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RTI2018-101037-B-I00

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NITRUROS DEL GRUPO III PARA APLICACIONES ENERGETICAS

LOS NITRUROS DEL GRUPO III HAN DEMOSTRADO SU IDONEIDAD PARA APLICACIONES OPTOELECTRONICAS, PRINCIPALMENTE EN LA PARTE UV Y VISIBLE DEL ESPECTRO, SIN EMBARGO, LA EXPLORACION DE LOS LIMITES DE SU APLICACION A LA GENERACION DE ENERGI... ver más

01/01/2018

UAH

78K€

Presupuesto del proyecto: 78K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ALCALÁ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 847

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UAH

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ALCALÁ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 847

Presupuesto del proyecto 78K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LOS NITRUROS DEL GRUPO III HAN DEMOSTRADO SU IDONEIDAD PARA APLICACIONES OPTOELECTRONICAS, PRINCIPALMENTE EN LA PARTE UV Y VISIBLE DEL ESPECTRO, SIN EMBARGO, LA EXPLORACION DE LOS LIMITES DE SU APLICACION A LA GENERACION DE ENERGIA A PARTIR DE LA ENERGIA FOTOVOLTAICA SIGUE SIENDO UN RETO, LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES Y TEORICOS PRELIMINARES MUESTRAN QUE LA COMBINACION DE SILICIO Y NITRUROS EN UNA HETEROSTRUCTURA SIMPLE PODRIA CONDUCIR A NUEVOS DISPOSITIVOS DE BAJO COSTE PARA LA COLECCION DE ENERGIA, ESTE ENFOQUE APROVECHARIA LA TECNOLOGIA DE SILICIO BIEN ESTABLECIDA EN COMBINACION CON LAS PROPIEDADES SUPERIORES DE LOS SEMICONDUCTORES DE NITRURO EN LA REGION ESPECTRAL DE LOS RAYOS UV, PERO TAMBIEN PARA HACER FRENTE A ENTORNOS AGRESIVOS, EL DESARROLLO DE ESTE TIPO DE ESTRUCTURAS MEDIANTE SPUTTERING DE RADIOFRECUENCIA ABRE UN NUEVO Y ATRACTIVO CAMPO DE INVESTIGACION DIGNO DE SER ESTUDIADO, YA QUE ESTA TECNICA FACILMENTE EXPORTABLE A LA INDUSTRIA PERMITE DEPOSITAR TODA LA ESTRUCTURA SOBRE DIFERENTES SUSTRATOS, INCLUIDOS LOS FLEXIBLES, LO QUE RESULTA DE INTERES PARA APLICACIONES ESPECIALES COMO EN SATELITES O DISPOSITIVOS PORTATILES, LA INVESTIGACION EN ESTE CAMPO PRETENDE ABORDAR UNO DE LOS PRINCIPALES RETOS DE LA CONVOCATORIA RETOS:RETO 3: "ENERGIA SEGURA, LIMPIA Y EFICIENTE", MEDIANTE EL DESARROLLO DE NUEVOS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS PARA SU INCORPORACION EN SISTEMAS AUTONOMOS,LA PROPUESTA INCLUYE TAMBIEN EL ESTUDIO Y DESARROLLO DE CAPAS BASADAS EN PLASMONICA PARA MEJORAR LAS PROPIEDADES DE LOS DISPOSITIVOS, ASI, EL PROYECTO EXPLORARA EL ESTABLECIMIENTO DE UNA PLATAFORMA TECNOLOGICA PARA LA FABRICACION DE UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS DE BAJO COSTE PARA LA CAPTACION DE ENERGIA BASADOS EN CAPAS DE NITRURO III DEPOSITADAS MEDIANTE SPUTTERING, CAPACES DE SER TRANSFERIDOS A LA INDUSTRIA BUSCANDO EL MAYOR NUMERO POSIBLE DE APLICACIONES,EN CONCRETO, EN ESTE PROYECTO SE ESTUDIARAN DOS TIPOS DE ESTRUCTURAS, LA PRIMERA A BASE DE ALINN CULTIVADA SOBRE SUSTRATO P-SI Y LA SEGUNDA A BASE DE HETEROUNION N-ALINN/P-SI DEPOSITADA INTEGRAMENTE POR RF-SPUTTERING, LA SEGUNDA ESTRUCTURA APROVECHARA LOS PARAMETROS DE OPTIMIZACION OBTENIDOS DE LA PRIMERA, AL MISMO TIEMPO, LA DEPOSICION DE UNIONES DE P-N COMPLETAMENTE POR LA TECNICA DE SPUTTERING ABRE LA POSIBILIDAD DE NUEVOS CAMPOS DE APLICACION, TALES COMO EL ENVIO DE ENERGIA SOBRE FIBRA Y DISPOSITIVOS WAREABLES, EL PROYECTO COMPRENDE TAMBIEN LA FABRICACION DE LOS DISPOSITIVOS BASADOS EN LAS HETEROUNIONES DESARROLLADAS, LA APLICACION DE RECUBRIMIENTOS ANTIRREFLECTANTES SE UTILIZARA PARA MEJORAR LAS PROPIEDADES DE LOS DISPOSITIVOS, TODO ELLO CON EL OBJETIVO DE PROPORCIONAR LAS TECNICAS Y PROCEDIMIENTOS NECESARIOS PARA UNIR TECNOLOGIAS DE SILICIO Y NITRUROS, CON VISTAS A SU EXPORTACION A LA INDUSTRIA, NITRUROS\CÉLULAS SOLARES\PULVERIZACIÓN CATÓDICA\PLASMONICA

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