DE CARACTERIZACION DE MATERIAL CAPA A CAPA QUE CONDUZCAN A LA CLASIFICACION Y CUANTIFICACION DE LOS DEFECTOS EXISTENTES Y SU IMPACTO FOTOVOLTAICO 3. DESARROLLO DE MODELOS DE SIMULACION NUMERICA 2D DE CELULAS MULTIUNION III-V/SI, INCLUYENDO LA DESCRIPCION COMPLETA DE LOS DEFECTOS Y SU IMPACTO EN LAS PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS 4. OPTIMIZAR LAS TECNICAS DE PROCESADO Y FABRICACION DE CELULAS MULTIUNION III-V/SILICIO 5. INVESTIGAR ESTRATEGIAS AVANZADAS DE NUCLEACION SOBRE LA BASE DE NUEVOS ENFOQUES, EN PARTICULAR EL USO DE SUBSTRATOS TEXTURADOS (PATTERNED SUBSTRATES)LA VIABILIDAD DE ESTOS OBJETIVOS ESTA RESPALDADA POR LA EXPERIENCIA DEL EQUIPO DE INVESTIGACION SOLICITANTE (QUE FORMA PARTE DEL GRUPO DE SEMICONDUCTORES III-V DEL INSTITUTO DE ENERGIA SOLAR DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID) QUE HA ALCANZADO RECORDS MUNDIALES DE EFICIENCIA DE CELULAS SOLARES MULTIUNION CRECIDAS SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS Y GE EN EL PASADO Y TIENE UNA NOTABLE EXPERIENCIA EN EL CAMPO DE LA MOVPE.
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