NANO-ARQUITECTURAS PARA COMPUTACION LOGICA USANDO DISPOSITIVOS EMERGENTES
ACTUALMENTE SE PUEDE OBSERVAR UNA CRECIENTE ACTIVIDAD INVESTIGADORA EN EL DESARROLLO DE TECNOLOGIAS QUE INCREMENTEN LA CAPACIDAD DE PROCESADO, MAS ALLA DE LO QUE LA TECNOLOGIA CMOS PUEDE PROPORCIONAR, CON ESTE PROYECTO SE PRETENDE...
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Descripción del proyecto
ACTUALMENTE SE PUEDE OBSERVAR UNA CRECIENTE ACTIVIDAD INVESTIGADORA EN EL DESARROLLO DE TECNOLOGIAS QUE INCREMENTEN LA CAPACIDAD DE PROCESADO, MAS ALLA DE LO QUE LA TECNOLOGIA CMOS PUEDE PROPORCIONAR, CON ESTE PROYECTO SE PRETENDE TRABAJAR EN ESA DIRECCION, CONTRIBUYENDO AL DESARROLLO DE CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN DISPOSITIVOS CONSIDERADOS ACTUALMENTE CANDIDATOS POTENCIALES PARA COMPLEMENTAR/REEMPLAZAR A LA TECNOLOGIA CMOS, NUESTRO PRINCIPAL OBJETIVO ES AMPLIAR NUESTRA EXPERIENCIA EN LA REALIZACION DE CIRCUITOS BASADOS EN ARQUITECTURAS Y/O MODELOS LOGICOS NO CONVENCIONALES QUE ESTOS DISPOSITIVOS EMERGENTES HACEN POSIBLE, EN CONCRETO, EL PROYECTO PERSIGUE CONTINUAR EL DESARROLLO DE NANO-ARQUITECTURAS PARA COMPUTACION LOGICA, OBJETIVO DE UN PROYECTO ACTIVO DEL PLAN NACIONAL EN EL QUE SE UTILIZAN DIODOS DE EFECTO TUNEL RESONANTE, ESTE NUEVO PROYECTO EMPLEA TRANSISTORES TUNEL Y MEMRISTORES (RESISTENCIAS CON MEMORIA) PARA LA IMPLEMENTACION DE ESTAS NANOARQUITECTURAS,LAS TECNOLOGIAS HIBRIDAS CMOS/MEMRISTOR PRESENTAN POTENCIAL PARA PROPORCIONAR DISEÑOS CON UNA ALTA DENSIDAD DE DISPOSITIVOS POR UNIDAD DE AREA Y CON COMPROMISOS RETRASO/CONSUMO DE ENERGIA MUY COMPETITIVOS Y SUS APLICACIONES SON MUY AMPLIAS, EN EL CAMPO DE LA COMPUTACION LOGICA, LOS MEMRISTORES POSIBILITAN EL EMPLEO, DE MANERA EFICIENTE, DE ALTERNATIVAS NO BOOLEANAS PARA LA REALIZACION DE FUNCIONES LOGICAS, NOS PROPONEMOS EMPLEAR SU RESISTENCIA CONTINUA PARA REALIZAR LOGICA UMBRAL, LO QUE PERMITIRA INCREMENTAR LA FUNCIONALIDAD DE LAS ARQUITECTURAS PREVIAMENTE PROPUESTAS QUE USAN DOS CONJUNTOS DE NANOWIRES CON MEMRISTORES OPERANDO COMO CONMUTADORES EN LAS INTERSECCIONES,LOS TRANSISTORES TUNEL SON UNO DE LOS DISPOSITIVOS DE PENDIENTE SUBUMBRAL INVERSA (SUBTHRESHOLD SLOPE, SS) MAS ATRACTIVOS, UNA SS REDUCIDA IMPLICA PODER REDUCIR LA TENSION UMBRAL SIN INCREMENTAR EXCESIVAMENTE LA CORRIENTE DE LEAKAGE, PERMITIENDO TENSIONES DE POLARIZACION EXTREMADAMENTE BAJAS Y REALIZACIONES DE CIRCUITOS MUY EFICIENTES ENERGETICAMENTE, EN ESTE PROYECTO EXPLORAMOS SU APLICACION A LA REALIZACION DE NANO-PIPELINES A NIVEL DE PUERTAS, INSPIRADAS EN LAS QUE HEMOS DESARROLLADO CON RTDS Y CUYA REALIZACION CON TRANSISTORES MOSFETS PRESENTAN LIMITACIONES POR CONSUMO EXCESIVO,LOS OBJETIVOS CONCRETOS DEL PROYECTO SON: 1) DESARROLLO DE ESTRUCTURAS REGULARES EFICIENTES PARA CIRCUITOS LOGICOS HIBRIDOS CMOS/MEMRISTOR Y 2) DESARROLLO DE NANO-ARQUITECTURAS PARA COMPUTACION LOGICA COMPETITIVAS BASADAS EN EL USO DE TRANSISTORES TUNEL, DISPOSITIVOS EMERGENETES\ MEMRISTORES\ TRANSISTORES TUNEL\ NANO-PIPELINE\ LÓGICA UMBRAL
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