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TEC2016-78433-R

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INTEGRACION DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SI PARA APLICACIONES ELECTRONICAS Y F...

INTEGRACION DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SI PARA APLICACIONES ELECTRONICAS Y FOTOVOLTAICAS LA TECNOLOGIA DEL SILICIO HA LIDERADO LA PRODUCCION ELECTRONICA Y MICROELECTRONICA DURANTE DECADAS, DEBIDO AL BAJO COSTE DE FABRICACION Y A LAS PRESTACIONES DE SUS DISPOSITIVOS. TANTO EL PRECIO DEL SUSTRATO COMO COMO EL RENDIMIENT... ver más

01/01/2016

UAM

206K€

Presupuesto del proyecto: 206K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3181

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3181

Presupuesto del proyecto 206K€

Descripción del proyecto LA TECNOLOGIA DEL SILICIO HA LIDERADO LA PRODUCCION ELECTRONICA Y MICROELECTRONICA DURANTE DECADAS, DEBIDO AL BAJO COSTE DE FABRICACION Y A LAS PRESTACIONES DE SUS DISPOSITIVOS. TANTO EL PRECIO DEL SUSTRATO COMO COMO EL RENDIMIENTO DE LA TECNOLOGIA DE SI SON ACTUALMENTE IMBATIBLES PARA LOS SEMICONDUCTORES III-V. POR ELLO, LA TECNOLOGIA III-V (GAAS, GAP,..) SOLO HA PODIDO DOMINAR A LA DEL SI EN APLICACIONES OPTOELECTRONICAS DONDE EL GAP INDIRECTO DEL SI NO ES ADECUADO PARA UNA EMISON EFICIENTE DE LUZ (LED¿S, LASER¿S,..).HAY ALGUNAS APLICACIONES DONDE LOS III-V PUEDEN SUPERAR AL SI A COSTA DE UN MAYOR PRECIO, PERO LOS COSTES DE FABRICACION DEBERIAN REDUCIRSE, INTEGRANDO LOS DISPOSITIVOS III-V SOBRE SUSTRATOS DE SI. ESTA TECNOLOGIA III-V SOBRE SI PODRIA PERMITIR LA FABRICACION DE UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS, INCLUSO INTEGRANDO DISPOSITIVOS III-V Y DE SI EN LA MISMA OBLEA.LA INVESTIGACION SOBRE TECNOLOGIA III-V SOBRE SI SE HA ABORDADO DESDE HACE AÑOS. ESTA TECNICA NECESITA ALGUN TIPO DE CRECIMIENTO EPITAXIAL PARA OBTENER CAPAS III-V DE ALTA CALIDAD CRISTALINA Y LIBRES DE DEFECTOS QUE PUDIERAN DEGRADAR LAS CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS. POR ELLO, LA TECNICA DE PREPARACION DE LOS SUSTRATOS DE SI Y LAS ESTRATEGIAS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE UNA CAPA BUFFER SON PASOS CLAVE PARA EVITAR LA NUCLEACION O PROPAGACION DE DEFECTOS HACIA LAS CAPAS ACTIVAS DEL DISPOSITIVO CRECIDO SOBRE SI. LOS DEFECTOS HABITUALES QUE APARECEN AL CRECER UNA CAPA III-V POLAR SOBRE UN SUSTRATO NO POLAR DE SI SUELEN SER DOMINIOS DE ANTIFASE Y DEFECTOS DE APILAMIENTO; EN EL CASO DE DESAJUSTE DE RED, LA RELAJACION DE LA TENSION MEDIANTE LA FORMACION DE DISLOCACIONES ES OTRO PROBLEMA AÑADIDO.PROBABLEMENTE LAS APLICACIONES MAS PROMETEDORAS DE III-V SOBRE SI PUEDEN SER LASERES INTEGRADOS CON LA ELECTRONICA DE CONTROL DE SI, CELULAS SOLARES (SC) DE ALTA EFICIENCIA Y TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOSFET) DE CANAL-N. LOS OBJETIVOS DE ESTE PROYECTO SE DIRIGEN HACIA EL DESARROLLO DE ESTAS DOS ULTIMAS TECNOLOGIAS, CONCRETAMENTE: - ESTUDIAR, CRECR Y DESARROLLAR CELULAS SOLARES DE TERCERA GENERACION BASADAS EN LA ALEACION CUATERNARIA GAASNP SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO. - DESARROLLAR EL CONOCIMIENTO CIENTIFICO Y TECNICO NECESARIO PARA LA INTEGRACION DE NANOESTRUCTURAS DE DE IN(GA)AS SOBRE ASISLANTE (XOI) Y DE HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN NANOHILOS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO. PITAXIA\NANOELECTRÓNICA\CÉLULA SOLAR\III-V SOBRE SI

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