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TEC2014-54906-JIN

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CARACTERIZACION AVANZADA Y MODELADO DE LA VARIABILIDAD Y FIABILIDAD DE DISPOSITI...

CARACTERIZACION AVANZADA Y MODELADO DE LA VARIABILIDAD Y FIABILIDAD DE DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVA PARA APLICACIONES DE MEMORIA NO VOLATIL LOS DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVA RRAM (RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY) SE CONSIDERAN LOS MEJORES CANDIDATOS PARA LA PROXIMA GENERACION DE DISPOSITIVOS DE MEMORIA NO VOLATIL DEBIDO A SU ALTA ESCALABILIDAD, ALTA VELOCIDAD D... ver más

01/01/2014

CSIC

204K€

Presupuesto del proyecto: 204K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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CSIC

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 204K€

Descripción del proyecto LOS DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVA RRAM (RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY) SE CONSIDERAN LOS MEJORES CANDIDATOS PARA LA PROXIMA GENERACION DE DISPOSITIVOS DE MEMORIA NO VOLATIL DEBIDO A SU ALTA ESCALABILIDAD, ALTA VELOCIDAD DE CONMUTACION, BAJO CONSUMO Y ALTA DENSIDAD DE INTEGRACION 3D, SIN EMBARGO, ANTES DE QUE ESTA TECNOLOGIA EMERGENTE PUEDA SER EXPLOTADA COMERCIALMENTE, HAY DOS ASPECTOS PROBLEMATICOS QUE DEBEN SER RESUELTOS: LA DURABILIDAD DEL DISPOSITIVO Y LA VARIABILIDAD DE LA CONMUTACION, ESTE PROYECTO PRETENDE PROFUNDIZAR EN EL CONOCIMIENTO DEL TRANSPORTE ELECTRONICO, DE LA VARIABILIDAD Y DE LOS MECANISMOS DE ENVEJECIMIENTO QUE LIMITAN EN LA ACTUALIDAD LOS DISPOSITIVOS RRAM DEL ESTADO DEL ARTE, PARA ELLO SE DESARROLLARAN Y EMPLEARAN TECNICAS DE ANALISIS ESPECIFICAS PARA LA OBTENCION DE UN CONOCIMIENTO PRECISO DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE, INCLUYENDO LOS PROCESOS DE CAPTURA Y EMISION DE ELECTRONES A Y DESDE NIVELES TRAMPA EN EL DIELECTRICO ASI COMO EL TRANSPORTE DE DEFECTOS DESDE Y HACIA LOS CAMINOS CONDUCTORES FILAMENTARES, COMO CONSECUENCIA DE ELLO, EL PROYECTO PROPORCIONARA UNA VISION DE LA FISICA IMPLICADA EN EL DISPOSITIVO Y PERMITIRA COMPROBAR HIPOTESIS ACERCA DE LA NATURALEZA DE LOS DEFECTOS EXISTENTES Y SOBRE LOS MECANISMOS DE TRANSPORTE QUE DETERMINAN LAS FLUCTUACIONES EN LOS PARAMETROS DE LAS RRAM, LOS RESULTADOS QUE SE ALCANCEN PERMITIRAN DAR PAUTAS PARA LA MEJORA DE LAS PRESTACIONES DE LOS DISPOSITIVOS, ADEMAS, ESTE PROYECTO NOS LLEVARA A LA POSICION DE PODER CONTRIBUIR A LA VALORACION DEL POTENCIAL DE ESTA TECNOLOGIA COMO ALTERNATIVA A LAS ACTUALES MEMORIAS NO VOLATILES,LOS PRINCIPALES OBJETIVOS CIENTIFICOS Y TECNOLOGICOS QUE NOS PLANTEAMOS SON:1-DESARROLLAR HERRAMIENTAS DE SOFTWARE PARA LA CARACTERIZACION AVANZADA DE LOS DISPOSITIVOS RRAM,2-DETERMINAR EL MECANISMO DE TRANSPORTE ELECTRONICO RESPONSABLE DE LA CONMUTACION,3-INVESTIGAR LAS FUENTES DE VARIABILIDAD Y LOS MECANISMOS DE ENVEJECIMIENTO QUE PUEDEN LIMITAR EL RENDIMIENTO EN DISPOSITIVOS RRAM EMERGENTES,4-DETERMINAR LA APROXIMACION TECNOLOGICA MAS FAVORABLE PARA REDUCIR LA VARIABILIDAD Y MEJORAR LA FIABILIDAD DE LOS DISPOSITIVOS RRAM, CONMUTACIÓN RESISTIVA\MIM\MIS\RRAM\VARIABILIDAD\FIABILIDAD

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