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ESP2015-68117-C2-1-R

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TECNOLOGIAS BASADAS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE CARBURO DE SILICIO Y EN S...

TECNOLOGIAS BASADAS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE CARBURO DE SILICIO Y EN SENSORES DE CORRIENTE MAGNETORRESISTIVOS PARA LAS ETAPAS DE RECTIFICACION EN PROPULSION IONICA EL AUMENTO DE LA DENSIDAD DE POTENCIA (W/KG) DE LOS SISTEMAS PROCESADORES DE POTENCIA ESPACIALES ESTA CONSTANTEMENTE DEMANDADO, YA SEA PARA ALBERGAR MAS CARGAS, COMERCIALES O CIENTIFICAS, COMO PARA CONSEGUIR UNA REDUCCION DEL VEHI... ver más

01/01/2015

61K€

Presupuesto del proyecto: 61K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Presupuesto del proyecto 61K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL AUMENTO DE LA DENSIDAD DE POTENCIA (W/KG) DE LOS SISTEMAS PROCESADORES DE POTENCIA ESPACIALES ESTA CONSTANTEMENTE DEMANDADO, YA SEA PARA ALBERGAR MAS CARGAS, COMERCIALES O CIENTIFICAS, COMO PARA CONSEGUIR UNA REDUCCION DEL VEHICULO, LA OPCION PREFERIDA PARA AUMENTAR LAS PRESTACIONES DE LOS SISTEMAS DE POTENCIA PASA POR ADOPTAR TECNOLOGIAS YA MADURAS EN APLICACIONES TERRESTRES Y COMPROBAR QUE PUEDEN TRABAJAR EN ENTORNOS EXTREMOS, ASI PUES, EN ESTE CONTEXTO, LA PRESENTE PROPUESTA PRETENDE ESTUDIAR LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS DE CARBURO DE SILICIO (SIC) Y EL SENSADO DE CORRIENTE MAGNETORRESISTIVA (MR) PARA APLICACIONES ESPACIALES Y DETERMINAR SUS POTENCIALES VENTAJAS FRENTE A LA TECNOLOGIA EMPLEADAS EN LA ACTUALIDAD,LA PRESENTE PROPUESTA ESTA RELACIONADA CON UN PROYECTO COORDINADO PREVIO, REFERENCIA AYA2012-37444-C02, EL CUAL ESTABA ORIENTADO A LA EVALUACION DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS DE NITRURO DE GALIO PARA APLICACIONES ESPACIALES Y EN CUAL SE INICIO TAMBIEN UNA SERIE DE ACTIVIDADES EN RELACIONADAS CON EL SENSADO DE CORRIENTE POR EFECTO MAGNETORRESTIVO PARA ESTE MISMO CAMPO, HASTA LA FECHA, LA EVALUACION DE LA TECNOLOGIA GAN EN APLICACIONES ESPACIALES HA LOGRADO EL AUMENTO DE LA FRECUENCIA DE CONMUTACION EN CONVERTIDORES DE BAJA TENSION, HABIENDO REALIZADO DOS DEMOSTRADORES DE DICHA TECNOLOGIA: UN CONVERTIDOR DE BUS INTERMEDIO (IBC) PARA LA DISTRIBUCION DE POTENCIA A LOS REGULADORES FINALES DE CARGAS Y UN CONVERTIDOR DE ENTRADA PARA LA ALIMENTACION DE TUBOS DE ONDA PROGRESIVA, EN AMBOS CASOS, EL AUMENTO DE LA FRECUENCIA DE CONMUTACION (A 1MHZ), HA LOGRADO UNA REDUCCION DE LOS ELEMENTOS PASIVOS Y UNA MEJOR RESPUESTA DINAMICA, ASPECTOS CLAVE EN AMBAS CONVERTIDORES,LOS OBJETIVOS PARA EL PRESENTE PROYECTO SON DISTINTOS Y VAN ORIENTADOS A LOS BENEFICIOS QUE SE PUEDEN OBTENER POR UNA MAYOR TEMPERATURA Y UNA MAYOR TENSION DE FUNCIONAMIENTO DEL SIC (COMPARADO CON LOS SEMICONDUCTORES BASADOS EN SI), DE LA MISMA FORMA, LOS SENSORES MAGNETORRESISTIVOS TIENEN UNAS ESPECIFICACIONES DISTINTAS A LAS REQUERIDAS EN CONVERTIDORES BASADOS EN GAN, SIENDO NECESARIO LA OPERACION A MAYOR TEMPERATURA CON EL CONTROL DE LA DERIVA Y LA SENSIBILIDAD DEL MISMO,LOS OBJETIVOS PROPUESTOS PARA ESTE PROYECTO COORDINADO SON:- ANALIZAR LA IMPLANTACION DE LA TECNOLOGIA DE CARBURO DE SILICIO Y LOS SENSORES DE CORRIENTE MAGNETORRESISTIVOS EN PROCESADORES DE POTENCIA EMBARCADOS EN VEHICULOS ESPACIALES,- CARACTERIZACION DE DICHOS DISPOSITIVOS PARA SU USO EN AMBIENTE ESPACIAL (CARACTERIZACION ELECTRICA, TERMICA Y RADIACION),- ESTUDIO DE LA FIABILIDAD DE DICHOS DISPOSITIVOS PARA LOS ESTANDARES DE LA ESA,- DISEÑAR E IMPLEMENTAR UN RECTIFICADOR DE ALTA TENSION PARA LA ALIMENTACION DE LOS PROPULSORES IONICOS PARA LA EVALUACION Y COMPARACION CON LAS OPCIONES ACTUALES, RESPECTO DE LA MEJORA EN EL USO DEL SIC COMO DISPOSITIVO DE POTENCIA Y DE LA MEJORA QUE REPRESENTARA EL USO DE LAS MR COMO SISTEMA DE MEDIDA DE CORRIENTE NO INVASIVA TANTO PARA SISTEMAS DE PROTECCION COMO DE REGULACION,RESPECTO DE LOS RESULTADOS ESPERADOS, SE PRETENDE AVANZAR IDENTIFICANDO, ANALIZANDO Y COMPROBANDO CON UN DEMOSTRADOR, LOS NICHOS DONDE LA TECNOLOGIA SEMICONDUCTORA DE SIC VA A REPRESENTAR UNA NUEVA GENERACION FUTURA PARA LA ELECTRONICA DE POTENCIA EN ESPACIO, EN CONCRETO SE INFIERE, DEL ESTADO ACTUAL DE LOS DISPOSITIVOS DESARROLLADOS, QUE EL BENEFICIO SINGULAR SERA EN LAS APLICACIONES DE ALTA TENSION ELECTRÓNICA DE POTENCIA\DISPOSITIVOS SIC\SENSADO DE CORRIENTE MEDIANTE EFECTO MAG\TECNOLOGÍA ESPACIAL\UNIDAD DE ACONDICIONAMIENTO Y DISTRIBUCI\TUBOS DE ONDA PROGRESIVA\RECTIFICADORES DE ALTA TENSIÓN\PROPULSIÓN IÓNICA

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