Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

PCI2021-122092-2A

Financiado

MAKING NEW ELECTRONIC DEVICES FROM AMORPHOUS MATERIALS

LOS MATERIALES 2D EXHIBEN PROPIEDADES PROMETEDORAS PARA AREAS INDUSTRIALES EUROPEAS CLAVE, INCLUIDAS LAS TECNOLOGIAS DE COMUNICACION Y COMPUTACION DE ALTA VELOCIDAD. SIN EMBARGO, CENTRADAS PRINCIPALMENTE EN MATERIALES CRISTALINOS,... ver más

01/01/2021

FUNDACIO INSTITUT...

142K€

Presupuesto del proyecto: 142K€

Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

0% 100%

Participantes

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE...

Lider

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Proyectos interesantes

PID2021-122511OB-I00 DISPOSITIVOS DE ESPIN CON BAJA DIMENSIONALIDAD 411K€ Cerrado

PLEC2022-009381 Integración a gran escala de dispositivos optoelectrónicos 2... 123K€ Cerrado

TEC2009-11399 DIAMANTE PARA DISPOSITIVOS DE POTENCIA 218K€ Cerrado

F2GO Fluorides for 2D Next-Generation Nanoelectronics 2M€ Cerrado

TEC2017-89800-R FABRICACION, CARACTERIZACION Y MODELADO DE DISPOSITIVOS ELEC... 175K€ Cerrado

BES-2012-057346 TRANSPORTE ELECTRICO A TRAVES DE MOLECULAS INDIVIDUALES Y PR... 43K€ Cerrado

Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

Presupuesto del proyecto 142K€

Descripción del proyecto LOS MATERIALES 2D EXHIBEN PROPIEDADES PROMETEDORAS PARA AREAS INDUSTRIALES EUROPEAS CLAVE, INCLUIDAS LAS TECNOLOGIAS DE COMUNICACION Y COMPUTACION DE ALTA VELOCIDAD. SIN EMBARGO, CENTRADAS PRINCIPALMENTE EN MATERIALES CRISTALINOS, ESTAS APLICACIONES ESTAN ACTUALMENTE LIMITADAS POR LA FALTA DE METODOS DE SINTESIS DIRECTOS Y REPRODUCIBLES DE BAJO COSTO, DEBIDO AL CRECIMIENTO A ALTA TEMPERATURA. RECIENTEMENTE, SE HA DEMOSTRADO QUE LOS MATERIALES 2D ESTRUCTURALMENTE DESORDENADOS, PRODUCIDOS A TEMPERATURAS MUCHO MAS BAJAS, MANIFIESTAN UN ALTO GRADO DE UNIFORMIDAD EN GRANDES AREAS Y PROPIEDADES DE RENDIMIENTO PARA APLICACIONES. SE HA VISTO QUE EL NITRURO DE BORO AMORFO (ABN) EXHIBE UNA CONSTANTE DIELECTRICA ULTRABAJA Y UN EXCELENTE RENDIMIENTO DE EMISION DE CAMPO, SIENDO ADECUADO PARA TECNOLOGIAS DE INTERCONEXION Y ELECTRONICA DE ALTO RENDIMIENTO, COMO DISPOSITIVOS DIELECTRICOS FLEXIBLES O RAM.MINERVA TIENE COMO OBJETIVO CRECER PELICULAS DELGADAS DE ABN EN UNA GRAN SUPERFICIE SOBRE VARIOS SUSTRATOS Y EVALUAR SUS PROPIEDADES COMO RECUBRIMIENTOS PARA APLICACIONES TERMICAS, ELECTRONICAS Y ESPINTRONICAS. SE PRESTARA ESPECIAL ATENCION PARA LOGRAR UN CONTROL A NANOESCALA DE LA AMORFIDAD, EL GROSOR DE LAS PELICULAS, ASI COMO LA TASA DE DOPAJE Y LA INTERACCION DEL SUSTRATO. LA RELACION ENTRE EL PROCESAMIENTO Y LA ESTRUCTURA ATOMICA SE ESTUDIARA MEDIANTE UNA COMBINACION ADECUADA DE TECNICAS ANALITICAS. EL MODELO PARA COMPRENDER LAS ESTRUCTURAS Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES APOYARA Y VALIDARA LOS EXPERIMENTOS EN CADA ETAPA. LAS PROPIEDADES FISICAS ESPERADAS DE TALES CAPAS DEPOSITADAS, JUNTO CON LA VERSATILIDAD Y ADAPTABILIDAD EN EL PROCESAMIENTO DE MATERIALES, ASI COMO LA COBERTURA UNIFORME Y DE GRAN AREA A BAJA TEMPERATURA, DEBERIAN PERMITIR SU INTEGRACION COMO COMPONENTES ELECTRONICOS EN LOS ULTIMOS SISTEMAS NANOELECTRONICOS. MAS CONCRETAMENTE, SE ESTUDIARA EL VALOR AÑADIDO DEL ABN A GRAN ESCALA PARA DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVOS, UNIONES DE TUNELES MAGNETICOS Y BARRERAS DE TUNELES DE INYECCION DE ESPIN. SE EXPLORARA EN DETALLE LA POSIBLE DEPENDENCIA DE LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DEL ABN EN CONTACTO CON LOS ELECTRODOS FERROMAGNETICOS, PREDICIENDO EL POSIBLE POTENCIAL FRUCTIFERO DE LA MANIPULACION DEL ESPIN POR EFECTO DE PROXIMIDAD EN LA INTERFAZ HIBRIDADA ABN / FERROMAGNET. SE ESPERA QUE ESTO GENERE NUEVOS CONOCIMIENTOS CIENTIFICOS SOBRE EL TRANSPORTE DE CARGA Y ESPIN A TRAVES DE NOVEDOSAS UNIONES HIBRIDAS 2D. ADEMAS, ESTOS MATERIALES ABN RECIENTEMENTE AJUSTADOS, SOBRE LOS QUE AUN NO SE HAN REALIZADO ESTUDIOS DENTRO DEL GRAPHENE FLAGSHIP, SE AGREGARAN A LA BASE DE DATOS DE MUESTRAS Y MATERIALES COMO REFERENCIAS ESTANDAR. ATERIALES 2D\TRANSPORTE TERMICO\TRANSPORTE DE SPIN\BORON NITRIDE AMORFO (ABN)

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidé mi contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores