Innovating Works

CHALLENGE

Financiado
Cerrado
3C SiC Hetero epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C SiC subs...
3C SiC Hetero epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C SiC substrates for sustaiNable wide band Gap powEr devices Silicon carbide presents a high breakdown field (2-4 MV/cm) and a high energy band gap (2.3–3.2 eV), largely higher than for silicon. Within this frame, the cubic polytype of SiC (3C-SiC) is the only one that can be grown on a hos... ver más
30/06/2021
CNR
8M€
Presupuesto del proyecto: 8M€
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Líder del proyecto
CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
TRL 4-5
Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.
Ver 17 Participantes
Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2021-06-30
NMBP-02-2016: Advanced Materials for Power Electr...
Cerrada hace 9 años
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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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