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MAT2013-40489-P

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PROCESADO A BAJA TEMPERATURA DE LAMINAS DELGADAS DE OXIDOS COMPLEJOS A PARTIR DE...

PROCESADO A BAJA TEMPERATURA DE LAMINAS DELGADAS DE OXIDOS COMPLEJOS A PARTIR DE DISOLUCIONES ACTIVADAS PARA LA PROXIMA GENERACION DE DISPOSITIVOS EN ELECTRONICA FLEXIBLE LA MICROELECTRONICA DEMANDA DISPOSITIVOS LIGEROS, BARATOS Y CON ALTAS PRESTACIONES, LO QUE ESTA EMPUJANDO LA INTEGRACION DE LAMINAS DELGADAS DE OXIDOS FUNCIONALES CON SUBSTRATOS FLEXIBLES, LAS RUTINAS CONVENCIONALES DE INTEGRACION... ver más

01/01/2013

CSIC

89K€

Presupuesto del proyecto: 89K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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CSIC

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 89K€

Descripción del proyecto LA MICROELECTRONICA DEMANDA DISPOSITIVOS LIGEROS, BARATOS Y CON ALTAS PRESTACIONES, LO QUE ESTA EMPUJANDO LA INTEGRACION DE LAMINAS DELGADAS DE OXIDOS FUNCIONALES CON SUBSTRATOS FLEXIBLES, LAS RUTINAS CONVENCIONALES DE INTEGRACION EN MICROELECTRONICA UTILIZAN TEMPERATURAS DE PROCESADO < 450ºC, LOS SUBSTRATOS FLEXIBLES EXIGEN TEMPERATURAS MENORES Y METODOS EN DISOLUCION DE BAJO COSTE, ACTUALMENTE, SE REALIZAN GRANDES ESFUERZOS EN EL PROCESADO A BAJA TEMPERATURA DE SEMICONDUCTORES, MUCHOS DE ESTOS ESTAN DIRIGIDOS A LA PREPARACION A BAJA TEMPERATURA DE PELICULAS DE ZNO, YA QUE SE PREVE QUE ESTE MATERIAL TENDRA UN PAPEL VITAL EN LOS PROXIMOS DISPOSITIVOS FLEXIBLES, PERO LAS ALTAS PRESTACIONES DEMANDADAS, HACEN NECESARIO INTEGRAR OTRO TIPO DE CAPAS ACTIVAS QUE INCREMENTEN LA FUNCIONALIDAD, ESTA ES UNA OPORTUNIDAD UNICA PARA LOS OXIDOS FERROELECTRICOS, YA QUE SU MULTIFUNCIONALIDAD INTRINSECA LES PERMITE REALIZAR DIVERSAS OPERACIONES EN EL DISPOSITIVO, LA INTEGRACION DE OXIDOS COMPLEJOS CRISTALINOS EN ELECTRONICA FLEXIBLE ES UN DESAFIO; REQUIEREN ALTAS TEMPERATURAS DE PROCESADO (>600ºC), LAS TECNICAS DE DEPOSITO DE DISOLUCIONES SE PRESENTAN HOY EN DIA COMO LOS UNICOS METODOS QUE PERMITEN UNA INTEGRACION DIRECTA DE CAPAS PASIVAS/ACTIVAS CON SUBSTRATOS FLEXIBLES, CON LA VENTAJA ADICIONAL DE PODER MANIPULAR LA QUIMICA DE LA DISOLUCION PARA REDUCIR LA BARRERA DE ENERGIA LIBRE DE GIBBS Y NUCLEAR ANTICIPADAMENTE EL OXIDO CRISTALINO, CONSIGUIENDO ASI UNA REDUCCION DE LA TEMPERATURA DE CRISTALIZACION,ESTA PROPUESTA ABORDA EL PROCESADO A BAJA TEMPERATURA DE OXIDOS COMPLEJOS MULTIFUNCIONALES SOBRE SUBSTRATOS PLASTICOS FLEXIBLES MEDIANTE EL DEPOSITO DE DISOLUCIONES FOTO-ACTIVADAS, SE VAN A CONSIDERAR ESTRATEGIAS NOVEDOSAS DE SINTESIS; E,G,, (I) SINTESIS DE COMPLEJOS METALICOS FOTOSENSIBLES, (II) SOLES DIFASICOS SEMILLADOS Y FOTOSENSIBLES Y/O (III) DESCOMPOSICION ASISTIDA POR FOTOCATALISIS, EL OBJETIVO ES REDUCIR LA TEMPERATURA DE CRISTALIZACION DEL OXIDO COMPLEJO A NIVELES COMPATIBLES CON LA ESTABILIDAD TERMICA DEL SUBSTRATO, ESTOS METODOS SE APLICARAN A PRECURSORES DE OXIDOS FERROELECTRICOS [EL COMPUESTO FERRO-PIEZOELECTRICO PB(ZR1-XTIX)O3 Y PEROVSKITAS LIBRES DE PLOMO (BATIO3-BI1-XNAXTIO3 AND/OR BIFEO3)], LA APLICABILIDAD GENERAL DE ESTAS RUTAS SINTETICAS SE DEMOSTRARA ADEMAS EN ZNO, PARA LA INTEGRACION DE LAS PELICULAS CON SUBSTRATOS PLASTICOS FLEXIBLES, LOS METODOS EN DISOLUCION SE COMBINARAN CON LA NUEVA TECNOLOGIA DE DEPOSITO DE LAMINA IMPLEMENTADA A ESCALA DE LABORATORIO POR ESTE GRUPO EN EL ICMM-CSIC; PHOTOCHEMICAL SOLUTION DEPOSITION, PCSD, LOS LIMITES INFERIORES DE TEMPERATURA PARA LA CRISTALIZACION DE ESTAS LAMINAS SE DETERMINARAN PRIMERO SOBRE SUBSTRATOS RIGIDOS DE SILICIO Y VIDRIO BOROSILICATO, EXPLORANDO TAMBIEN EL POTENCIAL DE ESTAS TECNOLOGIAS DE PROCESADO EN DISPOSITIVOS BASADOS EN SI, LOS OXIDOS METALICOS SE PREPARARAN COMO LAMINAS Y MULTICAPAS COMPUESTAS DELGADAS, EN ESTAS ULTIMAS SE HA DEMOSTRADO UNA MEJORA DE LAS PROPIEDADES FUNCIONALES (E,G,, REMANENCIA DE LA POLARIZACION, PIROELECTRICIDAD O PIEZOELECTRICIDAD), LOS MATERIALES SE CARACTERIZARAN A ESCALA NANOSCOPICA Y MACROSCOPICA, LO QUE PERMITIRA EVALUAR LA UTILIDAD DE ESTOS MATERIALES EN LA PROXIMA GENERACION DE DISPOSITIVOS FLEXIBLES, CUYAS APLICACIONES ESTAN DEMANDANDO OXIDOS COMPLEJOS CRISTALINOS MULTIFUNCIONALES ADEMAS DE LOS SEMICONDUCTORES TRADICIONALES (E,G,, RECOLECCION DE ENERGIA, PANTALLAS FLEXIBLES O CELULAS FOTOVOLTAICAS), BAJA TEMPERATURA\ ELECTRÓNICA FLEXIBLE\ LÁMINA DELGADA\ OXIDOS FUNCIONALES\ FERROELECTRICOS\ PIEZOELÉCTRICOS

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