Descripción del proyecto
EL PROYECTO QUE PRETENDE DESARROLLAR EL GRUPO DE INVESTIGACION DE LA UNIVERSIDAD JUME I (UJI) SE BASA AL DESARROLLO DE CONTACTOS CONDUCTORES DE BAJA TEMPERATURA (< 250 ºC) MEDIANTE METODOS DE LA QUIMICA SUAVE, QUE UNEN LA CELULA IGNITE, DE SI CRISTALINO Y KESTERITA, DICHOS CONTACTOS SE COMPONEN DE MATERIALES QUE ADEMAS TIENEN ALTA TRANSPARENCIA (>85%) Y ADECUADA CONDUCTIVIDAD (200-2000 SCM-1), OXIDOS CONDUCTORES TRASPARENTES (OCT) SE DESARROLLARAN PARA ESTE FIN, DEBIDO A SU CAPACIDAD DE AUMENTAR LA EFICIENCIA DE LAS CALCULAS FOTOVOLTAICAS A TRAVES DE RECOLECCION DE LAS CARGAS GENERADAS Y MEJORA EN LA ABSORBANCIA DEL DISPOSITIVO, EN PARTICULAR, CAPAS FINAS DE ZNO-DOPADAS CON AL, IN, GA, SI, B, F, V Y NB SE HA DISEÑADO, YA QUE ES MATERIAL ECONOMICO, FACIL DE PROCESAR Y RE-ESCALAR A NIVEL INDUSTRIAL, ADEMAS, DICHA CAPAS SE FUNCIONALIZARAN A TRAVES DE RECUBRIMIENTOS DE NANOLAMINAS POSTERIORES DE OXIDOS AISLANTES DE MOO3, V2O3, NB2O3, AL2O3, CO2O3 PARA MINIMIZAR LAS PERDIDAS DE CARGAS POR RECOMBINACION QUE PUEDEN OCURRIR EN LA INTERFAZ DE LA CELULA FOTOVOLTAICA, LA FUNCIONALIZACION CREARIA UNA FRONTERA DIELECTRICA DE OCT MEXOY QUE PODRIA MODIFICAR PROPIEDADES DE INTERES EN EL CONTACTO DE LA CELULA INGNITE, PARA LA PREPARACION DE LOS MATERIALES SE EMPLEARAN METODOS DE QUIMICA SUAVE COMO SOL-GEL, SOLVOTERMAL Y RUTAS BASADAS EN AEROSOLES COMO PIROLISIS DE AEROSOL Y SECADO DE AEROSOL, CARACTERIZACION DETALLADA Y POSTER OPTIMIZACION DE LOS RECUBRIMIENTOS SE CONTEMPLA TAMBIEN A LO LARGO DEL DESARROLLO, CON EL OBJETIVO DE RESOLVER ESTOS DESAFIOS IGNITE ESTA FORMADO POR UN CONSORCIO MULTIDISCIPLINARIO Y COMPLEMENTARIO, AUNANDO POR PRIMERA VEZ LOS ESFUERZOS DE GRUPOS LIDERES EN ESPAÑA Y A NIVEL EUROPEO EN EL DESARROLLO DE TECNOLOGIAS DE SI CRISTALINO (UPC), CALCOGENUROS DE CAPA FINA (IREC), Y RUTAS QUIMICAS PARA LA SINTESIS DE OXIDOS FUNCIONALIZADOS (UJI), PARA ALCANZAR LOS OBJETIVOS PROPUESTOS Y POSICIONAR ESTAS TECNOLOGIAS HACIA UNA POSIBLE FUTURA INDUSTRIALIZACION, AL FINAL DEL PROYECTO, SE PROPONE DISPONER DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS BASADOS EN SI CRISTALINO CON CONTACTOS INTERDIGITADOS PREPARADOS A BAJA TEMPERATURA CON EFICIENCIAS MAYORES AL 20%, DE TECNOLOGIAS DE KESTERITAS DE BAND-GAP ANCHO SOBRE SUSTRATOS SEMI-TRANSPARENTES CON EFICIENCIA MAYOR AL 14%, Y DE UNA CELULA TANDEM MONOLITICA, COMBINANDO AMBOS DISPOSITIVOS, CON EFICIENCIA MAYOR AL 25%, LO QUE SUPONDRA UN HITO EN EL DESARROLLO DE ESTE TIPO DE CELULAS SOLARES AVANZADAS, ÓXIDOS CONDUCTORES TRANSPARENTES\SÍNTESIS QUÍMICA SOSTENIBLE\FUNCIONALIZACIÓN