INTERCONVERSION ESPIN-CARGA EN HETEROESTRUCTURAS DE OXIDOS PARA DISPOSITIVOS SOT
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Descripción del proyecto
EL FUNCIONAMIENTO DE LA SOCIEDAD ACTUAL REQUIERE EL PROCESADO Y ALMACENAMIENTO DE GRANDES CANTIDADES DE INFORMACION. EL DESARROLLO DE LA MICROELECTRONICA EN LOS ULTIMOS AÑOS HA PERMITIDO MANTENER UNAS PRESTACIONES ADECUADAS PARA SATISFACER UNA DEMANDA CADA VEZ MAYOR. SIN EMBARGO, LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (CI) ES CADA VEZ MAS DIFICIL Y COSTOSA, HACIENDO NECESARIO EL DESARROLLO DE VIAS ALTERNATIVAS CON NUEVOS CONCEPTOS Y PARADIGMAS. LA ESPINTRONICA, QUE UTILIZA LOS GRADOS DE LIBERTAD DE CARGA Y ESPIN PARA ALMACENAR, TRANSMITIR Y PROCESAR INFORMACION, PODRIA SER EL NUEVO PARADIGMA PARA EL DESARROLLO DE UNA ELECTRONICA MULTIFUNCIONAL CON UNA EFICIENCIA ENERGETICA MUY MEJORADA.UNA DE LAS PRINCIPALES APLICACIONES DE LA ESPINTRONICA ES LA MANIPULACION ELECTRICA DEL MOMENTO MAGNETICO DE UN FERROMAGNETO (FM), DE GRAN IMPORTANCIA PARA LA ESCALABILIDAD DEL DISPOSITIVO Y LA REDUCCION DEL CONSUMO DE ENERGIA. LA ESPINTRONICA PROPORCIONA MEMORIAS NO VOLATILES CON UNA DURABILIDAD CASI ILIMITADA Y ALTA VELOCIDAD. ADEMAS, LAS MEMORIAS NO VOLATILES BASADAS EN LA ESPINTRONICA, ES DECIR, LAS MEMORIAS MRAM, PUEDEN REDUCIR DRASTICAMENTE EL CONSUMO DE ENERGIA DE LOS CIS SIN PERDER SUS ALTAS PRESTACIONES. UNA TECNICA PROMETEDORA PARA LA MANIPULACION ELECTRICA DE LA MAGNETIZACION, BASADA EN EL ACOPLAMIENTO ESPIN-ORBITA (SOC), ES EL PAR ESPIN-ORBITA (SOT) QUE, ADEMAS, PERMITE CONMUTAR LA MAGNETIZACION EN AISLANTES (I) Y ANTIFERROMAGNETOS (AF). EL INGREDIENTE CLAVE DEL SOT ES LA INTERCONVERSION ESPIN-CARGA QUE SE MIDE A TRAVES DEL ANGULO HALL DE ESPIN QSH, DEFINIDO COMO LA RELACION ENTRE LAS CONDUCTIVIDADES DE ESPIN Y CARGA. DADO QUE EL SOC AUMENTA CON EL NUMERO ATOMICO, LOS METALES PESADOS (HM) 4D Y 5D SUELEN TENER UN QSH GRANDE, MIENTRAS QUE SUELE SER BAJO EN LOS 3D. SIN EMBARGO, RESULTADOS RECIENTES INDICAN QUE ALGUNOS OXIDOS DE METALES DE TRANSICION (TMOS) PRESENTAN VALORES DE QSH NOTABLES CON RESISTIVIDADES MODERADAS, LO QUE LOS CONVIERTE EN CANDIDATOS PROMETEDORES COMO MATERIALES SPIN-HALL. ADEMAS, LOS TMOS MUESTRAN UN FUERTE ACOPLAMIENTO ENTRE LOS GRADOS DE LIBERTAD DE RED, ORBITA, ESPIN Y CARGA, ABRIENDO ASI NUEVAS VIAS PARA LA INGENIERIA DE LA CONVERSION ESPIN-CARGA. LOS TMOS HAN MOSTRADO ADEMAS VARIAS FUNCIONALIDADES, (MULTIFERROICIDAD, SUPERCONDUCTIVIDAD DE ALTA TC, ETC.). POR LO TANTO, EL DESCUBRIMIENTO DE BUENOS MATERIALES ESPIN-HALL ENTRE LOS TMOS ABRIRIA UN AMPLIO ABANICO DE POSIBILIDADES PARA COMBINAR CONVERSION DE ESPIN-CARGA CON OTRAS FUNCIONALIDADES.ESTE PROYECTO ESTA DIRIGIDO AL ESTUDIO BASICO DE DIFERENTES ASPECTOS RELACIONADOS CON LOS PROCESOS DE INTERCONVERSION CARGA-ESPIN, PRINCIPALMENTE EN TMOS, CON VISTAS A SU APLICACION EN DISPOSITIVOS BASADOS EN SOT. EN PARTICULAR, NUESTRO INTERES SE CENTRA EN EL ESTUDIO DE LOS ASPECTOS BASICOS RELACIONADOS CON LA GENERACION Y DETECCION DE CORRIENTES PURAS DE ESPIN POR BOMBEO DE ESPIN (SP), EFECTO HALL DE ESPIN (SHE), EFECTO HALL DE ESPIN INVERSO (ISHE) Y MAGNETORRESISTENCIA HALL DE ESPIN (SMR) EN HETEROESTRUCTURAS DEL TIPO NM/FM Y FM/AF/NM Y SU RELACION CON LAS PROPIEDADES MICROESTRUCTURALES. EL ESTUDIO DE TODOS ESTOS PROCESOS ES DE GRAN INTERES YA QUE SU CONTROL EN PROFUNDIDAD PERMITIRIA EL DESARROLLO DE UNA NUEVA GENERACION DE MEMORIAS MAGNETICAS BASADAS EN SOT DE MAYOR DENSIDAD Y DURABILIDAD Y UNA EFICIENCIA ENERGETICA MUY SUPERIOR A LA DE LOS DISPOSITIVOS ACTUALES. OMBEO DE ESPIN\HETEROESTRUCTURAS DE OXIDOS\CAPAS DELGADAS\UNIONES TUNEL MAGNETICAS\ESPINTRONICA\OXIDOS COMPLEJOS\TORQUE ESPIN-ORBITA\CORRIENTES DE ESPIN
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