FENOMENOS DE TRANSPORTE NO LINEAL EN NANOESTRUCTURAS
EL TRANSPORTE NO LINEAL DE CARGA Y SPIN EN NANOESTRUCTURAS ES ESENCIAL PARA PROPONER Y MODELAR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y ESPINTRONICOS, A PESAR DE LO CUAL HAY TEMAS FUNDAMENTALES QUE SE ENTIENDEN POCO, EN UN NUEVO MATERIAL QUE P...
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Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2008-01-01
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Descripción del proyecto
EL TRANSPORTE NO LINEAL DE CARGA Y SPIN EN NANOESTRUCTURAS ES ESENCIAL PARA PROPONER Y MODELAR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y ESPINTRONICOS, A PESAR DE LO CUAL HAY TEMAS FUNDAMENTALES QUE SE ENTIENDEN POCO, EN UN NUEVO MATERIAL QUE PROMETE TANTO COMO EL GRAFENO, LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DEPENDEN MUCHO DE LA PRESENCIA DE DEFECTOS, POR TANTO ES MUY IMPORTANTE PARA LA TEORIA Y LOS EXPERIMENTOS ENTENDER LA ESTABILIDAD DE UNA RED DE GRAFENO QUE CONTIENE DEFECTOS, JUNTO CON LA ESTABILIDAD, GENERACION Y MOVIMIENTO DE LOS DEFECTOS, LOS OBJETIVOS DE ESTE PROYECTO SON:1, PROPONER ECUACIONES CINETICAS CUANTICAS Y SEMICLASICAS QUE DESCRIBAN EL TRANSPORTE NO LINEAL DE CARGA Y ESPIN EN NANOESTRUCTURAS SIMPLES (SUPERREDES Y SUPERREDES LATERALES SEMICONDUCTORAS), OBTENER Y RESOLVER LAS ECUACIONES REDUCIDAS PARA DENSIDADES DE ELECTRONES Y EL CAMPO ELECTRICO Y COMPARAR Y VALIDAR LOS RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE ESTAS DIFERENTES DESCRIPCIONES,2, ESTUDIAR LOS NANO-OSCILADORES DE ALTA FRECUENCIA DE CARGA Y ESPIN BASADOS EN ESTRUCTURAS DE MULTIPLES POZOS CUANTICOS (SUPERREDES SEMICONDUCTORAS II-VI DEBILMENTE ACOPLADAS Y DOPADAS CON IMPUREZAS MAGNETICAS DILUIDAS, SUPERREDES LATERALES III-V CON FUERTE INTERACCION ESPIN-ORBITA RASHBA),3, PROPONER Y ESTUDIAR MODELOSDE GRAFENO ESPACIALMENTE DISCRETOS QUE INCLUYAN EFECTOS DE CURVATURA CON LOS QUE DILUCIDAR LA ESTABILIDAD, GENERACION Y MOVIMIENTO DE DEFECTOS, ESTUDIAR LA RECONSTRUCCION DE IMAGENES DE LOS DEFECTOS,4, EXPLORAR LAS IMPLICACIONES DE LAS CONFIGURACIONES ESTABLES CON DEFECTOS PARA EL TRANSPORTE ELECTRONICO EN GRAFENO, teoría cinética cuántica\superredes semiconductoras\transporte\espín\carga\grafeno\defectos