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PID2020-117201RB-C22

Financiado

NUEVAS CONFIGURACIONES DE PUERTAS PARA MISFET DE DIAMANTE CON CANAL OPTO-ACTIVAD...

NUEVAS CONFIGURACIONES DE PUERTAS PARA MISFET DE DIAMANTE CON CANAL OPTO-ACTIVADO: TECNOLOGIA Y CARACTERIZACION LA IRRUPCION RECIENTE DE MEDIOS DE TRANSPORTE CON TRACCION ELECTRICA, TALES COMO TRENES DE ALTA VELOCIDAD Y AUTOMOVILES; ASI COMO LA NECESIDAD DE MEJORAR LA EFICIENCIA DE LOS SISTEMAS DE ENERGIAS RENOVABLES, HAN CREADO LA NECESIDA... ver más

01/01/2020

CSIC

179K€

Presupuesto del proyecto: 179K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 179K€

Descripción del proyecto LA IRRUPCION RECIENTE DE MEDIOS DE TRANSPORTE CON TRACCION ELECTRICA, TALES COMO TRENES DE ALTA VELOCIDAD Y AUTOMOVILES; ASI COMO LA NECESIDAD DE MEJORAR LA EFICIENCIA DE LOS SISTEMAS DE ENERGIAS RENOVABLES, HAN CREADO LA NECESIDAD DE NUEVOS DISEÑOS DE DISPOSITIVOS Y DE NUEVOS MATERIALES SEMICONDUCTORES A EMPLEAR EN LA ELECTRONICA DE POTENCIA, ENTRE ELLOS, EL DIAMANTE ES EL MAS ATRACTIVO DEBIDO A SUS PROPIEDADES TERMICAS Y ELECTRONICAS; PERO TAMBIEN ES EL MAS DIFICIL DE PROCESAR, COMO CONSECUENCIA DE ELLO, OTROS MATERIALES SEMICONDUCTORES, COMO EL SIC O LOS III-N HAN ADQUIRIDO VENTAJA Y YA ESTAN INDUSTRIALMENTE IMPLANTADOS EN LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, SIN EMBARGO, SI EL DIAMANTE FUERA CAPAZ DE SACAR PROVECHO DE SUS DESTACADAS CARACTERISTICAS, PODRIA SER EL MATERIAL DEL FUTURO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE POTENCIA, LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO MISFET DE POTENCIA BASADO EN DIAMANTE, CON EL ENFOQUE INNOVADOR QUE SE PRESENTA EN ESTE PROYECTO COORDINADO, REQUIERE LA CONTRIBUCION SINERGICA DE LOS 2 SOCIOS INVOLUCRADOS, YA QUE ESTE ENFOQUE CONTIENE ASPECTOS RELACIONADOS CON LOS MATERIALES (CRECIMIENTO DE ESTRUCTURAS CON DIVERSAS CAPAS QUE FORMAN EL DISPOSITIVO), ASI COMO TECNOLOGIAS DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS (PROCESOS DE SALA BLANCA), CON ESTE PROPOSITO, EL SUBPROYECTO2, LIDERADO POR EL IMB-CNM, ESTARA FOCALIZADO, POR UN LADO, EN EL DESARROLLO TECNOLOGICO, PARA CONSEGUIR LAS PIEZAS DEL PUZZLE QUE PERMITAN LA FABRICACION DE LOS DISPOSITIVOS AVANZADOS PROPUESTOS, LAS ETAPAS DE PROCESO EXISTENTES, DESARROLLADAS EN PROYECTOS PREVIOS, SE COMPLETARAN CON NUEVAS OPCIONES, TALES COMO LA IMPLANTACION IONICA DE BORO Y FOSFORO, ETAPAS DE LITOGRAFIA AVANZADAS Y GRABADO PROFUNDO POR PLASMA USANDO UN NUEVO EQUIPO ICP, OTRO ESFUERZO IMPORTANTE SE DEDICARA AL USO DEL H-BN COMO DIELECTRICO DE PUERTA, CON ESTE FIN, SE OPTIMIZARA LA TECNOLOGIA DE CRECIMIENTO Y TRANSFERENCIA DEL H-BN, EN PARALELO, OTRA TAREA SERA GENERAR Y CARACTERIZAR LAS ESTRUCTURAS DE TEST PARA EVALUAR LOS PARAMETROS ELECTRICOS DEL MATERIAL TIPO P Y TIPO N CRECIDOS EN EL SUBPROYECTO1, POR OTRO LADO, ABORDARA LA SECUENCIA DE DISEÑO, FABRICACION Y CARACTERIZACION DE 3 TIPOS DE DISPOSITIVOS, CON UN GRADO DE COMPLEJIDAD CRECIENTE, EL DISEÑO SE APOYARA EN LA SIMULACION NUMERICA, PROPORCIONANDO INFORMACION CRITICA PARA EL DISEÑO DE LAS MASCARAS Y LA CONCRECION DE LOS PARAMETROS DE LA TECNOLOGIA, DADO QUE EL CONTROL OPTICO DE LA PUERTA ES UNA INNOVACION FUNDAMENTAL DE ESTA PROPUESTA, LOS EFECTOS OPTICOS DEBEN COMPLEMENTARSE CON LA SIMULACION ELECTRICA, EL CONJUNTO DE MASCARAS INCLUIRA ESTRUCTURAS DE TEST Y DISPOSITIVOS REALES CON ALTA CAPACIDAD DE VOLTAJE Y CORRIENTE, UNA VEZ FABRICADOS LOS DISPOSITIVOS, SE REALIZARA UN EXTENSA CARACTERIZACION ELECTRICA Y ELECTRO-OPTICA SOBRE OBLEA, LOS ESTUDIOS OPTICOS DEL DIAMANTE NO DOPADO HAN DE ASEGURAR LA TRANSPARENCIA AL IR, ANTES DE PODER DEMOSTRAR LA ACTIVACION DE DOPANTES CON EL LED DE IR, PARA COMPLETAR LA EVALUACION DE LOS DISPOSITIVOS SE REALIZARA UNA CARACTERIZACION ELECTRO-TERMICA DE DISPOSITIVOS ENCAPSULADOS, ESTE ULTIMO PASO DE CARACTERIZACION NOS PROPORCIONARA SUFICIENTE NIVEL TRL, PARA ARGUMENTAR Y PROPORCIONAR DATOS A FABRICANTES DE SEMICONDUCTORES Y A USUARIOS FINALES POTENCIALMENTE INTERESADOS EN ESOS COMPONENTES PARA SUS PRODUCTOS Y APLICACIONES, DIAMANTE\ELECTRONICA DE POTENCIA\TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES\MATERIALES 2D\OPTOELECTRONICA

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