Descripción del proyecto
EL AUMENTO DE LA DEMANDA DE POTENCIA DE COMPUTACION Y ANCHO DE BANDA EN LAS TELECOMUNICACIONES HA GENERADO UN CRECIENTE INTERES EN LA FOTONICA INTEGRADA, SIN EMBARGO, EL ALTO COSTE DE LOS COMPONENTES FOTONICOS DISPONIBLES EN EL MERCADO ES UN GRAN OBSTACULO PARA SU IMPLEMENTACION EN MUCHAS APLICACIONES, LA FOTONICA DE SILICIO PRESENTA GRANDES VENTAJAS DADO QUE PERMITE REALIZAR CIRCUITOS COMPLEJOS COMPACTOS Y CON BAJO COSTE EN UN SOLO CHIP DE SILICIO, ADEMAS, LA POSIBILIDAD DE INTEGRAR OPTICA Y ELECTRONICA EN UN MISMO CHIP PERMITIRIA FABRICAR DISPOSITIVOS ALTAMENTE INTEGRADOS CON FUNCIONALIDADES AVANZADAS Y ALTAS PRESTACIONES,ESTE PROYECTO (LASSI) SE CENTRA EN LA IMPLEMENTACION DE NOVEDOSAS FUNCIONES OPTOELECTRONICAS Y FOTONICAS BASADAS EN FUENTES DE LUZ LED Y LASER INTEGRADAS EN TECNOLOGIA CMOS, NUESTRO GRUP TIENE EXPERIENCIA EN PROYECTOS Y PATENTES QUE HACEN REFERENCIA A MATERIALES ACTIVOS Y FUENTES DE LUZ INTEGRADAS (MOSLEDS) UTILIZANDO MATERIALES HETEROGENEOS NANOESTRUCTURADOS BASADOS EN EL SI, LASSI PRETENDE AVANZAR EN ESA LINEA DE INTEGRACION FUNCIONAL ELECTRONICA Y FOTONICA CON LOS SIGUIENTES OBJETIVOS EN LA FASE 1 DEL PROYECTO:1) INVESTIGAR Y MODELAR LA FISICA Y TECNOLOGIA DEL TRANSPORTE, INYECCION DE CARGA, EMISION Y PROPAGACION DE LA LUZ EN MATERIALES NANOESTRUCTURADOS DE SI EN MATRIZ DE OXIDO Y/O NITRURO, Y SU DOPADO CON C O ER PARA MOVER EL ESPECTRO DE EMISION AL AZUL O INFRARROJO (1,5 μM), LA OPTIMIZACION DE LOS MATERIALES SE REALIZARA EN TERMINOS DE SU EFICIENCIA CUANTICA EXTERNA, POTENCIA DE EMISION, GANANCIA, PERDIDAS DE PROPAGACION Y FIABILIDAD CON MEDIDAS A REALIZAR SOBRE CAPAS Y DISPOSITIVOS SENCILLOS DE PRUEBA COMO CAPACIDADES MOS Y GUIAS DE ONDA TIR,2) DISEÑO, PRODUCCION Y ESTUDIO DE TRANSISTORES MOSLED COMO FUENTES DE LUZ EN EL VISIBLE (C) E INFRARROJO (ER) MODULABLES DE AMPLIA RESPUESTA EN FRECUENCIA, LAS ESTRUCTURAS CAPACIDADES MOS TIENEN UNA RESPUESTA LIMITADA POR EL TIEMPO DE VIDA DE LA ESPECIE LUMINISCENTE, SIN EMBARGO, LAS FUENTES DE TIPO TRANSISTOR MOS PERMITEN UNA INYECCION-EXTRACCION DE PORTADORES CON UNA RESPUESTA EN FRECUENCIA DE GHZ Y, EN CONSECUENCIA, UTILIZANDO LA INYECCION DE ELECTRONES CALIENTES A LA CAPA ACTIVA Y EL EFECTO AUGER, SE PUEDE CONSEGUIR UNA CONMUTACION DE LA SALIDA OPTICA MUY RAPIDA,3) DISEÑO, PRODUCCION Y ESTUDIO DE MICRODISCOS COMO CAVIDADES OPTICAS, DONDE EL FENOMENO DE REFLEXION TOTAL INTERNA DA LUGAR A MODOS OPTICOS CIRCULARES LLAMADOS MODOS DE GALERIA O ¿WHISPERING GALLERY MODES¿ (WGM), DE ESTA FORMA LAS ESTRUCTURAS SE CONVIERTEN EN UNA CAVIDAD OPTICA IDEAL PARA ALBERGAR UN MATERIAL ACTIVO E INVERTIR LA POBLACION PARA LOGRAR ACCION LASER,SE PRETENDEN DESARROLLAR DISPOSITIVOS INTEGRADOS COMBINANDO LOS ANTERIORES EN LA FASE 2 DEL PROYECTO:1, INTERCONEXION OPTICA DIRECTAMENTE MODULABLE A MAS DE 1GHZ BASADA EN UNA FUENTE DE LUZ EN EL VISIBLE (C) O INFRARROJO (ER) DE TIPO TRANSISTOR MOSLED ACOPLADA A UNA GUIA DE ONDA TIR, SU REALIZACION REQUIERE DE UN CUIDADO DISEÑO DEL ACOPLO OPTIMO ENTRE LAS FUENTES Y LAS GUIAS DE ONDA,2, LASER DE SILICIO INTEGRADO A MICRODISCO, REALIZACION DE UN LASER DE SILICIO BOMBEADO OPTICAMENTE CON UNA CAVIDAD DE MICRODISCO ACOPLADA A UNA GUIA DE ONDA POR EL CAMPO EVANESCENTE,3, EXPLORACION DE NUEVOS CONCEPTOS, INTEGRACION DE UNA INTERCONEXION OPTICA ACOPLADA A UNA GUIA VIA MICRODISCO COMO PRUEBA DE PRINCIPIO DE UN MUX/DEMUX, TAMBIEN REALIZACION DE UN LASER DE INYECCION DE SILICIO CON CONTACTOS EN EL MICRODISCO, FOTONICA DE SILICIO\FOTONICA CMOS\LASER DE SILICIO\INTERCONEXIONES OPTICAS\NANOCRISTALES\NANOMATERIALES\LEDS