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TEC2009-14581-C02-01

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LASERES DE SEMICONDUCTOR AVANZADOS PARA PROCESADO DE SEÑAL TODO-OPTICO Y GENERAC...

LASERES DE SEMICONDUCTOR AVANZADOS PARA PROCESADO DE SEÑAL TODO-OPTICO Y GENERACION DE PULSOS CORTOS EL PROCESADO DE SEÑAL TODO-OPTICO JUGARA UN PAPEL CLAVE EN LAS FUTURAS REDES FOTONICAS DE CARA A PODER APROVECHAR COMPLETAMENTE EL ULTRA-ANCHO DE BANDA DE LA PORTADORA OPTICA, POR OTRO LADO, LA GENERACION DE PULSOS OPTICOS CORTOS... ver más

01/01/2009

UPM

220K€

Presupuesto del proyecto: 220K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3946

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2009-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPM

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3946

Presupuesto del proyecto 220K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL PROCESADO DE SEÑAL TODO-OPTICO JUGARA UN PAPEL CLAVE EN LAS FUTURAS REDES FOTONICAS DE CARA A PODER APROVECHAR COMPLETAMENTE EL ULTRA-ANCHO DE BANDA DE LA PORTADORA OPTICA, POR OTRO LADO, LA GENERACION DE PULSOS OPTICOS CORTOS CON UN BAJO JITTER ES TAMBIEN MUY IMPORTANTE PARA PODER EXTENDER LA CAPACIDAD DE LOS SISTEMAS DE COMUNICACION OPTICA, LOS PULSOS CORTOS DE ALTA ENERGIA SON TAMBIEN DE GRAN INTERES EN TELEMETRIA Y EN COMUNICACIONES OPTICAS EN EL ESPACIO LIBRE (FSO), EL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES ESTUDIAR, DESDE EL PUNTO DE VISTA TEORICO Y EXPERIMENTAL, LASERES DE SEMICONDUCTOR AVANZADOS CENTRANDO LA ATENCION EN SUS APLICACIONES EN EL PROCESADO TODO-OPTICO DE SEÑAL Y EN LA GENERACION DE PULSOS CORTOS PARA LOS SISTEMAS DE COMUNICACION OPTICA,SE HA DEMOSTRADO COMPORTAMIENTO BIESTABLE EN LASERES ANILLO DE SEMICONDUCTOR (SRL), EN LASERES DE CAVIDAD VERTICAL Y EMISION SUPERFICIAL (VCSELS) BAJO INYECCION OPTICA Y EN LASERES DE SEMICONDUCTOR MULTISECCION, ADEMAS, SE HA OBSERVADO BIESTABILIDAD EN LONGITUD DE ONDA EN LASERES DE PUNTO CUANTICO (QD) Y EN SRLS, TODOS ESTOS DISPOSITIVOS SON DE PARTICULAR INTERES PARA EL PROCESADO TODO-OPTICO, EL OBJETIVO ES LOGRAR UNA MEJOR COMPRENSION DE ESTOS DISPOSITIVOS PARA PODER EVALUAR SU POSIBLE USO COMO ELEMENTOS ACTIVOS PARA EL PROCESADO OPTICO DE SEÑAL,EN EL PROYECTO, SE APLICARAN TECNICAS DE CONMUTACION DE GANANCIA Y DE BLOQUEO DE MODOS PARA LA GENERACION DE PULSOS SOBRE VCSELS, LASERES VERTICALES DE CAVIDAD EXTERNA (VECSELS), SRLS Y LASERES MULTISECCION, SE INTRODUCIRAN NUEVAS TECNICAS, TALES COMO INYECCION OPTICA, PARA MEJORAR EL COMPORTAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS, SE CONSIDERARAN TAMBIEN LASERES DE QD PARA LA GENERACION DE PULSOS ULTRACORTOS LIMITADOS POR TRANSFORMADA DE FOURIER DEBIDO A SU ANCHO ESPECTRO DE GANANCIA, LASERES DE SEMICONDUCTOR\LASERES DE CAVIDAD VERTICAL Y EMISION SU\LASERES DE PUNTO CUANTICO\COMUNICACIONES OPTICAS\PROCESADO TODO-OPTICO DE SEÑAL\GENERACION DE PULSOS OPTICOS CORTOS

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