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MAT2011-24077

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INGENIERIA DE MATERIALES PARA NUEVOS DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS Y FOTONICOS:...

INGENIERIA DE MATERIALES PARA NUEVOS DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS Y FOTONICOS: PROCESAMIENTO LASER PARA ACTIVAR BORO EN ALEACIONES DE GERMANIO CON ESTAÑO EL OBJETIVO DEL PROYECTO PROPUESTO ES ESTUDIAR LA ACTIVACION DE BORO (B) EN ALEACIONES HETEROEPITAXIALES DE GERMANIO-ESTAÑO DOPADO (P-GESN). LAS ALEACIONES SERAN PRODUCIDAS, COMBINANDO TECNICAS CONVENCIONALES DE FABRICACION DE CIR... ver más

01/01/2011

UVIGO

90K€

Presupuesto del proyecto: 90K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDADE DE VIGO No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 413

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2011-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

UVIGO

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDADE DE VIGO No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 413

Presupuesto del proyecto 90K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL OBJETIVO DEL PROYECTO PROPUESTO ES ESTUDIAR LA ACTIVACION DE BORO (B) EN ALEACIONES HETEROEPITAXIALES DE GERMANIO-ESTAÑO DOPADO (P-GESN). LAS ALEACIONES SERAN PRODUCIDAS, COMBINANDO TECNICAS CONVENCIONALES DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (INTEGRATED CIRCUITS, IC) CON PROCESOS ASISTIDOS POR LASERES DE EXIMERO (193NM@25NS) Y DE ND:YAG (266NM, 355NM Y 532NM@ 5-10 NS). DICHAS ALEACIONES HETEROEPITAXIALES TENDRAN PARAMETROS DE RED ADAPTADOS SEGUN LAS APLICACIONES ESPECIFICAS Y EFICIENCIA DE DOPANTES MEJORADA. EL PROCESO DE PRODUCCION PROPUESTO, CONSISTIRA EN DOS PASOS: PRIMERO, EL CRECIMIENTO DE DIFERENTES TIPOS DE CAPAS DELGADAS (GESN, GESN CON B IMPLANTADO Y GESN DOPADO IN SITU) O ESTRUCTURAS MULTICAPA (GE/SN/GE) POR CVD, SPUTTERING O EPITAXIA POR HAZ MOLECULAR (MBE). ESTE PROCESO SERA SEGUIDO POR UN TRATAMIENTO LASER PARA MEJORAR LA ESTRUCTURA EPITAXIAL Y AUMENTAR LA EFICIENCIA DE DOPAJE EN LAS ALEACIONES PRODUCIDAS. ESTE SEGUNDO PASO SERA REALIZADO MEDIANTE PROCESOS DE CALENTAMIENTO ULTRA-RAPIDOS QUE SE LOGRAN IRRADIANDO LAS PELICULAS O LAS MULTICAPAS CON PULSOS LASER DE CORTA DURACION (5-25NS), PRODUCIDOS POR LOS LASERES ANTERIORMENTE MENCIONADOS. CON ESTE PROCESO SE PRETENDE ACTIVAR EL BORO PARA AUMENTAR LA EFICIENCIA DE DOPAJE Y SUBSANAR LA POSIBLE AMORFIZACION PARCIAL PRODUCIDA POR TECNICAS CONVENCIONALES, A LA VEZ QUE SE EVITE LA SEGREGACION DEL SN. LOS PARAMETROS CLAVE SON LA CORTA DURACION DE PULSO LASER (5-25NS) Y EL CUIDADOSO AJUSTE DE LA DENSIDAD DE ENERGIA EMPLEADA PARA PRODUCIR CICLOS DE CALENTAMIENTO Y ENFRIAMIENTO ULTRA-RAPIDOS QUE NO PERMITAN LA EXCESIVA DIFUSION DEL SN Y LA FORMACION DE CLUSTER DE SN. DICHO TRATAMIENTO LASER, QUE HA YA SIDO EMPLEADO CON EXITO TANTO PARA LA ACTIVACION DE BORO EN SILICIO COMO PARA EL AJUSTE DE LOS PARAMETROS DE RED EN ESTRUCTURAS DE SIGE, ES CONOCIDO COMO RECOCIDO LASER (LASER ANNEALING, LA), SI LA DENSIDAD DE ENERGIA PERMITE PRODUCIR GRADIENTES DE TEMPERATURA DEBAJO DEL PUNTO DE FUSION Y EPITAXIA INDUCIDA POR LASER PULSADO (PULSED LASER INDUCED EPITAXY, PLIE), SI LA DENSIDAD DE ENERGIA PRODUCE PROCESOS ULTRARRAPIDOS DE FUSION Y RESOLIDIFICACION. SE ESTUDIARA EL USO DE RADIACION DE 193 NM Y 266 NM CON PARTICULAR INTERES, YA QUE DICHA RADIACION PERMITIRA TRATAR ZONAS SUPERFICIALES TANTO SOBRE ZONAS CON GRANDES EXTENSIONES LATERALES, COMO CON TAMAÑO MICROMETRICO UTILIZANDO, PARA ESTE ULTIMO CASO, SISTEMAS DE PROYECCION DE MASCARAS. EL DETALLADO ANALISIS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS, PARTICULARMENTE DE LOS PARAMETROS DE RED Y DE LA POSIBLE SEGREGACION DE SN, SE LLEVARA A CABO PRINCIPALMENTE MEDIANTE ESPECTROSCOPIA RAMAN Y MICROSCOPIA ELECTRONICA DE TRANSMISION (TEM) EN SECCION TRANSVERSAL, ESPECTROSCOPIA DE FOTOELECTRONES (XPS) Y ESPECTROMETRIA DE MASAS POR IONES SECUNDARIOS EN TIEMPO DE VUELO (TOF-SIMS). TAMBIEN SE REALIZARAN ANALISIS COMPLEMENTARIOS MEDIANTE DIFRACCION DE RAYOS X (XRD), ELIPSOMETRIA ESPECTROSCOPICA, ESPECTROSCOPIA INFRARROJA O DE RETRODISPERSION RUTHERFORD (RBS). LAS PROPIEDADES ELECTRICAS SE ESTUDIARAN MEDIANTE MEDIDAS FOUR POINT PROBE Y DE EFECTO HALL. LAS APLICACIONES PRINCIPALES DE ESTOS MATERIALES ESTAN RELACIONADAS CON LOS DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS U OPTOELECTRONICOS Y SUS COMPONETES, COMO LOS UNIAXIAL COMPRESSIVE STRESSORS PARA CANALES DE GE EN DISPOSITIVOS P-MOSFET DE GE, DETECTORES DE INFRARROJO CERCANO Y COMO INTERFAZ IDEAL ENTRE LA TECNOLOGIA DE SI Y LOS SEMICONDUCTORES DE TIPO III/V PARA EL DESARROLLO DE NUEVOS CONCEPTOS DE DISPOSITIVOS. ROCESAMIENTO LOCALIZADO\FOTOVOLTAICA\MICROELECTRONICA\INGENIERIA DE MATERIALES\PROCESAMIENTO LASER DE UV\HETEROEPITAXIA\ESTAÑO (SN)\GERMANIO (GE)\SILICIO (SI)\SEMICONDUCTORES GRUPO IV

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