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TEC2016-76849-C2-1-R

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DESARROLLO DE OXIDOS DE METALES DE TRANSICION CON TECNOLOGIA DE SILICIO PARA CON...

DESARROLLO DE OXIDOS DE METALES DE TRANSICION CON TECNOLOGIA DE SILICIO PARA CONMUTADORES ELECTRONICOS (MEMRISTORES) Y CELULAS SOLARES EL DESARROLLO DE MATERIALES NOVEDOSOS CON PROPIEDADES EXTRAORDINARIAS PUEDE RESOLVER O AL MENOS MEJORAR LOS RETOS A LOS QUE LA SOCIEDAD SE ENFRENTA HOY DIA, INCLUYENDO ENERGIA, CLIMA Y SALUD. LA INTEGRACION DE DICHOS MATERIALES CO... ver más

01/01/2016

140K€

Presupuesto del proyecto: 140K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 327

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 327

Presupuesto del proyecto 140K€

Descripción del proyecto EL DESARROLLO DE MATERIALES NOVEDOSOS CON PROPIEDADES EXTRAORDINARIAS PUEDE RESOLVER O AL MENOS MEJORAR LOS RETOS A LOS QUE LA SOCIEDAD SE ENFRENTA HOY DIA, INCLUYENDO ENERGIA, CLIMA Y SALUD. LA INTEGRACION DE DICHOS MATERIALES CON LA TECNOLOGIA DOMINANTE PERMITE BENEFICIARSE DE SUS FORTALEZAS A CORTO PLAZO Y DE MANERA RENTABLE.EL PROYECTO METALONIC SE CENTRA EN EL RETO ENERGIA SEGURA, LIMPIA Y EFICIENTE Y SE ABORDA DESDE EL PROGRAMA TEC (TECNOLOGIA ELECTRONICA Y DE LAS COMUNICACIONES). METALONIC MEJORARA LAS PRESTACIONES Y FUNCIONALIDAD DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y FOTONICOS INTEGRADOS, INTRODUCIENDO EN LA TECNOLOGIA DE SILICIO A DOS FAMILIAS DE OXIDOS DE METALES DE TRANSICION MUY PROMETEDORAS Y VERSATILES: I) OXIDOS TRANSPARENTES Y CONDUCTORES (TCO) COMO EL OXIDO DE ZINC (ZNO) Y ALEACIONES RELACIONADAS (XZNO) Y II) MATERIALES DE CAMBIO DE FASE (PCM) COMO EL DIOXIDO DE VANADIO (VO2) Y COMPUESTOS RELACIONADOS (VOX).ZNO Y VO2 MUESTRAN EXCELENTES PRESTACIONES ELECTRICAS Y OPTICAS, Y SERAN DISRUPTIVOS PARA NANOELECTRONICA BEYOND CMOS (TCOS Y PCMS PARA MEMRISTORES), ENERGIA FOTOVOLTAICA (TCOS Y HETEROUNIONES P-N PARA CELULAS SOLARES), OPTOELECTRONICA (TCOS PARA LEDS Y DISPLAYS) Y PARA NANOFOTONICA DE SILICIO (PCMS PARA CONMUTADORES Y MODULADORES OPTICOS). SU INTRODUCCION EN TECNOLOGIA DE SI CONTRIBUIRIA A DISPOSITIVOS MEJORADOS EN PRESTACIONES, MINIATURIZACION, COSTE Y CONSUMO DE ENERGIA. ADEMAS, ZNO Y VO2 SON MATERIALES ABUNDANTES, BARATOS Y LIMPIOS CON EL ENTORNO.IMPLEMENTAREMOS METALONIC EN 3 FASES:1. DESARROLLO DE PROCESOS DE DEPOSITO DE MATERIALES PARA ZNO Y VO2 SOBRE SI UTILIZANDO SPUTTERING Y EVAPORACION POR HAZ DE ELECTRONES COMO METODOS BARATOS Y EFICIENTES DE PRODUCCION SOBRE SUBSTRATOS DE AREA GRANDE. OBTENDREMOS MATERIALES POLICRISTALINOS, TRANSPARENTES, CON BAJO DOPAJE DE FONDO Y ALTA MOVILIDAD. LOS METODOS DE DEPOSITO MBE Y ALD SE CONSIDERAN A TRAVES DE COLABORACIONES EXTERNAS PARA EVALUACION COMPARATIVA. SE REALIZARA EL DOPAJE DE ZNO TIPO N CON AL Y SN Y SE INTENTARA EL DOPAJE DE TIPO P CON N Y MG. 2. DEMOSTRACION DE DISPOSITIVOS DE TEST: I) CONMUTADORES ELECTRONICOS DE ZNO Y VO2 CON UN METAL (MEMRISTORES), TAMAÑO NANOMETRICO, CONSUMO ULTRABAJO (~PJ/BIT) Y RAPIDOS (>1GHZ); II) CONTACTOS Y VENTANAS TCO DE ZNO (Y ALEACIONES) CON TRANSPARENCIA >90% Y ALTA CONDUCTIVIDAD (>10^4 Ω·CM) PARA CELULAS SOLARES Y LEDS Y III) ZNO Y VO2 PARA CONMUTADORES OPTICOS DE ULTRABAJO CONSUMO EN GUIAS DE ONDA DE SILICIO HIBRIDAS.3. PRUEBA DE PRINCIPIO DE DISPOSITIVOS FUNCIONALES: I) APILAMIENTOS MIM Y CONFIGURACIONES EN CRUZ DE MEMRISTORES COMO MEMORIAS NO VOLATILES; II) HOMOUNIONES P-N DE ZNO Y HETEROUNIONES XZNO/SI PARA CELULAS SOLARES TRANSPARENTES Y FOTODETECTORES UV) Y III) MODULADORES ELECTRO-OPTICOS Y FOTODETECTORES BASADOS EN HETEROUNIONES AZO/SI Y VO2/SI CON UN CONSUMO ULTRABAJO (<100 FJ/BIT) Y FRECUENCIA DE OPERACION ALTA (>1GHZ). FINALMENTE, I) INTEGRACION DEL MODULADOR Y EL FOTODETECTOR PARA INTERCONEXIONES OPTICAS DE NUEVA GENERACION; II) COMPATIBILIDAD EN EL PROCESADO DE VO2 Y ZNO CON CMOS A BAJA TEMPERATURA PARA LA FABRICACION DE MEMORIAS SOBRE LA METALIZACION (BEOL); III) INTEGRACION DE LOS TCOS EN CELULAS SOLARES Y EN LEDS DE GAN Y IV) SOSTENIBILIDAD Y COSTE REDUCIDO PARA LA TRANSFERENCIA A EMPRESAS DE BAJA CAPITALIZACION.EL PROYECTO CONTEMPLA COLABORACION CON KU LEUVEN, EL INSTITUTO JEAN LAMOUR DE NANCY, EL CIMAP-CNRS DE CAEN Y EL ION BEAM PHYSICS INSTITUTE DE DRESDEN. O2\MODULADOR ELECTROÓPTICO\INTERRUPTOR ÓPTICO\FOTODETECTOR\CÉLULA SOLAR\MEMRISTOR\ÓXIDOS TRANSPARENTES Y CONDUCTORES\ZNO

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