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PCIN-2013-076

Financiado

LINEA PILOTO PARA TECNOLOGIAS DE MEMORIAS NO VOLATILES AVANZADAS PARA MICROCONTR...

LINEA PILOTO PARA TECNOLOGIAS DE MEMORIAS NO VOLATILES AVANZADAS PARA MICROCONTROLADORES DE AUTOMOCION, APLICACIONES DE ALTA SEGURIDAD Y ELECTRONICA GENERAL. EL OBJETIVO DEL PROYECTO PANACHE ES PONER EN MARCHA UNA LINEA PILOTO PARA EL DISEÑO Y FABRICACION DE MEMORIAS NO VOLATILES FLASH EN EL MARCO DE UNA PLATAFORMA DE PROTOTIPADO DE MICROCONTROLADORES INNOVADORES EN EUROPA, LA ACTUAL P... ver más

01/01/2013

UAB

25K€

Presupuesto del proyecto: 25K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1264

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01

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Participantes

UAB

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA

Total investigadores 1264

Presupuesto del proyecto 25K€

Descripción del proyecto EL OBJETIVO DEL PROYECTO PANACHE ES PONER EN MARCHA UNA LINEA PILOTO PARA EL DISEÑO Y FABRICACION DE MEMORIAS NO VOLATILES FLASH EN EL MARCO DE UNA PLATAFORMA DE PROTOTIPADO DE MICROCONTROLADORES INNOVADORES EN EUROPA, LA ACTUAL PLATAFORMA TECNOLOGICA DE 40 NM, ASI COMO LA YA DEFINIDA PLATAFORMA TECNOLOGICA DE 55 NM SE DESARROLLARAN Y CONSOLIDARAN PARA DAR LUGAR A UNA PLATAFORMA SOLIDA DE FABRICACION EN ESTOS NODOS TECNOLOGICOS, EL PROYECTO PRETENDE TAMBIEN LA CONSTRUCCION DE LOS BLOQUES BASICOS PARA EL NODO TECNOLOGICO SIGUIENTE AL DE LOS 40 NM, CON LA AMBICION DE ALCANZAR UNA FASE DE PROTOTIPADO MADURO PARA UNA NUEVA ARQUITECTURA DE MEMORIA NO VOLATIL IMPLEMENTADA EN LA FASE BEOL (BACK-END OF THE LINE) Y ADECUADA PARA EL NODO TECNOLOGICO DE LOS 28 NM, PARA ALCANZAR ESTOS OBJETIVOS DE GENERAR CIRCUITOS SEMICONDUCTORES CON ALTO VALOR AÑADIDO EN EUROPA, A TRAVES DE DESARROLLOS TECNOLOGICOS DE VANGUARDIA EN EL AMBITO DE LAS MEMORIAS NO VOLATILES ENCASTADAS, EL PROYECTO DESARROLLARA TODAS LAS ACTIVIDADES NECESARIAS PARA LLEVAR LA NUEVA TECNOLOGIA A UN ESTADO DE MADUREZ INDUSTRIAL INICIAL, ESTAS ACTIVIDADES INCLUYEN LOS DESARROLLOS Y MEJORAS TECNOLOGICAS NECESARIAS PARA CUMPLIR ESPECIFICACIONES DE VARIAS APLICACIONES ESTRATEGICAS, EN ESTE SENTIDO SE APUNTA A CONSEGUIR CIRCUITOS QUE FUNCIONEN EN UN AMPLIO MARGEN DE TEMPERATURA DE OPERACION Y ELEVADA FIABILIDAD, CUMPLIENDO ASI MISMO REQUERIMIENTOS DE ALTA SEGURIDAD Y ELEVADA FLEXIBILIDAD, ESTOS DESARROLLOS DEBIERAN PERMITIR EL DISEÑO Y DESARROLLO CON EXITO (POR PRIMERA VEZ EN TECNOLOGIA DE SILICIO DE PROTOTIPOS DEMOSTRADORES DE PRODUCTO EN DIFERENTES AREAS DE APLICACION ESTRATEGICA QUE INCLUYEN: AUTOMOCION, ELECTRONICA DE CONSUMO E INDUSTRIAL, APLICACIONES MEDICAS Y DE ELEVADA SEGURIDAD, ASEGURANDO LA FIABILIDAD DE LA TECNOLOGIA Y DEL DISEÑO, EN ESTE CONTEXTO, EL EQUIPO INVESTIGADOR DE LA UAB CONCENTRARA SUS ESFUERZOS EN AMPLIAR EL CONOCIMIENTO DE LOS MECANISMOS FISICOS DE FUNCIONAMIENTO DE MEMORIAS NO VOLATILES EMERGENTES BASADAS EN DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVA DE DOS TERMINALES (RRAM), EN PARTICULAR, EN ESTE PROYECTO SE APUNTA A LA COMPRENSION Y MODELADO DE LAS PROPIEDADES DE CONDUCCION FILAMENTAR Y A ESTABLECER UNA CONEXION ENTRE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE LOS FILAMENTOS Y SU ESTRUCTURA A NIVEL MICROSCOPICO, SE CONSIDERARA TAMBIEN LA FISICA Y EL MODELADO DE LOS PROCESOS DE SET Y RESET, INCLUYENDO SU VARIABILIDAD ESTADISTICA EN DIVERSOS MODOS DE CONMUTACION, EL EQUIPO DE LA UAB SE CONCENTRARA TAMBIEN EN LA COMPRENSION Y MODELADO DE LAS PRESTACIONES DE LOS DISPOSITIVOS RRAM TRABAJANDO A DISTINTOS NIVELES DE CONSUMO DE POTENCIA (QUE ESTAN RELACIONADOS CON DISTINTOS TAMAÑOS DEL FILAMENTO CONDUCTOR), TRABAJANDO POR ELLO EN COLABORACION CON OTROS PARTNERS EUROPEOS EN LA EXPLOTACION EXPERIMENTAL DE ESTRUCTURAS 1T/1R,

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