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MAT2012-31959

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NANOESTRUCTURAS ALARGADAS COMPLEJAS DE OXIDOS DE INTERES TECNOLOGICO Y DE SEMICO...

NANOESTRUCTURAS ALARGADAS COMPLEJAS DE OXIDOS DE INTERES TECNOLOGICO Y DE SEMICONDUCTORES COMPUESTOS: PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRICAS EL OBJETO DEL PROYECTO ES LA SINTESIS Y ESTUDIO DE PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRICAS DE NANO- Y MICROESTRUCTURAS ALARGADAS COMPLEJAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES, PRINCIPALMENTE OXIDOS DE INTERES TECNOLOGICO. EL CARACTER COMPLEJO... ver más

01/01/2012

UCM

275K€

Presupuesto del proyecto: 275K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3285

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2012-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

UCM

Lider

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3285

Presupuesto del proyecto 275K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL OBJETO DEL PROYECTO ES LA SINTESIS Y ESTUDIO DE PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRICAS DE NANO- Y MICROESTRUCTURAS ALARGADAS COMPLEJAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES, PRINCIPALMENTE OXIDOS DE INTERES TECNOLOGICO. EL CARACTER COMPLEJO SE REFIERE A ASPECTOS MORFOLOGICOS Y DE COMPOSICION, QUE SON DE IMPORTANCIA PARA LA FUNCIONALIDAD DE LAS ESTRUCTURAS. SE PROPONE LA SINTESIS POR METODOS TERMICOS, DE NANOESTRUCTURAS JERARQUICAS (EJ. RAMIFICADAS O FORMANDO REDES DE NANOHILOS) Y ESTRUCTURAS DEL TIPO NUCLEO-CAPA (CORE-SHELL) DE DISTINTOS MATERIALES DOPADOS, INCLUYENDO OXIDOS TERNARIOS, COMO LOS DE INDIO Y ESTAÑO (ITO) O DE INDIO Y ZINC (IZO). SE ESTUDIARAN LOS MECANISMOS DE INCORPORACION DE DOPANTE Y LA POSIBLE INFLUENCIA DE DISLOCACIONES DURANTE EL PROCESO DE CRECIMIENTO UNIDIMENSIONAL.SE INVESTIGARAN PROPIEDADES ELECTRICAS Y OPTICAS DE LAS ESTRUCTURAS COMPLEJAS EN FUNCION DE SU COMPOSICION Y CARACTERISTICAS MORFOLOGICAS Y ESTRUCTURALES. LAS PROPIEDADES ELECTRICAS A ESTUDIAR SON LA EMISION DE CAMPO Y LA RESISTIVIDAD. EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS SE CENTRARA EN LA LUMINISCENCIA Y EN EL COMPORTAMIENTO DE LAS ESTRUCTURAS COMO GUIAS DE LUZ Y EN LA POSIBILIDAD DE CONEXIONES OPTICAS DE LAS NANOESTRUCTURAS MEDIANTE LAS ONDAS EVANESCENTES. ENTRE EL CONJUNTO DE TECNICAS DE CARACTERIZACION SE UTILIZARAN PREFERENTEMENTE TECNICAS DE MICROSCOPIA ELECTRONICA, MICROSCOPIA LASER Y DE CAMPO PROXIMO, POR LO QUE UNA PARTE IMPORTANTE DE LA CARACTERIZACION TIENE LUGAR CON ALTA RESOLUCION ESPACIAL.

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