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TEC2016-78433-R

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INTEGRACION DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SI PARA APLICACIONES ELECTRONICAS Y F...

INTEGRACION DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SI PARA APLICACIONES ELECTRONICAS Y FOTOVOLTAICAS LA TECNOLOGIA DEL SILICIO HA LIDERADO LA PRODUCCION ELECTRONICA Y MICROELECTRONICA DURANTE DECADAS, DEBIDO AL BAJO COSTE DE FABRICACION Y A LAS PRESTACIONES DE SUS DISPOSITIVOS. TANTO EL PRECIO DEL SUSTRATO COMO COMO EL RENDIMIENT... ver más

01/01/2016

UAM

206K€

Presupuesto del proyecto: 206K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3185

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3185

Presupuesto del proyecto 206K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA TECNOLOGIA DEL SILICIO HA LIDERADO LA PRODUCCION ELECTRONICA Y MICROELECTRONICA DURANTE DECADAS, DEBIDO AL BAJO COSTE DE FABRICACION Y A LAS PRESTACIONES DE SUS DISPOSITIVOS. TANTO EL PRECIO DEL SUSTRATO COMO COMO EL RENDIMIENTO DE LA TECNOLOGIA DE SI SON ACTUALMENTE IMBATIBLES PARA LOS SEMICONDUCTORES III-V. POR ELLO, LA TECNOLOGIA III-V (GAAS, GAP,..) SOLO HA PODIDO DOMINAR A LA DEL SI EN APLICACIONES OPTOELECTRONICAS DONDE EL GAP INDIRECTO DEL SI NO ES ADECUADO PARA UNA EMISON EFICIENTE DE LUZ (LED¿S, LASER¿S,..).HAY ALGUNAS APLICACIONES DONDE LOS III-V PUEDEN SUPERAR AL SI A COSTA DE UN MAYOR PRECIO, PERO LOS COSTES DE FABRICACION DEBERIAN REDUCIRSE, INTEGRANDO LOS DISPOSITIVOS III-V SOBRE SUSTRATOS DE SI. ESTA TECNOLOGIA III-V SOBRE SI PODRIA PERMITIR LA FABRICACION DE UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS, INCLUSO INTEGRANDO DISPOSITIVOS III-V Y DE SI EN LA MISMA OBLEA.LA INVESTIGACION SOBRE TECNOLOGIA III-V SOBRE SI SE HA ABORDADO DESDE HACE AÑOS. ESTA TECNICA NECESITA ALGUN TIPO DE CRECIMIENTO EPITAXIAL PARA OBTENER CAPAS III-V DE ALTA CALIDAD CRISTALINA Y LIBRES DE DEFECTOS QUE PUDIERAN DEGRADAR LAS CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS. POR ELLO, LA TECNICA DE PREPARACION DE LOS SUSTRATOS DE SI Y LAS ESTRATEGIAS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE UNA CAPA BUFFER SON PASOS CLAVE PARA EVITAR LA NUCLEACION O PROPAGACION DE DEFECTOS HACIA LAS CAPAS ACTIVAS DEL DISPOSITIVO CRECIDO SOBRE SI. LOS DEFECTOS HABITUALES QUE APARECEN AL CRECER UNA CAPA III-V POLAR SOBRE UN SUSTRATO NO POLAR DE SI SUELEN SER DOMINIOS DE ANTIFASE Y DEFECTOS DE APILAMIENTO; EN EL CASO DE DESAJUSTE DE RED, LA RELAJACION DE LA TENSION MEDIANTE LA FORMACION DE DISLOCACIONES ES OTRO PROBLEMA AÑADIDO.PROBABLEMENTE LAS APLICACIONES MAS PROMETEDORAS DE III-V SOBRE SI PUEDEN SER LASERES INTEGRADOS CON LA ELECTRONICA DE CONTROL DE SI, CELULAS SOLARES (SC) DE ALTA EFICIENCIA Y TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) DE CANAL-N. LOS OBJETIVOS DE ESTE PROYECTO SE DIRIGEN HACIA EL DESARROLLO DE ESTAS DOS ULTIMAS TECNOLOGIAS, CONCRETAMENTE: - ESTUDIAR, CRECR Y DESARROLLAR CELULAS SOLARES DE TERCERA GENERACION BASADAS EN LA ALEACION CUATERNARIA GAASNP SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO. - DESARROLLAR EL CONOCIMIENTO CIENTIFICO Y TECNICO NECESARIO PARA LA INTEGRACION DE NANOESTRUCTURAS DE DE IN(GA)AS SOBRE ASISLANTE (XOI) Y DE HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN NANOHILOS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO. PITAXIA\NANOELECTRÓNICA\CÉLULA SOLAR\III-V SOBRE SI

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