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PCIN-2015-146

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DESARROLLO DE UNA TECNOLOGIA FULLY-DEPLETED-SILICON-ON-INSULATOR PARA LOS NODOS...

DESARROLLO DE UNA TECNOLOGIA FULLY-DEPLETED-SILICON-ON-INSULATOR PARA LOS NODOS 14 Y 10NM EL OBJETIVO DEL PROYECTO WAYTOGO FAST ES EL DE MANTENER A EUROPA EN LA CARRERA DE LA TECNOLOGIA CMOS USANDO COMO BASE LA TECNOLOGIA FULLY DEPLETED SILICON ON INSULATOR (FDSOI) EN EL NODO DE LOS 14NM, Y ESTABLECER LAS BASES PARA LO... ver más

01/01/2015

UGR

60K€

Presupuesto del proyecto: 60K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5512

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Participantes

UGR

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5512

Presupuesto del proyecto 60K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL OBJETIVO DEL PROYECTO WAYTOGO FAST ES EL DE MANTENER A EUROPA EN LA CARRERA DE LA TECNOLOGIA CMOS USANDO COMO BASE LA TECNOLOGIA FULLY DEPLETED SILICON ON INSULATOR (FDSOI) EN EL NODO DE LOS 14NM, Y ESTABLECER LAS BASES PARA LOS PROXIMOS NODOS, EN LOS QUE PROBABLEMENTE SE ABANDONARAN LAS TECNOLOGIAS PLANARES PARA AFRONTAR DE LLENO LA INTEGRACION TRIDIMENSIONAL DE CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS, EL PROYECTO WAYTOGO FAST BASA LA CONSECUCION DE SUS OBJETIVOS EN TORNO A DOS PILARES FUNDAMENTALES:-LA EMPRESA SOITEC PARA LA FABRICACION DE SUSTRATOS DE SILICIO SOBRE AISLANTE (SOI) AVANZADOS-LA EMPRESA STMICROELECTRONICS PARA EL DESARROLLO E INDUSTRIALIZACION DE LA TECNOLOGIA FDSOI DE 14NM MANTENIENDO UN COMPROMISO INDUSTRIAL ENTRE POTENCIA-PRESTACIONES-AREA-COSTE (PPAC),EL PRESENTE PROYECTO SUPONE UNA PRIMERA FASE DE UN PROYECTO GLOBAL DE DOS FASES, CUYO OBJETIVO ULTIMO ES OBTENER EL DESARROLLO NECESARIO PARA HABILITAR LA TECNOLOGIA FDSOI DE 10NM PARA EL AÑO 2018-2019, LA INCORPORACION AL PROYECTO DE EMPRESAS DE DISEÑO Y FABRICANTES DE SISTEMAS ELECTRONICOS PROPORCIONA UNA CADENA DE VALOR COMPLETA QUE AYUDA A EXTENDER LA TECNOLOGIA FDSOI Y A ESTABLECERLA COMO LA TECNOLOGIA CMOS DE PRIMERA ELECCION EN UN AMPLIO RANGO DE APLICACIONES DE BAJA POTENCIA,EL PROYECTO WAYTOGO FAST SE CARACTERIZA TAMBIEN POR CONTAR DESDE EL PRIMER MOMENTO DE LA DEFINICION DE LA TECNOLOGIA CON LA PARTICIPACION DE LOS AGENTES DE DISEÑO DE CIRCUITOS LO QUE PERMITIRA ADECUAR EL COMPROMISO PPAC A LAS NECESIDADES DE LAS APLICACIONES A DESARROLLAR, PARA CONSEGUIR EL OBJETIVO DE INSTALAR EN EUROPA UNA TECNOLOGIA CAPAZ DE FABRICAR TANTO SUBSTRATOS AVANZADOS SOI COMO CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS EN EL NODO DE 14NM, EL CONSORCIO WAYTOGO FAST REUNE UN AMPLIO GRUPO DE PARTICIPANTES DE TODO EL ESPECTRO DE AGENTES DEL MUNDO DE LOS SEMICONDUCTORES EN EUROPA: UNIVERSIDADES/INSTITUTOS DE INVESTIGACION, PROVEEDORES DE EQUIPAMIENTO E INSTRUMENTACION, PROVEEDORES DE PROPIEDAD INTELECTUAL, EMPRESAS DE DISEÑO DE CIRCUITOS Y SISTEMAS Y FABRICANTES,LA PARTICIPACION DE LA UNIVERSIDAD DE GRANADA EN ESTE PROYECTO SE ENMARCA DENTRO DE LOS PAQUETES DE TRABAJO WP1 « DEVELOPMENT AND PATHFINDING OF CMOS PROCESS MODULES » Y MAS CONCRETAMENTE EN LA TASK 1,1 SIMULATION/TCAD/MODEL TRABAJANDO EN LA SIMULACION DEL TRANSPORTE DE CARGA EN EL CANAL DE DISPOSITIVOS FDSOI14 Y FDSOI14, TAMBIEN PARTICIPARA EN EL WP3 «PILOT LINE FOR INTEGRATIONS OF 14NM FDSOI AND BEYOND », CONCRETAMENTE EN LAS TASKS 3,2,4 « INTEGRATION AND QUALIFICATION OF 14FDSOI+ DEVICE » AND TASK 3,2,6 « ADVANCED CHARACTERIZATION » REALIZANDO ESTUDIOS DE CARACTERIZACION ELECTRICA Y ESTRUCTURAL Y HACIENDO EVALUACION DE LA FIABILIDAD DE LOS DISPOSITIVOS FABRICADOS, NANOELECTRÓNICA\FDSOI\CMOS\OBLEA\SIMULACIÓN\FIABILIDAD\RENDIMIENTO\EFICIENCIA\RF\CARACTERIZACIÓN ELECTRICA Y ESTRUCTURAL

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