Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

PDC2023-145907-I00

Financiado

Cerrado

Transporte

A PESAR DE QUE EL DIAMANTE TIENE PROPIEDADES EXCEPCIONALES EN COMPARACION CON OTROS SEMICONDUCTORES (SI, GE, III-V, III-N, SIC, GA2O3,), EN PARTICULAR PARA LA ELECTRONICA DE ALTA POTENCIA (EL MEJOR EN TERMINOS DE: MOVILIDAD DEL P... ver más

01/01/2023

UCA

290K€

Presupuesto del proyecto: 290K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1446

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2023-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

0% 100%

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

1 Participantes

UCA

290.40K€ | Lider

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Proyectos interesantes

TEC2014-54357-C2-1-R DISPOSITIVOS DE ALTO VOLTAJE PARA UNA ELECTRONICA VERDE: TEC... 203K€ Cerrado

TEC2017-86347-C2-2-R MOSFET DE DIAMANTE PARA ELECTRONICA DE POTENCIA MEDIANTE EL... 136K€ Cerrado

PID2020-117201RB-C22 NUEVAS CONFIGURACIONES DE PUERTAS PARA MISFET DE DIAMANTE CO... 179K€ Cerrado

GDSNL The Process of GaN-on-diamond with Si-based nanolayer SAB te... 173K€ Cerrado

TEC2009-11399 DIAMANTE PARA DISPOSITIVOS DE POTENCIA 218K€ Cerrado

DiDi-FaCT Diode Die Fatigue Characterisation and Testing 400K€ Cerrado

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1446

Presupuesto del proyecto 290K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto A PESAR DE QUE EL DIAMANTE TIENE PROPIEDADES EXCEPCIONALES EN COMPARACION CON OTROS SEMICONDUCTORES (SI, GE, III-V, III-N, SIC, GA2O3,), EN PARTICULAR PARA LA ELECTRONICA DE ALTA POTENCIA (EL MEJOR EN TERMINOS DE: MOVILIDAD DEL PORTADOR, CONDUCTIVIDAD TERMICA, CAMPO DE RUPTURA, ), TODAVIA NO SE HA INCORPORADO COMERCIALMENTE EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA. LA RAZON PRINCIPAL ES EL NIVEL DE ESTADO RELATIVAMENTE PROFUNDO DEL DOPANTE (EN LA BANDA PROHIBIDA), LO QUE DA COMO RESULTADO UNA ACTIVACION TERMICA MUY BAJA DEL DOPANTE (YA SEA DOPAJE N O P) Y, POR LO TANTO, UNA DENSIDAD DE PORTADORES LIBRES MUY BAJA. COMO RESULTADO, ES EL MATERIAL SEMICONDUCTOR MAS RESISTIVO QUE LIMITA FUERTEMENTE LA CORRIENTE A TRAVES DEL DISPOSITIVO. EN LA PROPUESTA ANTERIOR (OPTOFET, REF: PID2020-117201RB-C21), DEMOSTRAMOS QUE PODEMOS CONVERTIR ESTA APARENTE DESVENTAJA EN UNA GRAN VENTAJA: ABRIMOS OPTICAMENTE (ESTADO ON RESULTANTE DE LA ACTIVACION DEL DOPANTE) LA PUERTA DE UN TRANSISTOR (ETIQUETADO OPTOFET AUNQUE NO ES EXACTAMENTE UN DISPOSITIVO DE EFECTO DE CAMPO) UTILIZANDO UN DIODO LASER (LD) DE TELECOMUNICACIONES (ALTA FRECUENCIA) QUE VUELVE CONDUCTOR EL CANAL. POR TANTO, EL DISPOSITIVO SE MANTIENE APAGADO EN AUSENCIA DE ILUMINACION Y SE ENCIENDE CUANDO SE ACTIVA EL LD. EL CONCEPTO SE DEMOSTRO EN EL PROYECTO ANTERIOR Y AHORA AQUI SE PROPONEMOS INCORPORAR ESTE DISPOSITIVO OPTOFET A UN CONVERTIDOR DE POTENCIA PARA APLICACIONES AEROESPACIALES (EN COLABORACION CON LA EMPRESA INDRA), ES DECIR, DONDE EL PESO ES IMPORTANTE Y DONDE EL COSTE INDIVIDUAL DEL DISPOSITIVO/CHIP ES RELATIVAMENTE ALTO (MAS DE 8K).DE ESTA FORMA, ESTE PROYECTO PRETENDE PROPORCIONAR UN NUEVO ENFOQUE, USANDO EL DIAMANTE, PARA LA INDUSTRIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA (PE) CON UN CONVERTIDOR QUE CUMPLA CON LO SIGUIENTE:- FACIL CONTROL DE PUERTA Y ROBUSTEZ DEL DISPARADOR.- ALTOS RANGOS DE TENSION DE TRABAJO (ENTRE 1KV A 10KV) Y ALTAS FRECUENCIAS (>100 KHZ).- ALTOS MARGENES DE CORRIENTE DE TRABAJO (AL MENOS HASTA 100A SIN CAPACIDAD DE PARALELIZACION O HASTA 50A CON CAPACIDAD DE PARALELIZACION DEL DISPOSITIVO).- VIABILIDAD DEL FUTURO PROCESO DE FABRICACION EN SERIE, ASEGURANDO MADUREZ Y REPETIBILIDAD.- Y CON VIABILIDAD COMERCIAL FUTURA, DANDO TIEMPOS DE PRODUCCION, DISPONIBILIDAD Y COSTES ASEQUIBLES, O INCLUSO MEJORES QUE LOS QUE PROPORCIONA EL SIC. CONVERTIDOR DE POTENCIA\AEROESPACIAL\DIAMANTE\TRANSISTOR

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidé mi contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores