INTEGRACION DEL CRECIMIENTO DE GRAFENO EN LA TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES COMPU...
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Descripción del proyecto
LA SINTESIS DEL GRAFENO POR MBE HA SIDO UN RETO EMPRENDIDO POR MUCHOS LABORATORIOS DE MBE, EL CRECIMIENTO DE GRAFENO POR MBE PODRIA DAR LUGAR A GRANDES BENEFICIOS, ENTRE OTROS CABE RESALTAR LA POSIBILIDAD DE SINTETIZAR GRAFENO DE ALTA CALIDAD CONTROLANDO SU NIVEL DE DOPADO EN AREAS EXTENDIDAS SOBRE UNA SUPERFICIE SEMICONDUCTORA O AISLANTE PLANA, A PESAR DE ELLO, HASTA LA FECHA NO SE CONOCEN RESULTADOS SATISFACTORIOS EN LA FABRICACION DE GRAFENO POR MBE, EL VERDADERO DESAFIO TECNOLOGICO ES LA SINTESIS E INTEGRACION DIRECTA DE GRAFENO CON UN MATERIAL OPTO-ELECTRONICO COMO EL GAAS Y COMPUESTOS RELACIONADOS,ES BIEN CONOCIDO QUE MUCHOS METALES COMO COBRE, NIQUEL, RUTENIO, ETC PRESENTAN PROPIEDADES CATALITICAS PARA LA SINTESIS DE GRAFENO, POR LO QUE HAN SIDO AMPLIAMENTE ESTUDIADOS, RECIENTEMENTE SE HA DESCUBIERTO QUE EL GALIO PRESENTA TAMBIEN UNAS PROPIEDADES SIMILARES, ESTE PROYECTO PRETENDE ABORDAR EL RETO APROVECHANDO LA CAPACIDAD DEL GALIO LIQUIDO PARA CATALIZAR LA FORMACION DE GRAFENO, PARA ELLO VAMOS A FABRICAR DE MANERA CONTROLADA SUPERFICIES RICAS EN GALIO, QUE SE UTILIZARAN PARA LA SINTESIS DE GRAFENO A PARTIR DE ATOMOS DE CARBON EVAPORADOS SOBRE LA SUPERFICIE EN EL MISMO REACTOR DE MBE, ADEMAS QUEREMOS EXPLORAR LA INFLUENCIA DEL HIDROGENO ATOMICO EN LOS PROCESOS DE CRECIMIENTO DE GRAFENO, ASI COMO LA POSIBILIDAD DE CONVERTIR ULTERIORMENTE EL GALIO EN UNA MATRIZ SEMICONDUCTORA DE GAAS, GRAPHENE\MBE\GROWTH\COMPOUND SEMICONDUCTOR\HYBRID TECHNOLOGY
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