Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

MAT2008-02350

Financiado

AJUSTE LOCAL DE PARAMETROS DE RED EN SUBSTRATOS VIRTUALES CON ALTO CONTENIDO DE...

AJUSTE LOCAL DE PARAMETROS DE RED EN SUBSTRATOS VIRTUALES CON ALTO CONTENIDO DE GERMANIO: PROCESAMIENTO LASER PARA NUEVOS CONCEPTOS DE DISPOSITIVOS MICRO Y OPTOELECTRONICOS EL OBJETIVO DEL PROYECTO PROPUESTO ES OBTENER LOCALMENTE CAPAS EPITAXIALES ULTRAFINAS DE GERMANIO (GE) CON CIERTO CONTENIDO DE ESTAÑO (SN) SOBRE OBLEAS DE SILICIO SI(100) CONVENCIONALES, LAS PELICULAS SERAN PRODUCIDAS, UTILIZANDO... ver más

01/01/2008

UVIGO

61K€

Presupuesto del proyecto: 61K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDADE DE VIGO No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 409

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

0% 100%

Participantes

UVIGO

Lider

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Proyectos interesantes

MAT2011-24077 INGENIERIA DE MATERIALES PARA NUEVOS DISPOSITIVOS MICROELECT... 90K€ Cerrado

AGATE DEVELOPMENT OF ADVANCED GAN TECHNOLOGIES 60M€ Cerrado

MAT2011-22536 EPITAXIA AVANZADA DE SEMICONDUCTORES III-V PARA DISPOSITIVOS... 70K€ Cerrado

TEC2017-84378-R FOTODETECTORES PARA INFRARROJO CERCANO Y MEDIO BASADOS EN SE... 231K€ Cerrado

TEC2014-60173-C2-1-R INGENIERIA DE BANDAS CON NUEVAS ESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTOR... 107K€ Cerrado

GDSNL The Process of GaN-on-diamond with Si-based nanolayer SAB te... 173K€ Cerrado

Líder del proyecto

UNIVERSIDADE DE VIGO No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 409

Presupuesto del proyecto 61K€

Descripción del proyecto EL OBJETIVO DEL PROYECTO PROPUESTO ES OBTENER LOCALMENTE CAPAS EPITAXIALES ULTRAFINAS DE GERMANIO (GE) CON CIERTO CONTENIDO DE ESTAÑO (SN) SOBRE OBLEAS DE SILICIO SI(100) CONVENCIONALES, LAS PELICULAS SERAN PRODUCIDAS, UTILIZANDO TECNICAS CONVENCIONALES DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (INTEGRATED CIRCUITS, IC) COMBINADAS CON PROCEDIMIENTOS ALTERNATIVOS ASISTIDOS POR LASER EXCIMERO DE ARF (193NM, 25NS), PARA OBTENER ESTRUCTURAS HETEROEPITAXIALES CON GRADIENTES DE CONCENTRACION Y DE PARAMETROS DE RED ADAPTADOS SEGUN LA NECESIDAD, EL PROCESO COMBINADO CONSISTIRA EN DOS PASOS, EN EL PRIMERO DE ELLOS SE LLEVARA A CABO EL CRECIMIENTO DE LAS DELGADAS ESTRUCTURAS MULTICAPA, EN REGIONES BIEN DEFINIDAS CON TAMAÑOS DE DISEÑO NANO O MICROMETRICO Y EN GRANDES AREAS, MEDIANTE DEPOSITO QUIMICO EN FASE VAPOR INDUCIDO POR LASER (LASER INDUCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, LCVD) Y EVAPORACION TERMICA O EPITAXIA POR HAZ MOLECULAR (MOLECULAR BEAM EPITAXY, MBE), EL SEGUNDO PASO TENDRA COMO OBJETIVO REALIZAR EL ENTREMEZCLADO DE LOS ELEMENTOS Y EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE LA ALEACION RESULTANTE, ESTE SE LLEVARA A CABO A TRAVES DE PROCESOS ULTRARRAPIDOS DE FUSION-RE-SOLIDIFICACION, IRRADIANDO LAS ESTRUCTURAS MULTICAPA CON PULSOS DE UN LASER EXCIMERO DE ARF PRODUCIENDO UN PROCESO TAMBIEN CONOCIDO COMO EPITAXIA INDUCIDA POR LASER PULSADO (PULSED LASER INDUCED EPITAXY, PLIE), EL USO DE RADIACION LASER CON UNA CORTA LONGITUD DE ONDA (193 NM) NOS PERMITIRA TRATAR ZONAS SUPERFICIALES CON MUY POCA PENETRACION EN EL MATERIAL, TANTO SOBRE ZONAS CON GRAN EXTENSION LATERAL, O CON TAMAÑO MICROMETRICO UTILIZANDO, PARA ESTE ULTIMO CASO, SISTEMAS DE PROYECCION DE MASCARAS, SE LLEVARA A CABO UN ANALISIS DETALLADO DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS, EN PARTICULAR DE LOS PARAMETROS DE RED, MEDIANTE ESPECTROSCOPIA RAMAN DE ALTA RESOLUCION Y MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION (TRANSMISION ELECTRONIC MICROSCOPY, TEM) EN SECCION TRANSVERSAL, TAMBIEN DE ALTA RESOLUCION, LA COMPOSICION DE LAS HETEROESTRUCTURAS SE OBTENDRA MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE FOTOELECTRONES (X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY, XPS) Y ESPECTROMETRIA DE MASAS POR IONES SECUNDARIOS EN TIEMPO DE VUELO (TIME OF FLIGHT - SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY, TOF-SIMS), TAMBIEN SE REALIZARAN ANALISIS COMPLEMENTARIOS PARA COMPLETAR EL ESTUDIO MEDIANTE TECNICAS DE GRAN RELEVANCIA COMO LA DIFRACCION DE RAYOS X (X-RAY DIFFRACTION, XRD), ELIPSOMETRIA ESPECTROSCOPICA, ESPECTROSCOPIA INFRARROJA O DE RETRODISPERSION RUTHERFORD (RUTHERFORD BACKSCATTERING, RBS), LA IDEA BASICA ES OBTENER SUPERFICIES DE GE CON EL ESTRES ADECUADO Y PARAMETROS DE RED GRANDES A TRAVES DE 'STRAIN ENGINEERING' PARA OBTENER HETEROESTRUCTURAS QUE SEAN VALIDAS COMO SUSTRATOS VIRTUALES SOBRE SI(100), DICHO TIPO DE SUSTRATOS VIRTUALES PERMITIRAN EL CRECIMIENTO DE GERMANIO ESTRESADO HETEROEPITAXIAL O DE SEMICONDUCTORES DE LOS GRUPOS III/V SOBRE OBLEAS DE SILICIO CONVENCIONALES, LO QUE LOS CONVIERTE POR TANTO EN UNA PROMETEDORA SOLUCION PARA COMBINAR LAS TECNICAS ACTUALES DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS CON NUEVOS CONCEPTOS DE DISEÑO DE DISPOSITIVOS MICRO Y OPTOELECTRONICOS, Substratos virtuales\Procesamiento localizado\Silicio (Si)\Germanio (Ge)\Estaño (Sn)\Heteroepitaxia\Laseres de UV\LCVD\PLIE\Ingeniería de materiales

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidé mi contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores