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TEC2017-85912-C2-2-R

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PLASMONICA BASADA EN OXIDOS PARA FOTODETECTORES DE IR

EN EL MARCO DEL ENFOQUE PROPUESTO EN ESTE PROYECTO: MEJORAR LA DETECTIVIDAD DE FOTODETECTORES DE INFRARROJO MEDIO (IR), MEDIANTE EL USO DE METAMATERIALES PLASMONICOS, EL CRECIMIENTO DE OXIDOS TRANSPARENTES CONDUCTORES TCO ALTAMEN... ver más

01/01/2017

116K€

Presupuesto del proyecto: 116K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

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Presupuesto del proyecto 116K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EN EL MARCO DEL ENFOQUE PROPUESTO EN ESTE PROYECTO: MEJORAR LA DETECTIVIDAD DE FOTODETECTORES DE INFRARROJO MEDIO (IR), MEDIANTE EL USO DE METAMATERIALES PLASMONICOS, EL CRECIMIENTO DE OXIDOS TRANSPARENTES CONDUCTORES TCO ALTAMENTE DOPADOS BASADOS EN ZNO Y CDO ES, POR SI MISMO, UN ATRACTIVO RETO , COMO LO DEMUESTRA LA BIBLIOGRAFIA, ¿COMO CONSEGUIR UN ALTO NIVEL DE DOPAJE MANTENIENDO UNA BUENA CRISTALINIDAD / PROPIEDADES FISICAS? ¿COMO HACEMOS COMPATIBLES LOS PARAMETROS DE SINTESIS DE CRECIMIENTO DE ESTOS OXIDOS CON LA INTEGRACION SOBRE SUSTRATOS NO HOMOEPITAXIALES Y EXTENDEMOS EL PROCESO A LAS TECNOLOGIAS DE PRODUCCION? ES PRECISO SIGNIFICAR QUE NO SOLO LAS DIFERENCIAS EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA PUEDEN SER UN PROBLEMA, SINO TAMBIEN LA REACTIVIDAD EN LA INTERFASE PUEDE SER UN PUNTO CLAVE, ESTAS SON ALGUNAS DE LAS CUESTIONES QUE ABORDAREMOS EN ESTE SUBPROYECTO, PARA ELLO, SE EXPLOTARAN DOS TECNICAS DE CRECIMIENTO: METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) Y SPRAY PYROLYSIS (SP), NUESTRO OBJETIVO SERA ENCONTRAR SISTEMATICAMENTE LAS CONDICIONES BAJO LAS CUALES SE PUEDEN CRECER LAS CAPAS CON BUENAS PROPIEDADES CRISTALINAS / FISICAS Y ALTA REPRODUCIBILIDAD EN LOS DIFERENTES SUSTRATOS: ZAFIRO, GAAS Y PBSE, LA TEMPERATURA DE CRECIMIENTO Y EL TIEMPO DE CRECIMIENTO, Y EL FLUJO Y LA RELACION DE LOS PRECURSORES, SON LOS PARAMETROS BASICOS DE CONTROL EN LOS PROCESOS DE CRECIMIENTO DE CVD, EN UNA PRIMERA ETAPA, EL CAMINO QUE HEMOS ELEGIDO PARA MEJORAR LA CALIDAD DE LAS CAPAS TCO ES ACTUAR SOBRE SU NUCLEACION, BAJO UNA INTERACCION DIRECTA CON EL SUBPROYECTO 1, EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES MORFOLOGICAS, ESTRUCTURALES Y FISICAS, EN CORRELACION CON LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO, IMPULSARA LAS MODIFICACIONES EN EL DISEÑO EXPERIMENTAL DE LOS EXPERIMENTOS DE CRECIMIENTO, CON EL FIN DE OBTENER LAS DIFERENTES ESTRUCTURAS Y CAPAS CON EL CALIDAD DESEADA Y REPRODUCIBILIDAD, APLICAREMOS ESTA METODOLOGIA SISTEMATICA PARA CADA METODO DE CRECIMIENTO, EN RELACION CON SUS CARACTERISTICAS ESPECIFICAS, LA DIFRACCION DE RAYOS X DE ALTA RESOLUCION Y LA MICROSCOPIA ELECTRONICA SERAN LAS TECNICAS QUE UTILIZAREMOS EN ESTE SUBPROYECTO PARA LA CARACTERIZACION MORFOLOGICA Y ESTRUCTURAL, ESTOS ESTUDIOS SE COMPLEMENTARAN CON EL ANALISIS DE LAS PROPIEDADES FISICAS REALIZADAS EN EL MARCO DEL SUBPROYECTO 1,LOS EFECTOS DE RECOCIDO SOBRE LAS CAPAS Y LAS HETEROSTRUCTURAS TAMBIEN SERAN ANALIZADOS CON ESPECIAL ENFASIS EN LOS PROCESOS RAPIDOS DE RECOCIDO TERMICO, RTA,FINALMENTE, PARA OBTENER CAPAS PLASMONICAS DE TCO INTEGRADAS SOBRE LOS FOTODETECTORES, SE REALIZARA EL CRECIMIENTO A PARTIR DE LA FASE GASEOSA (CVD) SOBRE LAS ESTRUCTURAS DE FOTODETECTOR, ANTES DEL PROCESAMIENTO DE LOS CONTACTOS OHMICOS PARA DAR ACCESO ELECTRICO A LA REGION ACTIVA, ASI UTILIZANDO LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO OPTIMIZADAS, SOBRE SUBSTRATOS DE GAAS, PBTE, SE PROCEDERA AL CRECIMIENTO SOBRE OBLEAS DE QDIP BASADAS EN GAAS / INAS Y DE PBSE DE FOTOCONDUCTORES COMERCIALES, MOCVD\CDO\ZNO\PLASMÓNICA\TCO\FOTODETECTOR\INFRARROJO\ÓXIDOS SEMICONDUCTORES

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