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TEC2016-76849-C2-2-R

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DESARROLLO DE OXIDOS METALICOS DE TRANSICION CON TECNOLOGIA DE SILICIO PARA APLI...

DESARROLLO DE OXIDOS METALICOS DE TRANSICION CON TECNOLOGIA DE SILICIO PARA APLICACIONES DE CONMUTACION E INTERCONEXION OPTICAS EFICIENTES Y RESPETUOSAS CON EL MEDIO AMBIENTE EL DESARROLLO DE MATERIALES NOVEDOSOS CON PROPIEDADES EXTRAORDINARIAS PUEDE RESOLVER O AL MENOS MEJORAR LOS RETOS A LOS QUE LA SOCIEDAD SE ENFRENTA HOY DIA, INCLUYENDO ENERGIA, CLIMA Y SALUD. LA INTEGRACION DE DICHOS MATERIALES CO... ver más

01/01/2016

UPV

123K€

Presupuesto del proyecto: 123K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 688

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPV

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 688

Presupuesto del proyecto 123K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL DESARROLLO DE MATERIALES NOVEDOSOS CON PROPIEDADES EXTRAORDINARIAS PUEDE RESOLVER O AL MENOS MEJORAR LOS RETOS A LOS QUE LA SOCIEDAD SE ENFRENTA HOY DIA, INCLUYENDO ENERGIA, CLIMA Y SALUD. LA INTEGRACION DE DICHOS MATERIALES CON LA TECNOLOGIA DOMINANTE PERMITE BENEFICIARSE DE SUS FORTALEZAS A CORTO PLAZO Y DE MANERA RENTABLE. EL PROYECTO METALONIC SE CENTRA EN EL RETO ENERGIA SEGURA, LIMPIA Y EFICIENTE Y SE ABORDA DESDE EL PROGRAMA TEC (TECNOLOGIA ELECTRONICA Y DE LAS COMUNICACIONES). METALONIC MEJORARA LAS PRESTACIONES Y FUNCIONALIDAD DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y FOTONICOS INTEGRADOS, INTRODUCIENDO EN LA TECNOLOGIA DE SILICIO A DOS FAMILIAS DE OXIDOS DE METALES DE TRANSICION MUY PROMETEDORAS Y VERSATILES: I) OXIDOS TRANSPARENTES Y CONDUCTORES (TCO) COMO EL OXIDO DE ZINC (ZNO) Y ALEACIONES RELACIONADAS (XZNO) Y II) MATERIALES DE CAMBIO DE FASE (PCM) COMO EL DIOXIDO DE VANADIO (VO2) Y COMPUESTOS RELACIONADOS (VOX). ZNO Y VO2 MUESTRAN EXCELENTES PRESTACIONES ELECTRICAS Y OPTICAS, Y SERAN DISRUPTIVOS PARA NANOELECTRONICA BEYOND CMOS (TCOS Y PCMS PARA MEMRISTORES), ENERGIA FOTOVOLTAICA (TCOS Y HETEROUNIONES P-N PARA CELULAS SOLARES), OPTOELECTRONICA (TCOS PARA LEDS Y DISPLAYS) Y NANOFOTONICA DE SILICIO (TCOS Y PCMS PARA CONMUTADORES E INTERCONEXIONES OPTICAS). SU INTRODUCCION EN TECNOLOGIA DE SI CONTRIBUIRIA A DISPOSITIVOS MEJORADOS EN PRESTACIONES, MINIATURIZACION, COSTE Y CONSUMO DE ENERGIA. ADEMAS, ZNO Y VO2 SON MATERIALES ABUNDANTES, BARATOS Y LIMPIOS CON EL ENTORNO. IMPLEMENTAREMOS METALONIC EN 3 FASES:1. DESARROLLO DE PROCESOS DE DEPOSITO DE MATERIALES PARA ZNO Y VO2 SOBRE SI UTILIZANDO SPUTTERING Y EVAPORACION POR HAZ DE ELECTRONES COMO METODOS BARATOS Y EFICIENTES DE PRODUCCION SOBRE SUBSTRATOS DE AREA GRANDE. OBTENDREMOS MATERIALES POLICRISTALINOS, TRANSPARENTES, CON BAJO DOPAJE DE FONDO Y ALTA MOVILIDAD. LOS METODOS DE DEPOSITO MBE Y ALD SE CONSIDERAN A TRAVES DE COLABORACIONES EXTERNAS PARA EVALUACION COMPARATIVA. SE REALIZARA EL DOPAJE DE ZNO TIPO N CON AL Y SN Y SE INTENTARA EL DOPAJE DE TIPO P CON N Y MG. 2. DEMOSTRACION DE DISPOSITIVOS DE TEST: I) CONMUTADORES ELECTRONICOS DE ZNO Y VO2 CON UN METAL (MEMRISTORES), TAMAÑO NANOMETRICO, CONSUMO ULTRABAJO (~PJ/BIT) Y RAPIDOS (>1GHZ); II) CONTACTOS Y VENTANAS TCO DE ZNO (Y ALEACIONES) CON TRANSPARENCIA >90% Y ALTA CONDUCTIVIDAD (>10^4 OHMS·CM) PARA CELULAS SOLARES Y LEDS Y III) ZNO Y VO2 PARA CONMUTADORES OPTICOS DE ULTRABAJO CONSUMO EN GUIAS DE ONDA DE SILICIO HIBRIDAS.3. PRUEBA DE PRINCIPIO DE DISPOSITIVOS FUNCIONALES: I) APILAMIENTOS MIM Y CONFIGURACIONES EN CRUZ DE MEMRISTORES COMO MEMORIAS NO VOLATILES; II) HOMOUNIONES P-N DE ZNO Y HETEROUNIONES XZNO/SI PARA CELULAS SOLARES TRANSPARENTES Y FOTODETECTORES UV; Y III) MODULADORES ELECTRO-OPTICOS Y FOTODETECTORES BASADOS EN HETEROUNIONES AZO/SI Y VO2/SI CON UN CONSUMO ULTRABAJO (<100 FJ/BIT) Y FRECUENCIA DE OPERACION ALTA (>1GHZ).FINALMENTE EXPLORAREMOS: I) INTEGRACION DEL MODULADOR Y EL FOTODETECTOR PARA INTERCONEXIONES OPTICAS DE NUEVA GENERACION; II) COMPATIBILIDAD EN EL PROCESADO DE VO2 Y ZNO CON CMOS A BAJA TEMPERATURA PARA LA FABRICACION DE MEMORIAS SOBRE LA METALIZACION (BEOL); III) INTEGRACION DE LOS TCOS EN CELULAS SOLARES Y EN LEDS DE GAN Y IV) SOSTENIBILIDAD Y COSTE REDUCIDO PARA LA TRANSFERENCIA A EMPRESAS DE BAJA CAPITALIZACION. EL PROYECTO CONTEMPLA COLABORACION EXTERNA CON KU LEUVEN, EL INSTITUTO JEAN LAMOUR DE NANCY, EL CIMAP-CNRS DE CAEN Y EL ION BEAM PHYSICS INSTITUTE DE DRESDEN OMUNICACIONES ÓPTICAS\INTERCONEXIONES ÓPTICAS\CONMUTACIÓN\MODULACIÓN\ÓXIDOS METÁLICOS DE TRANSICIÓN\FOTÓNICA DE SILICIO

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