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TEC2015-65212-C3-3-P

Financiado

PEINES DE FRECUENCIA GENERADOS POR LASERES DE SEMICONDUCTOR

LOS PEINES DE FRECUENCIA OPTICA SE USAN EN METROLOGIA, EN LA MEDIDA DE FRECUENCIA ABSOLUTA, DETECCION REMOTA, GENERACION DE THZ, FOTONICA DE MICROONDAS Y COMUNICACIONES OPTICAS COHERENTES, EL METODO IDEAL PARA LA GENERACION DEL PE... ver más

01/01/2015

UIB

78K€

Presupuesto del proyecto: 78K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE LAS ISLAS BALEARES No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 20

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE LAS ISLAS BALEARES No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 20

Presupuesto del proyecto 78K€

Descripción del proyecto LOS PEINES DE FRECUENCIA OPTICA SE USAN EN METROLOGIA, EN LA MEDIDA DE FRECUENCIA ABSOLUTA, DETECCION REMOTA, GENERACION DE THZ, FOTONICA DE MICROONDAS Y COMUNICACIONES OPTICAS COHERENTES, EL METODO IDEAL PARA LA GENERACION DEL PEINE DEPENDE DE LA APLICACION PROPUESTA, MIENTRAS QUE LOS LASERES DE MODO BLOQUEADO PUEDEN GENERAR TRENES DE PULSOS DE PS CON VELOCIDADES DE REPETICION DE DECENAS DE GHZ QUE SON UTILES PARA EL MULTIPLEXADO OPTICO EN EL DOMINIO TEMPORAL, LOS PEINES PARA COMUNICACIONES OPTICAS SE GENERAN USUALMENTE MEDIANTE MODULADORES ELECTRO-OPTICOS, RECIENTEMENTE EL ENCENDIDO POR GANANCIA DE LASERES DE SEMICONDUCTOR MONOMODO HA APARECIDO COMO UNA ALTERNATIVA A LA MODULACION ELECTRO-OPTICA DEBIDO AL MENOR COSTE Y COMPLEJIDAD DEL TRANSMISOR,EL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES ESTUDIAR, TANTO DESDE UN PUNTO DE VISTA TEORICO COMO EXPERIMENTAL, LAS CARACTERISTICAS DE LOS PEINES DE FRECUENCIA GENERADOS POR LASERES DE SEMICONDUCTOR, DISTINTOS TIPOS DE LASERES DE SEMICONDUCTOR Y DE TECNICAS SE USARAN PARA GENERAR PEINES DE FRECUENCIA: DESDE LASERES DE MODO BLOQUEADO HASTA LASERES DE SEMICONDUCTOR ENCENDIDOS POR GANANCIA COMO VCSELS, LASERES DE MODO DISCRETO, DFBS, Y LASERES MULTISECCION, TECNICAS NOVEDOSAS, COMO LA INYECCION OPTICA, SE INTRODUCIRAN PARA MEJORAR LAS CARACTERISTICAS DEL PEINE DE FRECUENCIA, SE EVALUARAN Y COMPARARAN LOS PEINES GENERADOS USANDO DISTINTAS TECNICAS Y DISPOSITIVOS, SE LLEVARA A CABO LA OPTIMIZACION DE LAS CARACTERISTICAS DEL PEINE RELEVANTES PARA SUS APLICACIONES EN GENERACION DE THZ, FOTONICA DE MICROONDAS, COMUNICACIONES OPTICAS Y SENSADO REMOTO,EL SUBPROYECTO 2 (UIB) SE CONCENTRARA EN LA GENERACION DE PEINES OPTICOS A BAJA FRECUENCIA PARA DETECCION REMOTA, Y MAS ESPECIFICAMENTE, PARA MEDIDA DE GRANDES DISTANCIAS SIN AMBIGUEDAD Y PARA MONITORIZACION DE GASES, LOS DISPOSITIVOS CONSIDERADOS SERAN LASERES DE MODOS BLOQUEADOS BASADOS EN AMPLIFICADORES OPTICOS DE SEMICONDUCTOR CON SALIDA EN FIBRA, Y LA OPERACION EN BLOQUEO DE MODOS SE INDUCIRA BIEN PASIVA O HIBRIDAMENTE, SE CONSIDERARAN DOS METODOS DISTINTOS PARA INDUCIR ML PASIVO: 1) UN ESPEJO RESONANTE CON ABSORBENTE SATURABLE (RSAM) Y 2) REINYECCION CRUZADA DE POLARIZACION (XPR), SE EXPLORARA EN DETALLE EXISTENCIA DE UN REGIMEN DE EMISION ML POR ESTRUCTURAS LOCALIZADAS, ANALOGO AL ENCONTRADO RECIENTEMENTE EN SISTEMAS BASADOS EN VCSELS CON CAVIDADES EXTERNAS SUFICIENTEMENTE LARGAS, EN ESTE REGIMEN, EL TREN DE PULSOS ES COMPLETAMENTE DESCOMPONIBLE EN ENTIDADES INDEPENDIENTES, LO QUE PERMITE CREAR SECUENCIAS CASI ARBITRARIAS DE PULSOS SEMEJANTES A LOS USADOS EN CW-RANDOM LIDAR, SE ESTUDIARA EL IMPACTO SOBRE EL PEINE DE MODULACIONES INTRACAVIDAD -BIEN EN CORRIENTE (GANANCIA), AMPLITUD (PERDIDAS DE CAVIDAD) O FASE (LONGITUD DE CAVIDAD)- Y DE INYECCION OPTICA EXTERNA, LASER DE SEMICONDUCTOR\PEINE DE FRECUENCIAS\INYECCIÓN ÓPTICA\GENERACIÓN DE THZ\COMUNICACIONES COHERENTES\DETECCIÓN REMOTA

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