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TEC2017-84321-C4-3-R

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FABRICACION, CARACTERIZACION, SIMULACION, MODELADO Y APLICACIONES DE DISPOSITIVO...

FABRICACION, CARACTERIZACION, SIMULACION, MODELADO Y APLICACIONES DE DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVA EL SUBPROYECTO DEL GRUPO DE LA UNIVERSIDAD DE GRANADA (UGR) SE CENTRA EN LA SIMULACION Y EL MODELADO COMPACTO DE RRAMS Y MEMRISTORES BASADOS EN CONMUTACION RESISTIVA, LA PROPUESTA TIENE DOS ENFOQUES ESENCIALES, POR UN LADO, EL DES... ver más

01/01/2017

UGR

115K€

Presupuesto del proyecto: 115K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5511

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UGR

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5511

Presupuesto del proyecto 115K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL SUBPROYECTO DEL GRUPO DE LA UNIVERSIDAD DE GRANADA (UGR) SE CENTRA EN LA SIMULACION Y EL MODELADO COMPACTO DE RRAMS Y MEMRISTORES BASADOS EN CONMUTACION RESISTIVA, LA PROPUESTA TIENE DOS ENFOQUES ESENCIALES, POR UN LADO, EL DESARROLLO DE SIMULADORES QUE INCLUYAN UNA DESCRIPCION DETALLADA DE LOS PROCESOS FISICOS QUE TIENEN LUGAR EN LA OPERACION HABITUAL DE ESTOS DISPOSITIVOS, POR OTRO LADO, EL DESARROLLO DE MODELOS COMPACTOS Y LA SIMULACION DE CIRCUITOS QUE INCLUYAN ESTOS DISPOSITIVOS,EL DESARROLLO DE LAS HERRAMIENTAS DE SIMULACION SE PLANTEARA DESDE EL PUNTO DE VISTA MICROSCOPICO, BASADO EN ALGORITMOS DE MONTE CARLO CINETICO EN DOMINIOS DE SIMULACION TRIDIMENSIONALES, LAS ESTRUCTURAS A SIMULAR CORRESPONDERAN CON LOS DISPOSITIVOS FABRICADOS POR EL GRUPO DEL INSTITUTO DE MICROELECTRONICA DE BARCELONA (IMB-CSIC) (TANTO ESTRUCTURAS METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR COMO METAL-AISLANTE-METAL BASADAS EN UN FUNCIONAMIENTO CARACTERIZADO POR CONDUCTIVE BRIDGE RAMS Y VALENCE CHANGE MEMORIES), TAMBIEN SE ABORDARAN DISPOSITIVOS BASADOS EN OXIDOS AVANZADOS, SE UTILIZARA UNA AMPLIA GAMA DE MEDIDAS EXPERIMENTALES PARA PONER A PUNTO LOS SIMULADORES PARA CADA ESTRUCTURA FABRICADA, EL DESARROLLO DE ESTAS HERRAMIENTAS FACILITARA LA INTERPRETACION DE LAS MEDIDAS EXPERIMENTALES DE LOS GRUPOS DE INVESTIGACION COORDINADOS EN ESTE PROYECTO Y AYUDARA A LA MEJORA DE LOS DISEÑOS PROPUESTOS POR EL IMB-CSIC, SE ABORDARA EN PROFUNDIDAD EL ESTUDIO DE LOS FENOMENOS FISICOS MAS IMPORTANTES PARA LA OPERACION DE DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVA EN REGIMEN ESTACIONARIO Y TRANSITORIO, COMO LA VARIABILIDAD, RETENCION, RTN, ETC, LOS RESULTADOS APORTARAN MUCHO VALOR AÑADIDO A LA TECNOLOGIA QUE SE PRETENDE DESARROLLAR Y PERFECCIONAR EN ESTE PROYECTO COORDINADO,LOS SIMULADORES MICROSCOPICOS SE EMPLEARAN PARA PONER A PUNTO NUEVOS MODELOS COMPACTOS PARA LA SIMULACION CIRCUITAL, LA SEGUNDA TEMATICA PROPUESTA PARA NUESTRO PROYECTO, POR ELLO, TRATAREMOS CON AMPLITUD EL DESARROLLO DE MODELOS COMPACTOS PARA LA SIMULACION CIRCUITAL DE RRAMS Y MEMRISTORES BASADOS EN CONMUTACION RESISTIVA, LOS MODELOS FISICOS SE PRESENTARAN COMO MACROMODELOS DE SPICE Y EN FORMA DE CODIGO EN VERILOG-A, SE PLANTEARAN MODELOS AVANZADOS EN LOS QUE SE INCORPORARAN VARIOS FILAMENTOS CONDUCTIVOS CON UNA DESCRIPCION TERMICA DETALLADA, EL DESARROLLO DE MODELOS IRA ACOMPAÑADO CON EL ESTABLECIMIENTO DE TECNICAS DE EXTRACCION DE PARAMETROS DE MODO QUE SE PUEDA PONER A PUNTO UNA COMPLETA INFRAESTRUCTURA DE SIMULACION DE CIRCUITOS PARA LAS TECNOLOGIAS QUE SE VAN A DESARROLLAR, UTILIZAREMOS PARA ELLO TECNICAS DE APROXIMACION Y ESTADISTICA AVANZADAS, FINALMENTE, SE VAN SIMULAR DIFERENTES TIPOS DE CIRCUITOS CON LOS MODELOS IMPLEMENTADOS, ENTRE LOS CIRCUITOS CONSIDERAREMOS CIRCUITOS DE MEMORIA EN CONFIGURACION CROSSBAR, CIRCUITOS NEUROMORFICOS UTILIZANDO MEMRISTORES PARA REPLICAR SINAPSIS NEURONALES Y DIFERENTES CONFIGURACIONES PARA PRODUCIR PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTIONS (PUFS) PARA CIRCUITOS CRIPTOGRAFICOS, CONMUTACIÓN RESISTIVA\ALTA PERMITIVIDAD\MIS\MIM\RRAM\MEMRISTOR\NEUROMÓRFICO\DEEP LEARNING\E-HEALTH\AUTOMOCIÓN

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