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PID2020-117498RB-I00

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MEJORA DE LA RESPUESTA DE FOTODETECTORES DE IR BASADOS EN SEMICONDUCTORES DEL GR...

MEJORA DE LA RESPUESTA DE FOTODETECTORES DE IR BASADOS EN SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV HIPERDOPADOS EL OBJETIVO GENERAL DE ESTE PROYECTO ES DESARROLLAR Y FABRICAR DETECTORES DE INFRARROJO (IR) PARA LOS RANGOS SWIR Y MWIR, BASADOS EN SI Y GE HIPERDOPADOS, QUE OPEREN A TEMPERATURA AMBIENTE (O CERCA, PARA EL MWIR), Y CON FOTORRESPU... ver más

01/01/2020

UCM

105K€

Presupuesto del proyecto: 105K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3278

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3278

Presupuesto del proyecto 105K€

Descripción del proyecto EL OBJETIVO GENERAL DE ESTE PROYECTO ES DESARROLLAR Y FABRICAR DETECTORES DE INFRARROJO (IR) PARA LOS RANGOS SWIR Y MWIR, BASADOS EN SI Y GE HIPERDOPADOS, QUE OPEREN A TEMPERATURA AMBIENTE (O CERCA, PARA EL MWIR), Y CON FOTORRESPUESTA MEJORADA CON RESPECTO A LOS FOTODETECTORES DESARROLLADOS PREVIAMENTE CON ESTOS ELEMENTOS. NOS ENFOCAMOS EN SI Y GE DEBIDO A SU BAJO COSTE COMPARADO CON OTRAS TECNOLOGIAS, SU COMPATIBILIDAD CMOS, PERMITIENDO UNA INTEGRACION SENCILLA CON FPA CON CIRCUITERIA DE LECTURA Y PORQUE NO SON ELEMENTOS TOXICOS O RAROS. PARA CONSEGUIR ESTE OBJETIVO SE PROPONEN DOS LINEAS DE INVESTIGACION: PARA LOS FOTODETECTORES DE SILICIO PROPONEMOS DOS NUEVAS APROXIMACIONES TECNOLOGICAS PARA LA OBTENCION DE CAPAS HIPERDOPADAS ACTIVAS, BUSCANDO UN INCREMENTO DEL ESPESOR HASTA 2-3 µM (MAS DE UN ORDEN DE MAGNITUD CON RESPECTO A LA TECNOLOGIA DESARROLLADA PREVIAMENTE BASADA EN IMPLANTACION IONICA Y PROCESADO CON LASER PULSADO), MANTENIENDO UN ALTO COEFICIENTE DE ABSORCION EN EL SWIR (10E4 CM-1) Y ALTA CALIDAD CRISTALINA, PARA UN INCREMENTO GENERAL DE LA ABSORCION. LA PRIMERA TECNICA CONSISTE EN UN NOVEDOSO DEPOSITO POR SPUTTERING COMBINADO CON PROCESADO LASER IN SITU. ESTA PROPUESTA SE APOYA EN LA EXPERIENCIA DEL GRUPO EN SPUTTERING, INCLUYENDO RESULTADOS PREVIOS DE SI SUPERSATURADO CON TI, Y EN RESULTADOS DE RECRISTALIZACION DE LAMINAS DEPOSITADAS. LA SEGUNDA APROXIMACION SERA UNA INVESTIGACION DEL POTENCIAL DEL RECOCIDO POR MICROONDAS PARA PRODUCIR LAMINAS HIPERDOPADAS GRUESAS, BASADA EN LA POSIBILIDAD DE QUE ESTA TECNICA SE CONFIGURE PARA SER VOLUMETRICA, Y EN LOS RESULTADOS REPORTADOS SOBRE LA RECRISTALIZACION DE SI, GE Y GE-ON-SI. PARA ESTA TAREA, SE PROPONE UNA COLABORACION INTERNACIONAL CON EL TAIWAN SEMICONDUCTOR RESEARCH INSTITUTE. PARA LOS FOTODETECTORES DE GE EMPEZAREMOS CON LOS DOS FOTODIODOS FUNCIONALES YA DESARROLLADOS DURANTE UNA COLABORACION INTERNACIONAL: GE TIPO N HIPERDOPADO CON CALCOGENUROS SOBRE SUSTRATO DE GE TIPO P, Y GE TIPO P HYPERDOPADO CON AU SOBRE SUSTRATO DE GE TIPO N. SE HA VERIFICADO LA FOTORRESPUESTA EN EL SWIR A TEMPERATURA AMBIENTE PARA AMBOS PROTOTIPOS. EL TRABAJO PROPUESTO ES LA OPTIMIZACION DE ESTOS DISPOSITIVOS MEDIANTE UN ANALISIS SISTEMATICO DE LA INFLUENCIA DE LAS CONDICIONES DE OBTENCION DEL MATERIAL HIPERDOPADO MEDIANTE IMPLANTACION (TEMPERATURA, DOSIS, ENERGIA) Y EL RECOCIDO LASER (FLUENCIA) O EL RECOCIDO FLASH, ADEMAS DE MEDIANTE LA OPTIMIZACION DE LA GEOMETRIA Y LAS TECNOLOGIAS DE FABRICACION (CONTACTOS, PASIVACION, CAPA ANTIRREFLECTANTE). ADEMAS, LA INTEGRACION CMOS SERA ANALIZADA. LAS COLABORACIONES INTERNACIONALES VIGENTES SERAN REFORZADAS EN ESTA LINEA DE INVESTIGACION. LA INVESTIGACION PROPUESTA BUSCA PROVEER DE SOLUCIONES PARA EL RETO DE LA SOCIEDAD 8 DE SEGURIDAD, PROTECCION Y DEFENSA, DESARROLLANDO FOTODETECTORES DE BAJO COSTE COMPATIBLES CON CMOS PARA LOS RANGOS SWIR Y MWIR, CON VENTAJAS COMPETITIVAS PARA VIGILANCIA CON RESPECTO A OTRAS TECNOLOGIAS COMO LOS MICROBOLOMETROS TERMICOS LWIR. ADEMAS, LOS CAMPOS DE APLICACION DE LOS DETECTORES PODRIA EXTENDERSE A VARIOS CAMPOS DE PRIORIDAD DE OTROS RETOS, INCLUYENDO DIAGNOSIS E IMAGEN MEDICA, SENSORES Y CAMARAS PARA VEHICULOS AUTONOMOS Y SENSORES PARA INTERNET DE LAS COSAS. SE ESPERA QUE LA NOVEDAD DE LAS TECNOLOGIAS PROPUESTAS COMBINADA CON EL INTERES DE LOS DISPOSITIVOS OBJETIVOS TENDRA UN GRAN IMPACTO EN LA COMUNIDAD CIENTIFICA Y TECNOLOGICA Y QUE PRODUCIRA RESULTADOS SUSCEPTIBLES DE TRANSFERIR A LA INDUSTRIA. ILICIO\MICROONDAS\LASER\HYPERDOPADO\INFRARROJOS\GERMANIO

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