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Application relevant validation of c Si based tandem solar cell processes with 3...

Application relevant validation of c Si based tandem solar cell processes with 30 efficiency target Crystalline silicon wafer solar cells have been dominating the photovoltaic market so far due to the availability and stability of c-Si and the decades of Si technology development. However, without new ways to improve the convers... ver más

31/01/2021

Fraunhofer

4M€

Presupuesto del proyecto: 4M€

Líder del proyecto

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANG... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 7 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-31

LCE-07-2016-2017: Developing the next generation tech...

I+D

Cerrada hace 8 años

0% 100% 100%

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7 Participantes

Fraunhofer

1.20M€ | Lider

JOANNEUM RESEARCH

549.94K€ | Participante

ULEI

280.66K€ | Participante

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Duración del proyecto: 45 meses Fecha Inicio: 2017-04-04
Fecha Fin: 2021-01-31

Líder del proyecto

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANG... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 4M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Crystalline silicon wafer solar cells have been dominating the photovoltaic market so far due to the availability and stability of c-Si and the decades of Si technology development. However, without new ways to improve the conversion efficiencies further significant cost reductions will be difficult and the c-Si technology will not be able to maintain its dominant role. In the SiTaSol project we want to increase conversion efficiencies of c-Si solar cells to 30 % by combining it with III-V top absorbers. Such a tandem solar cell will result in huge savings of land area and material consumption for photovoltaic electricity generation and offers clear advantages compared to today’s products. The III-V/Si tandem cell with an active Si bottom junction with one front and back contact is a drop-in-replacement for today’s Si flat plate terrestrial PV. To make this technology cost competitive, the additional costs for the 2-5 µm Ga(In)AsP epitaxy and processing must remain below 1 €/wafer to enable module costs <0.5 €/Watt-peak. It is the intention of the SiTaSol project to evaluate processes which can meet this challenging cost target and to proof that such a solar cell can be produced in large scale. Key priorities are focused on the development of a new growth reactor with efficient use of the precursor gases, enhanced waste treatment, recycling of metals and low cost preparation of the c-Si growth substrate. High performance devices will be demonstrated in an industrial relevant environment. The project SiTaSol approaches these challenges with a strong industrial perspective and brings together some of the most well-known European partners in the field of Si PV and III-V compound semiconductors. Furthermore SiTaSol will support the competitiveness of the European industry by providing innovative solutions for lowering manufacturing costs of III-V materials which are essential in today’s electronic products including laptops, photonic sensors and light emitting diodes.

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