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High Performance and High Yield Heterogeneous III V Si Photonic Integrated Circu...

High Performance and High Yield Heterogeneous III V Si Photonic Integrated Circuits using a Thin and Uniform Bonding Layer The objective of PICTURE project is to develop a photonic integration technology by bonding multi-III-V-dies of different epitaxial stacks to SOI wafers with a thinner and uniform dielectric bonding layer. This heterogeneous integ... ver más

31/12/2021

IIIV LAB

4M€

Presupuesto del proyecto: 4M€

Líder del proyecto

IIIV LAB No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 8 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2021-12-31

ICT-30-2017: Photonics KET 2017

I+D

Cerrada hace 7 años

0% 97% 100%

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No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

8 Participantes

IIIV LAB

793.62K€ | Lider

297.26K€ | Participante

UNIVERSITY COLLEGE LONDON

369.29K€ | Participante

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Duración del proyecto: 49 meses Fecha Inicio: 2017-11-21
Fecha Fin: 2021-12-31

Líder del proyecto

IIIV LAB No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 4M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto The objective of PICTURE project is to develop a photonic integration technology by bonding multi-III-V-dies of different epitaxial stacks to SOI wafers with a thinner and uniform dielectric bonding layer. This heterogeneous integration platform will enable higher performance lasers and photo-detectors using the optimized III-V dies. In addition, the thinner bonding layer will lead to record performance MOSCAP III-V/Si modulators, and to a new generation of wavelength tunable distributed feedback lasers. Moreover the full process including SOI process, bonding, III-V and back-end process will be made on a 200mm R&D CMOS line, leading to higher yield, smaller footprint and lower cost PICs. Two types of PICs with a total capacity of 400Gb/s will be developed, packaged and validated in system configuration. In parallel, PICTURE project will develop direct growth of high performance quantum-dot lasers and selective area growth on bonded templates for high density future generation of PICs. The project is coordinated by III-V Lab, and includes University of Southampton, CEA, University College London, Imec, Tyndall, Argotech and Nokia Bell Labs. The consortium is highly complementary, covering all skills required to achieve the project objectives: growth of semiconductor materials, silicon process and III-V process, design and characterization of PICs, prototyping and assessment of PICs in high bit rate digital communication systems: Apart from the adequacy of the consortium to achieve collectively the project objectives, the consortium partners have the potential to set up a comprehensive supply chain for the future exploitation of the project results, either by exploiting the results in house or by setting up suitable partnerships.

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