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MAT2016-75952-R

Financiado

HETEROSTRUCTURAS BASADAS EN MATERIALES BIDIMENSIONALES PARA DISPOSITIVOS DE ELEC...

HETEROSTRUCTURAS BASADAS EN MATERIALES BIDIMENSIONALES PARA DISPOSITIVOS DE ELECTRONICA AVANZADA EL PARADIGMA ACTUAL DE CRECIMIENTO ECONOMICO ESTA ESTRECHAMENTE LIGADO AL USO RESPONSABLE DE NUESTROS RECURSOS Y A LA CRECIENTE DIGITALIZACION DE LA ECONOMIA Y SOCIEDAD MODERNA. PARA SOSTENER TAL CRECIMIENTO ES FUNDAMENTAL REDUCIR... ver más

01/01/2016

FUNDACIO INSTITUT...

151K€

Presupuesto del proyecto: 151K€

Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2016-01-01

0% 100%

Participantes

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE...

Lider

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Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN...

TRL 4-5 | 25M€

Presupuesto del proyecto 151K€

Descripción del proyecto EL PARADIGMA ACTUAL DE CRECIMIENTO ECONOMICO ESTA ESTRECHAMENTE LIGADO AL USO RESPONSABLE DE NUESTROS RECURSOS Y A LA CRECIENTE DIGITALIZACION DE LA ECONOMIA Y SOCIEDAD MODERNA. PARA SOSTENER TAL CRECIMIENTO ES FUNDAMENTAL REDUCIR LA CARGA ENERGETICA DE LOS CIRCUITOS ELECTRONICOS COMPLEJOS Y SUPERAR LOS ENORMES RETOS QUE PRESENTAN LA CONTINUA REDUCCION Y EL AUMENTO DE DENSIDAD DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS. CON EL FIN DE ALCANZAR ESTOS OBJETIVOS, LOS PRINCIPALES ACTORES DE TECNOLOGIA DE TODO EL MUNDO ESTAN DIRIGIENDO ESFUERZOS CADA VEZ MAYORES HACIA NUEVAS ARQUITECTURAS DE DISPOSITIVOS Y HACIA NUEVOS MATERIALES Y HETEROESTRUCTURAS AVANZADAS. LA ESPINTRONICA ES UNA TECNOLOGIA EMERGENTE CON UN MERCADO DE MAS DE EUR 20B. ES DE GRAN DEMANDA, YA QUE OFRECE UNA AMPLIA GAMA DE VENTAJAS CON RESPECTO A LA ELECTRONICA TRADICIONAL, TALES COMO BAJO CONSUMO DE ENERGIA, VIABILIDAD ECONOMICA, TAMAÑO COMPACTO Y ALTA VELOCIDAD DE TRANSFERENCIA DE DATOS. POR OTRO LADO, EL MERCADO MUNDIAL DE LA ELECTRONICA DE GRAFENO ES UNO DE LOS MERCADOS DE MAS RAPIDO CRECIMIENTO, CON UNA TASA DE CRECIMIENTO ANUAL PREVISTO DE MAS DEL 45% ENTRE 2014 Y 2020 Y UN MERCADO ESPERADO DE EUR 1,5B EN 2020. EL GRAFENO Y OTROS MATERIALES BIDIMENSIONALES (2DM), INCLUYENDO DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION ASI COMO AISLANTES TOPOLOGICOS, PODRIAN PERMITIR EL DESARROLLO DE TRANSISTORES CON CANALES DE ESPESOR ATOMICO Y LA CREACION DE NUEVOS CONCEPTOS DE DISPOSITIVOS PARA LA ESPINTRONICA. LA CAPACIDAD DE REDUCIR EL ESPESOR DEL CANAL A ESCALA ATOMICA RESULTARIA EN UN CONTROL DE PUERTA ALTAMENTE MEJORADO, TANTO EN LA RELAJACION DE LOS REQUISITOS ASOCIADOS A LOS DIELECTRICOS DE PUERTA COMO EN LA SUPRESION DE EFECTOS DE CANAL DE POCA LONGITUD. ADEMAS, EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS AYUDARIA A REDUCIR LA CARGA DE ENERGIA Y A SIMPLIFICAR LA GESTION TERMICA DENTRO DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.EL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES PROFUNDIZAR NUESTRO CONOCIMIENTO DE LAS PROPIEDADES TECNOLOGICAS RELEVANTES DE GRAFENO Y DE LOS AISLANTES TOPOLOGICOS DE LA FAMILIA BI2SE3 UTILIZANDO LA NANOTECNOLOGIA COMO UNA TECNOLOGIA FACILITADORA PARA EL DESARROLLO DE MATERIALES Y HETEROESTRUCTURAS AVANZADAS PARA DESARROLLOS EN ESPINTRONICA Y SISTEMAS MOVILES QUE REQUIEREN UNA ALTA EFICIENCIA ENERGETICA. VAMOS A ABORDAR LA DINAMICA DE ESPIN Y LAS PROPIEDADES TERMOELECTRICAS DEL GRAFENO Y DE HETEROESTRUCTURAS BASADOS EN ESTE MATERIAL (INCLUYENDO AISLANTES TOPOLOGICOS Y DICALCOGENUROS) MEDIANTE LA REALIZACION DE EXPERIMENTOS DE TRANSPORTE ELECTRONICO PARA DETERMINAR LA ANISOTROPIA EN LA RELAJACION DE ESPIN Y, EN GENERAL, LA RELAJACION DE LOS PORTADORES FUERA DEL EQUILIBRIO EN ESTOS SISTEMAS [J . F. SIERRA ET AL., NANO LETT. (2015), B. RAES ET AL., NATURE COMMUN (2016)]. TAMBIEN VAMOS A MEJORAR NUESTRA COMPRENSION DEL CRECIMIENTO Y DEL CONTROL DE LAS PROPIEDADES DE TRANSPORTE ELECTRONICO DE LOS AISLANTES TOPOLOGICOS Y A GENERAR UNA BIBLIOTECA DE COMBINACIONES DE MATERIALES QUE SERA CRUCIAL PARA LOS ESTUDIOS FUTUROS DE TRANSPORTE (DE ESPIN), INCLUYENDO TAMBIEN LOS EFECTOS DE SU INTERACCION CON EL GRAFENO. POR ULTIMO, VAMOS A EVALUAR LOS PARAMETROS PERTINENTES DE LOS DISPOSITIVOS BASADOS EN LOS MATERIALES ANTERIORES, CENTRANDONOS EN LAS PROPIEDADES Y GEOMETRIAS DE DISPOSITIVOS QUE PODRIAN SER RELEVANTES PARA APLICACIONES PRACTICAS, Y CON EL OBJETIVO FINAL DE ABRIR UNA VIA PARA NUEVAS ARQUITECTURAS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS PARA ABORDAR LOS RETOS PRINCIPALES DE LA ECONOMIA Y SOCIEDAD DIGITAL. SPINTRÓNICA\TERMOELECTRICIDAD\DICALCOGENUROS\AISLANTES TOPOLOGICOS\ESPÍN\TRANSPORTE ELECTRÓNICO\GRAFENO

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