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TEC2010-20796

Financiado

SINTESIS DE NANOHILOS DE ZNO Y GA(AS,N) PARA DETECCION DE ALTA SENSIBILIDAD EN L...

SINTESIS DE NANOHILOS DE ZNO Y GA(AS,N) PARA DETECCION DE ALTA SENSIBILIDAD EN LOS RANGOS UV E IR EL OBJETIVO FINAL DEL PROYECTO ES DESARROLLAR NUEVOS DETECTORES OPTICOS PARA APLICACIONES QUE REQUIEREN ALTA SENSIBILIDAD, LA INVESTIGACION ESTA FUNDAMENTADA EN LAS LIMITACIONES DE LAS TECNOLOGIAS EXISTENTES PARA PROPORCIONAR DETE... ver más

01/01/2010

UAM

163K€

Presupuesto del proyecto: 163K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3182

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01

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Participantes

UAM

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID

Total investigadores 3182

Presupuesto del proyecto 163K€

Descripción del proyecto EL OBJETIVO FINAL DEL PROYECTO ES DESARROLLAR NUEVOS DETECTORES OPTICOS PARA APLICACIONES QUE REQUIEREN ALTA SENSIBILIDAD, LA INVESTIGACION ESTA FUNDAMENTADA EN LAS LIMITACIONES DE LAS TECNOLOGIAS EXISTENTES PARA PROPORCIONAR DETECCION DE FOTONES UNICOS A BAJAS TENSIONES DE POLARIZACION, EN TAMAÑOS PORTATILES Y QUE NO INVOLUCREN PESADAS CARGAS DE MATERIAL ELECTRONICO, EL DESARROLLO DE SISTEMAS SENSORES DE LUZ CON ALTA VELOCIDAD, ALTA EFICIENCIA Y ALTA SENSIBILIDAD A UNA ESCALA MINIATURIZADA ES CRUCIAL PARA EL PROGRESO DE AREAS TALES COMO LA ESPECTROSCOPIA DE FLUORESCENCIA, EL LIDAR O LA COMUNICACION CUANTICA, LAS CAMARAS DIGITALES PODRIAN TAMBIEN BENEFICIARSE DEL RESULTADO DEL PROYECTO, ABRIENDO UN MERCADO EXTRAODINARIO PARA LA EXPLOTACION INDUSTRIAL DE LOS COMPONENTES Y PROTOTIPOS FINALES,EL PROYECTO BUSCA APRENDER DE AQUELLOS MECANISMOS Y ESTRUCTURAS QUE HACEN POSIBLE EL PROCESO DE VISUALIZACION EN VERTEBRADOS PARA FABRICAR NANOESTRUCTURAS (NES) DETECTORAS DE LUZ, POR TANTO, EL PROYECTO EXPLORA LAS FRONTERAS DE LA NANOTECNOLOGIA A TRAVES DEL DESARROLLO DE NES INSPIRADAS EN LA NATURALEZA PARA PROPORCIONAR DETECCION DE LUZ DE ALTA EFICIENCIA EN EL RANGO UV Y A LONGITUDES DE ONDA DE TELECOMUNICACION (1,3 AND 1,55 µM), PARA EL RANGO UV SE EMPLEARAN NANOESTRUCTURAS DE ZNO MIENTRAS QUE PARA EL RANGO INFRARROJO SE USARAN NITRUROS DILUIDOS PARA DESPLAZAR EL BORDE DE ABSORCION LO MAS LEJOS POSIBLE DENTRO DEL RANGO INFRARROJO,LOS OBJETICOS ESPECIFICOS DEL PROYECTO SON:(I) OPTIMIZAR LOS METODOS DE DEPOSITO PARA LA PRODUCCION DE NES DE GA(AS,N) Y ZNO,(II) FABRICAR SENSORES OPTOELECTRONICOS BASADOS EN NES,(III) INVESTIGAR FENOMENOS DE IONIZACION POR IMPACTO EN NES,(IV) APROXIMARSE AL REGIMEN DE DETECCION DE FOTONES UNICOS A BAJAS TENSIONES DE POLARIZACION,(V) INTEGRAR NES DE AMBOS MATERIALES PARA DETECCION DUAL UV/IR,

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