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MAT2014-52405-C2-1-R

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OPTIMIZACION DE PROPIEDADES ELECTRONICAS DE DISPOSITIVOS DE INTERFASE: SPIN-ORBI...

OPTIMIZACION DE PROPIEDADES ELECTRONICAS DE DISPOSITIVOS DE INTERFASE: SPIN-ORBITRONICA Y SPIN-MEMRISTORES LA ELECTRONICA DE OXIDOS ES UNA DE LAS ESTRATEGIAS PROPUESTAS COMO ALTERNATIVA A LA ACTUAL TECNOLOGIA BASADA EN SEMICONDUCTORES Y PODER ASI SUPERAR LAS DIFICULTADES PARA CONTINUAR INCREMENTANDO AL MISMO RITMO LA POTENCIA DE LOS PR... ver más

01/01/2014

UCM

363K€

Presupuesto del proyecto: 363K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCM

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Presupuesto del proyecto 363K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA ELECTRONICA DE OXIDOS ES UNA DE LAS ESTRATEGIAS PROPUESTAS COMO ALTERNATIVA A LA ACTUAL TECNOLOGIA BASADA EN SEMICONDUCTORES Y PODER ASI SUPERAR LAS DIFICULTADES PARA CONTINUAR INCREMENTANDO AL MISMO RITMO LA POTENCIA DE LOS PROCESADORES DESCRITO POR LA LEY DE MOORE, LAS INTERFASES ENTRE OXIDOS COMPLEJOS HAN SUSCITADO LA POSIBILIDAD DE DISEÑAR NUEVOS DISPOSITIVOS BASADOS EN LA ENORME VARIEDAD DE NUEVOS E INTERESANTES FENOMENOS FISICOS QUE PRESENTAN, ESTE ES EL CASO, POR EJEMPLO, DE LA APARICION DE UNA INTERFASE CONDUCTORA ENTRE DOS AISLANTES (LAALO3 Y SRTIO3), SIN EMBARGO, MAS DE DIEZ AÑOS DESPUES DE ESTE DESCUBRIMIENTO, LOS DISPOSITIVOS ESTAN AUN POR LLEGAR DEBIDO A LA COMPLEJIDAD DE LA FISICA Y A LA FALTA DE UN CONTROL PRECISO DE LOS ESTADOS INTERFACIALES MEDIANTE UN ESTIMULO EXTERNO,EN ESTE PROYECTO DISEÑAREMOS Y FABRICAREMOS ESTADOS ELECTRONICOS CORRELACIONADOS EN INTERFASES DE OXIDOS CON NUEVAS FORMAS DE ACOPLAMIENTO DEL CAMPO ELECTRICO A LA ESTRUCTURA ELECTRONICA, LO QUE PERMITIRA CONTROLAR SU ESTADO DE ESPIN, ESTE OBJETIVO SE LLEVARA A CABO MEDIANTE LOS SIGUIENTES OBJETIVOS ESPECIFICOS: GOB1) ACOPLAR EL CAMPO ELECTRICO A LA ESTRUCTURA DE ESPIN DE LAS INTERFASES INCORPORANDO OXIDOS CON UNA FUERTE INTERACCION ESPIN-ORBITA Y GOB2) USANDO INTERFASES CON CAPAS DE ELECTROLITO SOLIDO PARA MANIPULAR LA CONCENTRACION DE VACANTES DE OXIGENO MEDIANTE UN CAMPO ELECTRICO PARA PERMITIR NUEVAS FORMAS DE ACOPLAMIENTO CARGA-ESPIN, ESTOS OBJETIVOS ESTARAN VINCULADOS A RESOLVER IMPORTANTES PREGUNTAS, TODAVIA ABIERTAS, DE CARACTER FUNDAMENTAL EN EL AREA DE LA FISICA DE MATERIALES, ASI COMO AL DISEÑO Y FABRICACION DE NUEVOS DISPOSITIVOS,CRECEREMOS INTERFASES CON CONTROL ATOMICO Y CARACTERIZAREMOS SUS ESTADOS ELECTRONICOS MEDIANTE LA COMBINACION DE ESPECTROSCOPIA RESONANTE DE RAYOS X, ESPECTROSCOPIA DE FOTOELECTRONES, MICROSCOPIA Y ESPECTROSCOPIA ELECTRONICAS (STEM-EELS) DE ALTA RESOLUCION CON CORRECCION DE ABERRACIONES, Y MEDIDAS DE TRANSPORTE, PERSEGUIMOS AVANCES FUNDAMENTALES EN EL ENTENDIMIENTO DE LA RELACION ENTRE LA FISICA DE MOTT Y DE ESPIN-ORBITA, Y SOBRE EL PAPEL QUE JUEGAN LOS DEFECTOS PUNTUALES EN LAS INTERFASES EN SU ESTADO ELECTRONICO FUNDAMENTAL, UTILIZAREMOS TECNICAS DE MICRO- Y NANOFABRICACION PARA EL DISEÑO DE UNIONES TUNEL Y DISPOSITIVOS PLANARES EXPLOTANDO EL CONTROL DE 1) LA INTERACCION ESPIN-ORBITA DE TIPO RASHBA EN LAS INTERFASES (ESPIN-ORBITRONICA) Y 2) EL FENOMENO DE CONMUTACION DE LA RESISTENCIA EN UNIONES TUNEL MAGNETICAS CON BARRERA ULTRADELGADA (MEMRISTORES DE ESPIN), ESTOS DISPOSITIVOS PERMITIRAN NUEVAS APROXIMACIONES HACIA UNA ELECTRONICA DE OXIDOS BASADA EN LA MANIPULACION DEL ESPIN SIN NECESIDAD DE APLICAR UN CAMPO MAGNETICO, INTERFASES\ÓXIDOS COMPLEJOS\ESPINTRÓNICA\MEMRISTORES\MAGNETISMO

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