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MAT2008-06517-C02-01

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ELECTRONICA DE OXIDOS A LA NANOESCALA: INGENIERIA DE INTERFASES EN HETEROESTRUCT...

ELECTRONICA DE OXIDOS A LA NANOESCALA: INGENIERIA DE INTERFASES EN HETEROESTRUCTURAS PARA DISPOSITIVOS MAGNETOELECTRONICOS LA RECIENTE NECESIDAD DE MINIATURIZACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS HA DISPARADO LA BUSQUEDA DE NUEVAS HETEROESTRUTURAS QUE COMBINAN FUNCIONALIDADES DIVERSAS, SOBRE ESTA BASE, LA ELECTRONICA CON OXIDOS EMERGE COMO UNA NUEVA DISC... ver más

01/01/2008

CSIC

273K€

Presupuesto del proyecto: 273K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 273K€

Descripción del proyecto LA RECIENTE NECESIDAD DE MINIATURIZACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS HA DISPARADO LA BUSQUEDA DE NUEVAS HETEROESTRUTURAS QUE COMBINAN FUNCIONALIDADES DIVERSAS, SOBRE ESTA BASE, LA ELECTRONICA CON OXIDOS EMERGE COMO UNA NUEVA DISCIPLINA PARA ENCONTRAR NUEVOS CONCEPTOS APLICABLES AL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS NOVEDOSOS PARA APLICACIONES EN MAGNETOELECTRONICA, SENSORES MAGNETICOS, TELECOMUNICACIONES, MEDICINA, ETC,,,, LA INGENIERIA DE INTERCARAS ES UNA TECNOLOGIA RECIEN NACIDA CON CAPACIDAD PARA RESOLVER PROBLEMAS NO SOLO EN EL AMBITO BIEN ESTABLECIDO DE MAGNETOELECTRONICA, CABEZAS LECTORAS Y ESCITORAS SINO EN OTROS MAS INEXPLORADOS COMO LAS CELULAS DE COMBUSTIBLE SOLIDO O DISPOSITIVOS DE EFECTO CAMPO, POSTULANDOSE EN ESTE CASO COMO UNA ALTERNATIVA REAL A LA ELECTRONICA BASADA EN SI, EN ESTE PROYECTO, PROPONEMOS EL DISEÑO, CRECIMIENTO Y CARACTERIZACION DE HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN OXIDOS DE TIPO PEROVSKITA QUE SERAN EXPLORADAS NO SOLO DESDE EL PUNTO DE VISTA DE SUS PROPIEDADES MACRO- Y MESOSCOPICAS, SINO QUE ESTUDIAREMOS EXHAUSTIVAMENTE SUS INTERCARAS, PUES ES AQUI DONDE NUEVAS FASES Y PROPIEDADES FISICAS PUEDEN REVELARSE, COMO CONSECUENCIA DE LA PERDIDA DE SIMETRIA, EN PARTICULAR, NOS CENTRAREMOS EN EL ESTUDIO Y OPTIMIZACION DE LOS SIGUIENTES MECANISMOS: CONTROL DE LA MAGNETIZACION/ ELECTRORESISTENCIA DE MANGANITAS EN HETEROESTRUCTURAS MULTIFERROICAS DEL TIPO MANGANITA/PIEZOELECTRICO, VIA LA MANIPULACION DE LOS CAMPOS DE TENSIONES POR ACTUACION SOBRE EL PIEZOELECTRICO; CONTROL DE NUEVOS EFECTOS MAGNETORRESISTIVOS EN HETEROESTRUCTURAS DEL TIPO MANGANITA/CUPRATO POR MANIPULACION DE LAS ORIENTACIONES RELATIVAS DE LA MAGNETIZACION EN LOS ELECTRODOS FERROMAGNETICOS; CONTROL DE LOS GRADOS DE LIBERTAD ORBITALES Y DE SPIN DE MANGANITAS EN HETEROESTRUCTURAS AISLANTE DE MOTT/AISLANTE DE BANDAS, POR MEDIO DE LA RECONSTRUCCION ELECTRONICA DE LAS INTERCARAS, UNA VEZ ENTENDIDOS LOS MECANISMOS QUE GOBIERNAN ESTOS EFECTOS, SE PREVE EL DISEÑO A LA CARTA DE NUEVOS DISPOSITIVOS MAGNETOELECTRONICOS, magnetoelectronica\perovskitas\manganitas\magnetorresistencia\electrorresistencia\lamina delgada\heterostructuras e interfaces

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