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TEC2009-12686

Financiado

MODELADO DE PIXELES EN TECNOLOGIAS CMOS SUB-100NM

EL RAPIDO ESCALAMIENTO DE LA TECNOLOGIA CMOS Y EL DESARROLLO DE PROCESOS CIS (CMOS IMAGE SENSOR) OPTIMIZADOS PARA EL DESARROLLO DE SENSORES DE IMAGEN NO HA ESTADO LAMENTABLEMENTE ACOMPAÑADO DE UN ESFUERZO SIMILAR EN EL ESTUDIO DE... ver más

01/01/2009

USC

60K€

Presupuesto del proyecto: 60K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 233

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2009-01-01

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Participantes

USC

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA

Total investigadores 233

Presupuesto del proyecto 60K€

Descripción del proyecto EL RAPIDO ESCALAMIENTO DE LA TECNOLOGIA CMOS Y EL DESARROLLO DE PROCESOS CIS (CMOS IMAGE SENSOR) OPTIMIZADOS PARA EL DESARROLLO DE SENSORES DE IMAGEN NO HA ESTADO LAMENTABLEMENTE ACOMPAÑADO DE UN ESFUERZO SIMILAR EN EL ESTUDIO DE LOS PRINCIPALES FENOMENOS FISICOS QUE DOMINAN EL COMPORTAMIENTO DE LOS PIXELES EN ESTOS NODOS TECNOLOGICOS, SI BIEN EXISTEN ESTUDIOS FIABLES PARA TECNOLOGIAS CMOS DE 0,35µM Y, EN MENOR MEDIDA, 0,18µM, LA VIABILIDAD PRACTICA DE LAS IMPLEMENTACIONES EN TECNOLOGIAS DE 90NM, 65NM E INFERIORES SIGUE SIENDO DUDOSA, ESTO IMPLICA SEVERAS LIMITACIONES Y COMPROMETE ASIMISMO LOS BENEFICIOS POTENCIALES DEL ESCALAMIENTO DE LA TECNOLOGIA EN EL DESARROLLO DE NUEVOS DISPOSITIVOS Y APLICACIONES EN LOS CAMPOS DE SALUD, SEGURIDAD, TRANSPORTE Y MEDIOAMBIENTE, POR MENCIONAR ALGUNOS, ESTE PROYECTO DE INVESTIGACION TRATA DE SOLVENTAR ESTA CARENCIA AL ABORDAR LA OBTENCION DE MODELOS FISICOS FIABLES DE PIXELES Y FOTODIODOS EN TECNOLOGIAS CMOS SUB-100NM, DEL MISMO MODO, SE TENDRA EN CUENTA LA NECESIDAD DE FACILITAR EL DISEÑO DE NUEVAS ESTRUCTURAS DESDE UN PUNTO DE VISTA INDUSTRIAL TRABAJANDO EN LA TRASLACION DE ESTOS MODELOS ANALITICOS A MODELOS DE SIMULACION EN LENGUAJE DE DESCRIPCION HARDWARE TIPO VHDL-AMS PARA PODER SER USADOS EN HERRAMIENTAS CAD,LA OBTENCION DE UN MODELO FIABLE DE LOS PIXELES (ENTENDIDOS COMO LA SUMA DE FOTODIODO Y ELECTRONICA A NIVEL DE PIXEL) EN TECNOLOGIAS CMOS AVANZADAS ES, POR TANTO, ESENCIAL, ESTE SERA PRECISAMENTE NUESTRO PRIMER OBJETIVO EN EL MARCO DE ESTE PROYECTO DONDE SE ABORDARA EL MODELADO TENIENDO EN CUENTA LOS FENOMENOS CUANTICOS PRESENTES A ESCALA NANOMETRICA, DE CARA A VALIDAR EL MODELO PROPUESTO SE FABRICARAN Y CARACTERIZARAN ESTRUCTURAS EN TECNOLOGIAS DE 90NM, 65NM Y 45NM, Y LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES SE UTILIZARAN PARA AJUSTAR EL MODELO CONVENIENTEMENTE DE TAL MANERA QUE SE OBTENDRA UN MODELO DE BASE FISICA Y EMPIRICAMENTE AJUSTADO, EL OBJETIVO FINAL SERA UNA COMPLETA CARACTERIZACION DE LOS DISPOSITIVOS EN TERMINOS DE SENSIBILIDAD, INTERFERENCIA, RANGO DINAMICO, CORRIENTE EN AUSENCIA DE ILUMINACION Y RUIDO, ESTE CONOCIMIENTO NOS PERMITIRA EVALUAR LA VIABILIDAD DE IMPLEMENTACIONES EN TECNOLOGIAS DE 45NM E INFERIORES ASI COMO DETERMINAR EL LIMITE PRACTICO DE ESCALAMIENTO DE LOS PIXELES EN TECNOLOGIAS CMOS, POR OTRA PARTE, Y DESDE UN PUNTO DE VISTA DE APLICACION COMERCIAL, EL DESARROLLO DE NUEVOS DISPOSITIVOS NECESITA DE MODELOS DE SIMULACION QUE PUEDAN SER UTILIZADAS POR HERRAMIENTAS DE DISEÑO ASISTIDO POR ORDENADOR (CAD), PARA ELLO SERA NECESARIO TRASLADAR LOS MODELOS ANALITICOS PROPUESTOS A UN LENGUAJE DE DESCRIPCION HARDWARE TIPO VHDL-AMS, ESTO CONSTITUIRA EL SEGUNDO GRAN OBJETIVO DE ESTE PROYECTO DE INVESTIGACION, SENSORES DE IMAGEN CMOS\DISEÑO ANALOGICO\CIRCUITOS INTEGRADOS\NANOELECTRONICA

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