A PESAR DE QUE EL DIAMANTE TIENE PROPIEDADES EXCEPCIONALES EN COMPARACION CON OTROS SEMICONDUCTORES (SI, GE, III-V, III-N, SIC, GA2O3, ), EN PARTICULAR PARA LA ELECTRONICA DE ALTA POTENCIA (EL MEJOR EN TERMINOS DE: MOVILIDAD DEL P...
A PESAR DE QUE EL DIAMANTE TIENE PROPIEDADES EXCEPCIONALES EN COMPARACION CON OTROS SEMICONDUCTORES (SI, GE, III-V, III-N, SIC, GA2O3, ), EN PARTICULAR PARA LA ELECTRONICA DE ALTA POTENCIA (EL MEJOR EN TERMINOS DE: MOVILIDAD DEL PORTADOR, CONDUCTIVIDAD TERMICA, CAMPO DE RUPTURA, ), TODAVIA NO SE HA INCORPORADO COMERCIALMENTE EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA. LA RAZON PRINCIPAL ES EL NIVEL DE ESTADO RELATIVAMENTE PROFUNDO DEL DOPANTE (EN LA BANDA PROHIBIDA), LO QUE DA COMO RESULTADO UNA ACTIVACION TERMICA MUY BAJA DEL DOPANTE (YA SEA DOPAJE N O P) Y, POR LO TANTO, UNA DENSIDAD DE PORTADORES LIBRES MUY BAJA. COMO RESULTADO, ES EL MATERIAL SEMICONDUCTOR MAS RESISTIVO QUE LIMITA FUERTEMENTE LA CORRIENTE A TRAVES DEL DISPOSITIVO. EN LA PROPUESTA ANTERIOR (OPTOFET, REF: PID2020-117201RB-C21), DEMOSTRAMOS QUE PODEMOS CONVERTIR ESTA APARENTE DESVENTAJA EN UNA GRAN VENTAJA: ABRIMOS OPTICAMENTE (ESTADO ON RESULTANTE DE LA ACTIVACION DEL DOPANTE) LA PUERTA DE UN TRANSISTOR (ETIQUETADO OPTOFET AUNQUE NO ES EXACTAMENTE UN DISPOSITIVO DE EFECTO DE CAMPO) UTILIZANDO UN DIODO LASER (LD) DE TELECOMUNICACIONES (ALTA FRECUENCIA) QUE VUELVE CONDUCTOR EL CANAL. POR TANTO, EL DISPOSITIVO SE MANTIENE APAGADO EN AUSENCIA DE ILUMINACION Y SE ENCIENDE CUANDO SE ACTIVA EL LD. EL CONCEPTO SE DEMOSTRO EN EL PROYECTO ANTERIOR Y AHORA AQUI SE PROPONEMOS INCORPORAR ESTE DISPOSITIVO OPTOFET A UN CONVERTIDOR DE POTENCIA PARA APLICACIONES AEROESPACIALES (EN COLABORACION CON LA EMPRESA INDRA), ES DECIR, DONDE EL PESO ES IMPORTANTE Y DONDE EL COSTE INDIVIDUAL DEL DISPOSITIVO/CHIP ES RELATIVAMENTE ALTO (MAS DE 8K).DE ESTA FORMA, ESTE PROYECTO PRETENDE PROPORCIONAR UN NUEVO ENFOQUE, USANDO EL DIAMANTE, PARA LA INDUSTRIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA (PE) CON UN CONVERTIDOR QUE CUMPLA CON LO SIGUIENTE:- FACIL CONTROL DE PUERTA Y ROBUSTEZ DEL DISPARADOR.- ALTOS RANGOS DE TENSION DE TRABAJO (ENTRE 1KV A 10KV) Y ALTAS FRECUENCIAS (>100 KHZ).- ALTOS MARGENES DE CORRIENTE DE TRABAJO (AL MENOS HASTA 100A SIN CAPACIDAD DE PARALELIZACION O HASTA 50A CON CAPACIDAD DE PARALELIZACION DEL DISPOSITIVO).- VIABILIDAD DEL FUTURO PROCESO DE FABRICACION EN SERIE, ASEGURANDO MADUREZ Y REPETIBILIDAD.- Y CON VIABILIDAD COMERCIAL FUTURA, DANDO TIEMPOS DE PRODUCCION, DISPONIBILIDAD Y COSTES ASEQUIBLES, O INCLUSO MEJORES QUE LOS QUE PROPORCIONA EL SIC. CONVERTIDOR DE POTENCIA\AEROESPACIAL\DIAMANTE\TRANSISTORver más
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