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CHALLENGE: 3C SiC Hetero epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C SiC substrates for sustaiNab... CUSIC INC. participó en un H2020: H2020-NMBP-2016-2017 Silicon carbide presents a high breakdown field (2-4 MV/cm) and a high energy band gap (2.3–3.2 eV), largely higher than for silicon. Within...
2016-11-09 - 2021-06-30 | Financiado
* Datos extraídos de la documentos o webs disponibles en diferentes organismos públicos.