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RTI2018-099960-B-I00

Financiado

GENERACION Y DETECCION DE CORRIENTES PURAS DE ESPIN EN HETEROESTRUCTURAS DE OXID...

GENERACION Y DETECCION DE CORRIENTES PURAS DE ESPIN EN HETEROESTRUCTURAS DE OXIDOS EL RAPIDO DESARROLLO DE LAS TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION (IT) IMPLICA EL USO DE INGENTES CANTIDADES DE DATOS QUE REQUIEREN UN AUMENTO DE LA CAPACIDAD DE ALMACENAJE Y DE LA VELOCIDAD DE PROCESADO, LAS TECNOLOGIAS ACTUALES BASADAS... ver más

01/01/2018

CSIC

194K€

Presupuesto del proyecto: 194K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 194K€

Descripción del proyecto EL RAPIDO DESARROLLO DE LAS TECNOLOGIAS DE LA INFORMACION (IT) IMPLICA EL USO DE INGENTES CANTIDADES DE DATOS QUE REQUIEREN UN AUMENTO DE LA CAPACIDAD DE ALMACENAJE Y DE LA VELOCIDAD DE PROCESADO, LAS TECNOLOGIAS ACTUALES BASADAS EN MEMORIAS MAGNETICAS Y LA MICROELECTRONICA ESTAN PROXIMAS A ALCANZAR SUS LIMITES FISICOS Y DE RENTABILIDAD ECONOMICA POR LO QUE URGE DESARROLLAR UNA NUEVA TECNOLOGIA, UNA MEJORA SUSTANCIAL DE LA EFICIENCIA ENERGETICA Y VELOCIDAD DE RESPUESTA DE CIRCUITOS INTEGRADOS Y MEMORIAS REQUIERE LA INTRODUCCION DE NUEVAS VARIABLES DE CONTROL QUE PERMITAN TANTO LOS PROCESOS DE COMPUTACION COMO LOS DE TRANSMISION Y ALMACENAJE DE DATOS, LA ELECTRONICA BASADA EN LA MANIPULACION DEL ESPIN, ESPINTRONICA, ES UNA ALTERNATIVA QUE PUEDE PERMITIR EL DESARROLLO DE UNA ELECTRONICA MULTIFUNCIONAL QUE COMBINE OPERACIONES LOGICAS, ALMACENAMIENTO Y COMUNICACIONES MEJORANDO LA EFICIENCIA ENERGETICA, LOS DISPOSITIVOS BASADOS EN EL USO DE CORRIENTES CON POLARIZACION DE ESPIN ESTAN YA INTEGRADOS EN LA TECNOLOGIA ACTUAL (CABEZALES DE LECTURA DE DISCOS DUROS O MEMORIAS MAGNETICAS DE ACCESO ALEATORIO (MRAM)), EL SIGUIENTE PASO ES EL USO DE CORRIENTES PURAMENTE DE ESPIN, LO QUE PERMITIRIA REDUCIR EL CONSUMO, ELIMINAR LOS CAMPOS MAGNETICOS ASOCIADOS AL MOVIMIENTO DE LAS CARGAS Y SEPARAR/ELIMINAR EL RUIDO ELECTRONICO, EL DESARROLLO DE LA ESPINTRONICA IMPLICA CONTROLAR LA GENERACION, MANIPULACION Y DETECCION DE CORRIENTES DE ESPIN, LAS CORRIENTES DE ESPIN PUEDEN GENERARSE DE DIVERSOS MODOS, UNO DE ELLOS ES EL BOMBEO DE ESPINES (SP) DESDE UN FERROMAGNETO CUYA MAGNETIZACION M(T) PRECESIONA POR LA APLICACION DE UN CAMPO VARIABLE, LA DETECCION DE LA CORRIENTE DE ESPIN PUEDE REALIZARSE A TRAVES DEL EFECTO HALL DE ESPIN INVERSO (ISHE), QUE TRANSFORMA LA CORRIENTE DE ESPIN EN UNA CORRIENTE DE CARGA, LA INTERCONVERSION ESPIN-CARGA SE COMPLETA CON EL EFECTO HALL DE ESPIN (SHE), EL ESTUDIO DE TODOS ESTOS FENOMENOS ES POSIBLE GRACIAS AL ALTO GRADO DE SOFISTICACION ALCANZADO POR LAS TECNICAS DE CRECIMIENTO DE CAPAS FINAS QUE HA PERMITIDO LA FABRICACION DE HETEROESTRUCTURAS DE OXIDOS COMPLEJOS CON INTERFASES ABRUPTAS A ESCALA ATOMICA, LOS OXIDOS COMPLEJOS SON MATERIALES MUY VERSATILES CUYAS PROPIEDADES PUEDEN MODULARSE MEDIANTE DIFERENTES MECANISMOS, I,E, CONTENIDO DE OXIGENO, TENSION ESTRUCTURAL, GRADO DE DOPAJE, ETC, ADEMAS, SON MATERIALES DE BAJO COSTE, ALTA ESTABILIDAD QUIMICA Y DE FACIL PREPARACION, EN ESTE PROYECTO PRETENDEMOS ESTUDIAR LOS PROCESOS DE SP Y ISHE EN SISTEMAS INTEGRADOS TOTALMENTE POR OXIDOS, A LA VEZ QUE EXPLORAR EL USO DEL TORQUE GENERADO POR LA CORRIENTE DE ESPIN (STT) PARA CONMUTAR EL ESTADO DE LA MAGNETIZACION DE UNIONES TUNEL MAGNETICAS (MTJS), QUE SON LOS ELEMENTOS BASICOS CONSTITUYENTES DE LAS MRAMS, TAMBIEN PRETENDEMOS CONTINUAR EL ESTUDIO DE LA MAGNETORESISTENCIA TUNEL ANISOTROPA (TAMR); I,E, VARIACION DE LA RESISTENCIA DE LA MTJ EN FUNCION DE LA ORIENTACION RELATIVA ENTRE LA MAGNETIZACION Y LA CORRIENTE TUNEL, COMO YA HEMOS OBSERVADO EN MTJ DEL TIPO PT/LAO/LSMO, EL FENOMENO DE LA TAMR ESTA BASADO EN LA INTERACCION ESPIN-ORBITA, IGUAL QUE EL STT, SE UTILIZARAN TECNICAS DE MICRO Y NANO-FABRICACION PARA EL DISEÑO E IMPLEMENTACION DE MTJS Y DISPOSITIVOS PLANARES EN HETEROSTRUCTURAS DE OXIDOS COMPLEJOS CRECIDAS POR SPUTTERING, TAMBIEN PRETENDEMOS EXPLORAR LA IDONEIDAD DE HETEROESTRUCTURAS PREPARADAS MEDIANTE LA TECNICA DE DEPOSICION ASISTIDA POR POLIMEROS (PAD) PARA LA IMPLEMENTACION DE ESTOS MISMOS DISPOSITIVOS, BOMBEO DE ESPINES\CORRIENTES DE ESPÍN\ÓXIDOS COMPLEJOS\ESPINTRÓNICA\UNIONES TÚNEL MAGNÉTICAS\CAPAS FINAS

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