SIMULACION DEL TRANSPORTE DE ELECTRONES Y SUS CORRELACIONES CUANTICAS EN DISPOSI...
SIMULACION DEL TRANSPORTE DE ELECTRONES Y SUS CORRELACIONES CUANTICAS EN DISPOSITIVOS NANOMETRICOS
EN ESTE PROYECTO PROPONEMOS REALIZAR SIMULACIONES DEL TRANSPORTE DE ELECTRONES EN VARIOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE LOS DOMINIOS "MORE MOORE" Y "BEYOND CMOS" IDENTIFICADOS EN EL "INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTO...
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Descripción del proyecto
EN ESTE PROYECTO PROPONEMOS REALIZAR SIMULACIONES DEL TRANSPORTE DE ELECTRONES EN VARIOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE LOS DOMINIOS "MORE MOORE" Y "BEYOND CMOS" IDENTIFICADOS EN EL "INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS" (ITRS), EN ESPECIAL, NOS CENTRAREMOS EN LA MODELIZACION DE LAS CARACTERISTICAS DINAMICAS (AC, RUIDO) DE ESTOS DISPOSITIVOS, PARA LAS CUALES SE REQUIERE DEDICAR UNA ESPECIAL ATENCION A LAS CORRELACIONES CUANTICAS, PARA LOGRAR NUESTROS OBJETIVOS CONTEMPLAMOS DOS GRANDES LINEAS: LINEA A: EN ESTA LINEA PRETENDEMOS DESARROLLAR UN SIMULADOR PARA DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ATOMISTICO/CUANTICOS, COMBINAREMOS UNA METODOLOGIA PROPIA, YA PUBLICADA, DE TRANSPORTE ELECTRONICO "MULTI-PARTICULA" DE TRAYECTORIAS CUANTICAS DE BOHM CON UNA DESCRIPCION RIGUROSA DE LA ESTRUCTURA DE BANDAS BASADA EN TECNICAS DE "PRIMEROS PRINCIPIOS", ESTA COMBINACION NOS PROPORCIONARA UNA HERRAMIENTA DE SIMULACION UNICA, ESPECIALMENTE ATRACTIVA PARA LA DESCRIPCION CUANTITATIVA DE LAS PRESTACIONES AC Y DE RUIDO DE DISPOSITIVOS EMERGENTES, LOS SIMULADORES DE TRANSPORTE ELECTRONICO DE "PRIMEROS PRINCIPIOS" SON RELATIVAMENTE RECIENTES Y NO CONTEMPLAN ESTA INFORMACION, AL FINALIZAR EL PROYECTO, NOS PROPONEMOS PONER EL SIMULADOR (JUNTO CON OTROS MODULOS DE SIMULACION CLASICA MONTE CARLO DE DISPOSITIVOS O SIMULADORES "TIGHT-BINDING" Y "K·P" YA DESARROLLADOS) A DISPOSICION DE LA COMUNIDAD CIENTIFICA INTERNACIONAL MEDIANTE SU DIFUSION A TRAVES DE UN SITIO WEB EN FORMATO WIKI, LINEA B: EN LA SEGUNDA LINEA, LLEVAREMOS A CABO LAS SIMULACIONES DE DISPOSITIVOS PROPIAMENTE DICHAS, UTILIZANDO TANTO LOS MODULOS DEL SIMULADOR MULTIESCALA DE LA LINEA A, COMO HERRAMIENTAS EXTERNAS, POR UN LADO, ANALIZAREMOS LAS PRESTACIONES DE LOS TRANSISTORES MOSFET NANOMETRICOS DEL DOMINO "MORE MOORE", Y POR OTRO DISPOSITIVOS DEL DOMINIO "BEYOND CMOS" COMO ESTRUCTURAS TUNEL RESONANTES, DISPOSITIVOS BASADOS EN ESPIN Y DISPOSITIVOS CON NANOHILOS DE SILICIO, COMO HEMOS MENCIONADO, DEDICAREMOS UNA ESPECIAL ATENCION A LAS PRESTACIONES DINAMICAS POCO ESTUDIADAS DE ESTOS DISPOSITIVOS, PERO QUE DEBEN SER IGUALMENTE DETERMINANTES PARA REVELAR LA VIABILIDAD DE ESTAS PROPUESTAS COMO CANDIDATOS A SUSTITUIR AL MOSFET TRADICIONAL, NUESTRA PROPUESTA APUNTA CLARAMENTE A UNO DE LOS DESAFIOS IDENTIFICADOS EN LA EDICION DE 2007 DEL INFORME DEL ITRS, EL DEL MODELADO EN LA NANOESCALA PARA DISPOSITIVOS Y MATERIALES EMERGENTES, NANOELECTRONICA\DISPOSITIVOS ELECTRONICOS\TRANSPORTE ELECTRONICO\SIMULACION MONTE CARLO\CORRELACIONES ELECTRONICAS\RUDIO\ALTA FREQUENCIA\ESPIN\TRAYECTORIAS DE BOHM CUANTICAS\ECUACION MULTI-PARTICULA DE SCHRODINGER
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