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CNS2023-145093

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Microelectrónica, nanotecnología y fotónica

LA FOTONICA DE SILICIO (SI) ES UNA TECNOLOGIA HABILITADORA CLAVE (KET) EN MUCHOS CAMPOS DE APLICACION GRACIAS A LA TECNOLOGIA MADURA DEL PROCESO DE SI, EL TAMAÑO DE LA OBLEAS DE SILICIO Y LAS PROMETEDORAS PROPIEDADES OPTICAS DEL S... ver más

01/01/2023

UPV

400K€

Presupuesto del proyecto: 400K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 688

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2023-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPV

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE VALÈNCIA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 688

Presupuesto del proyecto 400K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA FOTONICA DE SILICIO (SI) ES UNA TECNOLOGIA HABILITADORA CLAVE (KET) EN MUCHOS CAMPOS DE APLICACION GRACIAS A LA TECNOLOGIA MADURA DEL PROCESO DE SI, EL TAMAÑO DE LA OBLEAS DE SILICIO Y LAS PROMETEDORAS PROPIEDADES OPTICAS DEL SI. LA INTEGRACION EPITAXIAL DIRECTA DE LASERES III-V EN CHIPS FOTONICOS DE SI ES EL PRINCIPAL DESAFIO PARA LA REALIZACION DE CHIPS FOTONICOS DENSOS. EN GABRIEL, DEMOSTRARE UN LASER DE DIODO BASADO EN GASB DE INFRARROJO MEDIO (IR MEDIO) INTEGRADO EPITAXIALMENTE EN UNA OBLEA FOTONICA DE SI MODELADA CON GUIAS DE ONDA DE SIN REVESTIDAS DE SIO2. ESTE PROYECTO ABORDARA LOS PRINCIPALES RETOS RELACIONADOS CON EL CRECIMIENTO EPITAXIAL, CENTRADO EN REDUCIR LOS DEFECTOS GENERADOS EN LA INTERFAZ ENTRE GASB Y SI EXACTO (001) (COMPATIBLE CON LOS ESTANDARES DE LA INDUSTRIA), Y LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS, CENTRADO EN MEJORAR EL ACOPLAMIENTO ENTRE EL LASER BASADO EN GASB Y LAS GUIAS DE ONDA PASIVAS DE SIN. EL PROYECTO GABRIEL APUNTA A LA PORCION DE ONDA CORTA DEL IR MEDIO (SWIR) CUYA LONGITUD DE ONDA SE EXTIENDE DE 1,6 A 3 µM. ESTA GAMA CONTIENE FUERTES CARACTERISTICAS DE ABSORCION DE MUCHOS GASES Y PRODUCTOS QUIMICOS QUE SON DE INTERES CRITICO PARA APLICACIONES DE BIODETECCION, MEDICAS Y AMBIENTALES. ASI, EL PROYECTO GABRIEL ALLANARA EL CAMINO PARA LA INTEGRACION RENTABLE Y A GRAN ESCALA DE FUENTES DE LUZ EN CHIPS FOTONICOS DE SI, ESTANDO POR TANTO, PERFECTAMENTE ALINEADO CON LOS OBJETIVOS DE DESARROLLO SOSTENIBLE NUMERO 3 Y 13 DE NACIONES UNIDAS, BUENA SALUD Y BIENESTAR Y ACCION CLIMATICA (HTTPS://WWW.UN.ORG/SUSTAINABLEDEVELOPMENT/). EPITAXIA\NANOFABRICACION\NANOTECHNOLOGIA\CHIPS\FOTONICA\LASERES\SEMICONDUCTORES III-V

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