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TEC2008-06698-C02-02

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CARACTERIZACION ELECTRICA DE CAPAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITA...

CARACTERIZACION ELECTRICA DE CAPAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADOS POR ALD LA FINALIDAD PRINCIPAL DE ESTE PROYECTO ES EL AVANCE EN LOS CONOCIMIENTOS CIENTIFICOS Y TECNOLOGICOS DE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADOS MEDIANTE LA TECNICA DE DEPOSICION ATOMICA DE CAPAS (ATOMIC... ver más

01/01/2008

UVA

206K€

Presupuesto del proyecto: 206K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

UVA

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 997

Presupuesto del proyecto 206K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA FINALIDAD PRINCIPAL DE ESTE PROYECTO ES EL AVANCE EN LOS CONOCIMIENTOS CIENTIFICOS Y TECNOLOGICOS DE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADOS MEDIANTE LA TECNICA DE DEPOSICION ATOMICA DE CAPAS (ATOMIC LAYER DEPOSITION, ALD), PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS, PARA ELLO SE PLANTEAN EN ESTE PROYECTO DOS VERTIENTES: UNA VERTIENTE TECNOLOGICA DE DESARROLLO Y PUESTA A PUNTO DEL PROCESO ALD PARA DEPOSITAR CAPAS MUY DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD TANTO SOBRE SUBSTRATOS DE SILICIO COMO DE GERMANIO, PARA SU UTILIZACION COMO AISLANTE DE PUERTA DE TRANSISTORES MOS, Y UNA VERTIENTE CIENTIFICA DE CARACTERIZACION ELECTRICA Y ESTUDIO DE ESTAS CAPAS EN CUANTO A SU DEGRADACION Y FIABILIDAD FRENTE A ESTRES ELECTRICO Y AMBIENTES DE ALTA RADIACION CON EL OBJETO PARA COMPRENDER CUALES SON LOS FENOMENOS DETERMINANTES DE SU COMPORTAMIENTO Y DEGRADACION, TODO LO CUAL CONSTITUYE UN RETO PARA SU UTILIZACION EN FUTUROS CIRCUITOS INTEGRADOS,LA PROPUESTA SE PRESENTA COMO COORDINACION DE DOS SUBPROYECTOS, UNO DE ELLOS INCIDIENDO EN LOS ASPECTOS TECNOLOGICOS DE LA DEPOSICION ALD DE LAS CAPAS SOBRE SUBSTRATOS DE SILICIO (IMB-CNM) Y EL OTRO CENTRANDOSE EN EL ESTUDIO Y CARACTERIZACION DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS DE LAS CAPAS DEPOSITADAS MEDIANTE TECNICAS DE CARACTERIZACION AVANZADAS ASI COMO EN LA DEPOSICION ALD SOBRE SUBSTRATOS DE GERMANIO (UVA), LOS OBJETIVOS PROPUESTOS SE CONCRETAN EN:- DESARROLLO Y OPTIMIZACION DE LA TECNOLOGIA DE DEPOSICION ALD PARA CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD PARA APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS,- INTEGRACION DE LA ETAPA DE ALD EN UNA TECNOLOGIA DE FABRICACION DE TRANSISTORES MOSFET, - ESTUDIO DE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADAS POR ALD MEDIANTE TECNICAS DE CARACTERIZACION AVANZADAS,- ESTUDIO DEL EFECTO DE LA RADIACION SOBRE LAS CAPAS DELGADAS DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD DEPOSITADAS POR ALD, Dieléctricos de alta k\técnica ALD\MOS\efectos de radiación

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