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Opto silicon

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Towards optical communication on silicon chips

Our vision is to integrate light-emitting devices, based on hexagonal silicon-germanium (Hex-SiGe), with existing Si electronics and passive Si-photonics circuitry. This establishes a silicon-compatible technology platform, with f... ver más

30/04/2025

TU/e

4M€

Presupuesto del proyecto: 4M€

Líder del proyecto

TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 6 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2020-12-16

FETOPEN-01-2018-2019-2020: FET-Open Challenging Current Thinki...

I+D

Cerrada hace 6 años

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6 Participantes

TU/e

1.27M€ | Lider

TUM

578.58K€ | Participante

IBM

793.75K€ | Participante

UNI JENA

518.90K€ | Participante

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Duración del proyecto: 52 meses Fecha Inicio: 2020-12-16
Fecha Fin: 2025-04-30

Líder del proyecto

TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 4M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto Our vision is to integrate light-emitting devices, based on hexagonal silicon-germanium (Hex-SiGe), with existing Si electronics and passive Si-photonics circuitry. This establishes a silicon-compatible technology platform, with full opto-electronic functionality. Silicon dominates the electronics industry for more than half a century. However, silicon, germanium and SiGe-alloys are all indirect band gap semiconductors. Their inability to efficiently emit light has adversely shaped the semiconductor industry we know today. Accordingly, achieving efficient light emission from SiGe has been a holy grail in silicon technology for decades. Hexagonal crystal phase SiGe (Hex-SiGe) recently emerged as a new direct bandgap semiconductor with excellent light emission capabilities. Hex-SiGe will provide additional functionality like light generation (light emitting diode, laser), light amplification (semiconductor optical amplifier) and efficient light detection to silicon technology. This project will focus on: • The growth of device quality Hex-SiGe on silicon-on-insulator (SOI). • Demonstration of opto-electronic functionality in Hex-SiGe, including a quantum well laser. This new technology promises strongly improved performance in computing and sensing, while simultaneously reducing cost by mass production in existing silicon foundries.

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