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AYA2012-37444-C02-02

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APLICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE BANDA ANCHA Y MAGNETORRESISTENCIAS...

APLICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE BANDA ANCHA Y MAGNETORRESISTENCIAS EN ACONDICIONADORES ELECTRONICOS PARA ALIMENTACION DE TUBOS DE ONDA PROGRESIVA EN SATELITES ACTUALMENTE LOS CONVERTIDORES DC/DC CONMUTADOS USADOS EN EL AMBITO AEROESPACIAL ESTAN BASADOS EN EL USO DE TRANSISTORES MOSFET DE SILICIO. ESTOS TRANSISTORES SE COMPORTAN DE FORMA ROBUSTA ANTE LAS RADIACIONES RECIBIDAS EN EL AMBIE... ver más

01/01/2012

UMH

59K€

Presupuesto del proyecto: 59K€

Líder del proyecto

FUNDACIÓN UNIVERSITAS MIGUEL HERNANDEZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2012-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UMH

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Líder del proyecto

FUNDACIÓN UNIVERSITAS MIGUEL HERNANDEZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Presupuesto del proyecto 59K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto ACTUALMENTE LOS CONVERTIDORES DC/DC CONMUTADOS USADOS EN EL AMBITO AEROESPACIAL ESTAN BASADOS EN EL USO DE TRANSISTORES MOSFET DE SILICIO. ESTOS TRANSISTORES SE COMPORTAN DE FORMA ROBUSTA ANTE LAS RADIACIONES RECIBIDAS EN EL AMBIENTE ESPACIAL Y PERMITEN LOGRAR BUENAS EFICIENCIAS, TRABAJANDO A FRECUENCIAS DE CONMUTACION DEL ORDEN DE MAGNITUD DE 100KHZ. SIN EMBARGO NO ES VIABLE CON ESTA TECNOLOGIA DE SILICIO AUMENTAR LA FRECUENCIA DE CONMUTACION, DEBIDO AL AUMENTO DE LAS PERDIDAS QUE SE GENERARIAN. ASI SE NECESITA UN MATERIAL SEMICONDUCTOR PARA IMPLEMENTAR INTERRUPTORES ELECTRONICOS QUE PUDIERA PROCESAR LA POTENCIA A MAYOR FRECUENCIA (RANGO DE MHZ) CON MAYOR EFICIENCIA, LO CUAL REPRESENTARIA UNA REVOLUCION EN LOS SISTEMAS DE POTENCIA CONMUTADOS. ENTRE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES CON MAYOR POTENCIALIDAD DE FUTURO DESTACAN LOS DE BANDA PROHIBIDA ANCHA (WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS), PARTICULARMENTE EL NITRURO DE GALIO (GAN) Y EL CARBURO DE SILICIO (SIC). LAS EXCEPCIONALES PROPIEDADES FISICAS DE ESTOS MATERIALES HACEN QUE SEAN ESPECIALMENTE ADECUADOS PARA APLICACIONES ELECTRONICAS DE ALTA FRECUENCIA Y ALTA POTENCIA, CONFIRIENDOLES ADEMAS UNA ELEVADA RESISTENCIA FRENTE A LAS ALTAS TEMPERATURAS, LA RADIACION Y LOS AMBIENTES QUIMICOS EXTREMOS. EN ESTOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO LA RESISTENCIA DE CONDUCCION ES MENOR QUE PARA LOS MATERIALES DE SILICIO EN UN ORDEN DE MAGNITUD, SIN EL CORRESPONDIENTE AUMENTO DE LA CAPACIDAD DE PUERTA, LO CUAL SIGNIFICA UNA REDUCCION EN LAS PERDIDAS DE CONDUCCION PUDIENDO ADEMAS AUMENTAR LA FRECUENCIA DE CONMUTACION PARA REDUCIR EL TAMAÑO DE LOS COMPONENTES REACTIVOS ASOCIADOS EN UN CONVERTIDOR DC/DC.SIENDO LA PRIORIDAD LA REDUCCION DE MASA DEL CONVERTIDOR DC/DC DE POTENCIA, NO HAY QUE DESPRECIAR LA ETAPA DE CONTROL QUE LLEVA ASOCIADA. EN ELLA EL ELEMENTO MAS DISIPATIVO Y VOLUMINOSO SON LAS RESISTENCIAS SHUNT DE SENSADO PARA LA CORRIENTE. ESTA TECNICA ES FIABLE, PERO A SU VEZ DISIPATIVA Y NO AISLADA. POR ELLO, SUSCITA GRAN INTERES TECNOLOGICO AVANZAR EN LA INVESTIGACION DE UNA INSTRUMENTACION PARA LA MEDIDA DE CORRIENTE QUE ADEMAS DE BAJO PESO Y REDUCIDO VOLUMEN APORTE ELEMENTOS TALES COMO LA NO DISIPACION DE ENERGIA PARA LA MEDIDA, AISLAMIENTO GALVANICO Y BAJO CONSUMO. TODAS ESTAS CARACTERISTICAS LAS POSEE DE MANERA INHERENTE LA TECNOLOGIA DE SENSADO MAGNETORRESISTIVO (MR).POR TANTO LA FINALIDAD DEL PROYECTO ES ESTUDIAR, DESARROLLAR Y VALIDAR EXPERIMENTALMENTE LOS BENEFICIOS EN LA UTILIZACION DE LOS TRANSISTORES FET DE POTENCIA CON TECNOLOGIA GAN Y DE LOS SENSORES MAGNETORRESISTIVOS PARA SU USO EN LOS CONVERTIDORES CONMUTADOS QUE PROCESAN LA POTENCIA DENTRO DEL SISTEMA DE ACONDICIONAMIENTO DE UN BUS AEROESPACIAL CON EL OBJETIVO PRIMORDIAL DE LA REDUCCION DE LA MASA. ASI MISMO SE DETERMINARAN LOS LIMITES DE FUNCIONAMIENTO EN TERMINOS DE FRECUENCIA/POTENCIA PARA ESTOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO. DICHOS OBJETIVOS ENMARCADOS EN EL SISTEMA DE POTENCIA AEROESPACIAL SE PARTICULARIZARA A LOS GRANDES SATELITES DE TELECOMUNICACIONES (20KW) QUE ES DONDE ACTUALMENTE SE CENTRA EL PROBLEMA DE MASA, VOLUMEN Y DISIPACION TERMICA.

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