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TEC2008-03304

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DISEÑO Y OPTIMIZACION DE DISPOSITIVOS IGBT DE ALTA TENSION CON INTEGRACION MONOL...

DISEÑO Y OPTIMIZACION DE DISPOSITIVOS IGBT DE ALTA TENSION CON INTEGRACION MONOLITICA DE SENSORES PARA PROTECCION CONTRA SOBRETENSION Y SOBRECORRIENTE DESTINADOS A APLICACIONES DE TRACCION ELECTRICA LOS MODULOS IGBT UTILIZADOS EN LOS INVERSORES DC/AC DE LAS LOCOMOTORAS ELECTRICAS SUFREN UN GRAN NUMERO DE FALLOS DEBIDOS A LA APARICION DE ASIMETRIAS EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DEL PROPIO MODULO DEBIDAS A EFECTOS DE CALE... ver más

01/01/2008

CSIC

256K€

Presupuesto del proyecto: 256K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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CSIC

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 256K€

Descripción del proyecto LOS MODULOS IGBT UTILIZADOS EN LOS INVERSORES DC/AC DE LAS LOCOMOTORAS ELECTRICAS SUFREN UN GRAN NUMERO DE FALLOS DEBIDOS A LA APARICION DE ASIMETRIAS EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DEL PROPIO MODULO DEBIDAS A EFECTOS DE CALENTAMIENTO LOCAL, DEGRADACION DE SOLDADURAS, ETC, SI NO SE DETECTAN ESTAS ASIMETRIAS LA CORRIENTE PUEDE AUMENTAR DE MANERA LOCAL MUY POR ENCIMA DE LOS LIMITES DE OPERACION SEGURA DANDO LUGAR A LA DESTRUCCION TERMICA DEL COMPONENTE, A PESAR DE QUE EXISTEN NUMEROSAS TECNICAS DE MEDICION DE LA CORRIENTE TOTAL EN EL MODULO, LOS FABRICANTES DE SEMICONDUCTORES NO HAN DESARROLLADO SENSORES MONOLITICOS PARA AUMENTAR LA FIABILIDAD DE LOS MODULOS MEDIANTE MEDIDAS IN-SITU DE CADA UNO DE LOS COMPONENTES QUE, CON LA CORRESPONDIENTE LOGICA DE CONTROL, PERMITAN LA SUPERVIVENCIA DE UN MAYOR NUMERO MODULOS EN LAS LOCOMOTORAS, ESTE PROYECTO TIENE COMO PRINCIPAL OBJETIVO EL DISEÑO Y FABRICACION DE IGBTS DE ALTA TENSION (3300 V) EN LA SALA BLANCA DEL IMB EN LOS QUE SE INTEGRARAN MONOLITICAMENTE SENSORES DE CORRIENTE Y TENSION PARA PODER AUMENTAR LA ROBUSTEZ FRENTE A CORTOCIRCUITOS Y PODER DETETECTAR AUMENTOS SUBITOS DE TENSION DE EMISOR O DE CORRIENTE, EVITANDO ASI LA DESTRUCCION FISICA DEL COMPONENTE, EL TRABAJO A REALIZAR COMPRENDERA SIMULACION DE LA TERMINACION, LA CELDA BASICA, LOS SENSORES Y LA INTERACCION ENTRE TODOS ESTOS ELEMENTOS, LA DEFINICION DEL PROCESO TECNOLOGICO DARA LUGAR A PROTOTIPOS QUE SERAN CARACTERIZADOS PARA CORROBORAR LA VIABILIDAD DE LAS SOLUCIONES PROPUESTAS, IGBT\alta tensión\terminación\potencia\sensores\integración monolítica\tracción

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