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TEC2011-27292-C02-01

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FABRICACION Y CARACTERIZACION DE CAPAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPO...

FABRICACION Y CARACTERIZACION DE CAPAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADAS POR ALD SOBRE SILICIO Y SOBRE GRAFENO LA FINALIDAD PRINCIPAL DE ESTE PROYECTO ES AVANZAR EN LOS CONOCIMIENTOS CIENTIFICOS Y TECNOLOGICOS DE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADOS MEDIANTE LA TECNICA DE DEPOSICION ATOMICA DE CAPAS (ATOMIC L... ver más

01/01/2011

UVA

105K€

Presupuesto del proyecto: 105K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2011-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

UVA

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Presupuesto del proyecto 105K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA FINALIDAD PRINCIPAL DE ESTE PROYECTO ES AVANZAR EN LOS CONOCIMIENTOS CIENTIFICOS Y TECNOLOGICOS DE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADOS MEDIANTE LA TECNICA DE DEPOSICION ATOMICA DE CAPAS (ATOMIC LAYER DEPOSITION, ALD), PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS. ESTA SOLICITUD COMPRENDE UN DOBLE OBJETIVO: (1) CONTINUAR Y PROFUNDIZAR EN LA ACTIVIDAD INICIADA EN UN PROYECTO PREVIO EN EL QUE PLANTEAMOS DOS VERTIENTES: UNA VERTIENTE TECNOLOGICA DE DESARROLLO Y PUESTA A PUNTO DEL PROCESO ALD PARA DEPOSITAR CAPAS MUY DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD, PARA SU UTILIZACION COMO AISLANTE DE PUERTA DE TRANSISTORES MOS; Y UNA VERTIENTE CIENTIFICA, DE CARACTERIZACION ELECTRICA Y ESTUDIO DE ESTAS CAPAS EN CUANTO A SU DEGRADACION Y FIABILIDAD FRENTE A ESTRES ELECTRICO Y AMBIENTES DE ALTA RADIACION, CON EL OBJETO DE COMPRENDER CUALES SON LOS FENOMENOS DETERMINANTES DE SU COMPORTAMIENTO Y DEGRADACION. EN ESTA NUEVA PROPUESTA QUEREMOS INTRODUCIR ALGUNAS NOVEDADES EN EL PROCESO ALD: UTILIZACION DE TRATAMIENTOS TERMICOS RAPIDOS (EN LUGAR DE LOS TRATAMIENTOS CONVENCIONALES), APLICACION DE TECNICAS RTO (RAPID THERMAL OXIDATION), CRECIMIENTO DE METALES DE PUERTA ALTERNATIVOS AL ALUMINIO (W, CR, PT, POLISILICIO, ), DISEÑO DE NUEVAS MASCARAS PARA MEJORAR LAS PRESTACIONES DE TRANSISTORES MOSFET, Y CRECIMIENTO DE CAPAS DE OXIDO DE TITANIO, NO SOLO COMO DIELECTRICO DE PUERTA MOS SINO TAMBIEN COMO MATERIAL IDONEO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE MEMORIA SWITCHING RESISTORS.(2) ADEMAS, PRETENDEMOS UTILIZAR LAS CAPAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD PARA OTRAS APLICACIONES TALES COMO: CRECIMIENTO DE DIELECTRICOS DE ALTA K SOBRE SUSTRATOS ESTRUCTURADOS, USO DE CAPAS DE ALD COMO MASCARA PARA LA MICROMECANIZACION DEL SILICIO EN EL AMBITO DE LOS SENSORES Y ACTUADORES DE ESCALA NANOMETRICA, Y COMO CAPAS DE PASIVACION Y ENCAPSULADO EN DIVERSAS TECNOLOGIAS: MEMS, CELULAS SOLARES, OLEDS, ETC. LA PROPUESTA SE PRESENTA COMO COORDINACION DE DOS SUBPROYECTOS: UNO DE ELLOS CENTRADO EN EL ESTUDIO Y CARACTERIZACION DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE LAS CAPAS DEPOSITADAS MEDIANTE TECNICAS DE CARACTERIZACION AVANZADAS, ASI COMO EN LA DEPOSICION ALD SOBRE SUBSTRATOS DE GRAFENO (UVA); Y OTRO CON MAYOR ENFASIS EN LOS ASPECTOS TECNOLOGICOS DE LA DEPOSICION ALD DE LAS CAPAS SOBRE SUBSTRATOS DE SILICIO (IMB-CNM).LOS OBJETIVOS PROPUESTOS SE CONCRETAN EN:1. ESTUDIO DEL IMPACTO DEL PROCESADO PREVIO Y POSTERIOR A LA DEPOSICION POR ALD DE CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD2. DEPOSICION DE CAPAS POR ALD SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO ESTRUCTURADOS Y ESTUDIO DE SU IDONEIDAD PARA APLICACIONES EN MICROSISTEMAS.3. ESTUDIO DE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADAS POR ALD, MEDIANTE TECNICAS DE CARACTERIZACION AVANZADAS.4. ESTUDIO DEL EFECTO DE LA RADIACION SOBRE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADAS POR ALD.5. DESARROLLO DE TECNOLOGIAS ALD SOBRE GRAFENO. ILICIO\RADIACION\MEMS\MOS\DIELECTRICOS DE ALTA K\GRAFENO

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