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MAT2015-71664-R

Financiado

HETEROESTRUCTURAS DE OXIDOS COMPLEJOS PARA ELECTRONICA DE ESPIN

EL FUNCIONAMIENTO DE LA SOCIEDAD ACTUAL REQUIERE EL ALMACENAJE Y TRATAMIENTO DE GRANDES CANTIDADES DE INFORMACION A LA MAYOR VELOCIDAD POSIBLE, PARA LLEGAR AL ESTADO DE COSAS ACTUAL HA SIDO NECESARIO EL DESARROLLO DE UNAS TECNOLOG... ver más

01/01/2015

CSIC

351K€

Presupuesto del proyecto: 351K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01

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Participantes

CSIC

Lider

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA...

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 351K€

Descripción del proyecto EL FUNCIONAMIENTO DE LA SOCIEDAD ACTUAL REQUIERE EL ALMACENAJE Y TRATAMIENTO DE GRANDES CANTIDADES DE INFORMACION A LA MAYOR VELOCIDAD POSIBLE, PARA LLEGAR AL ESTADO DE COSAS ACTUAL HA SIDO NECESARIO EL DESARROLLO DE UNAS TECNOLOGIAS (MICROELECTRONICA Y ALMACENAMIENTO MAGNETICO) CAPACES DE AUMENTAR SUS PRESTACIONES A UN RITMO VERTIGINOSO (LEY DE MOORE), SIN EMBARGO, LA COMPLEJIDAD Y EL GRADO DE MINIATURIZACION ALCANZADO TANTO EN LA INDUSTRIA MICROELECTRONICA COMO EN LA MEMORIAS MAGNETICAS HACE QUE APAREZCAN PROBLEMAS TANTO ECONOMICOS (ALTISIMOS COSTE DE FABRICACION) COMO TECNOLOGICOS (EFECTOS DE TAMAÑO FINITO, DISIPACION DE POTENCIA) QUE RESULTAN DE DIFICIL SOLUCION Y QUE URGEN EL DESARROLLO DE TECNOLOGIAS ALTERNATIVAS, LA ELECTRONICA BASADA EN LA MANIPULACION DEL ESPIN, ESPINTRONICA, HA SIDO IDENTIFICADA COMO UNA POSIBLE ALTERNATIVA QUE PUEDE PERMITIR EL DESARROLLO DE UNA ELECTRONICA MULTIFUNCIONAL QUE COMBINE OPERACIONES LOGICAS, ALMACENAMIENTO Y COMUNICACIONES MEJORANDO A LA VEZ LA EFICIENCIA ENERGETICA, EL DESARROLLO DE ESTA NUEVA TECNOLOGIA REQUIERE TAMBIEN CONTAR LOS MATERIALES ADECUADOS, ENTRE LOS CUALES DESTACAN LOS OXIDOS COMPLEJOS, EL ALTO GRADO DE SOFISTICACION ALCANZADO POR LAS TECNICAS DE CRECIMIENTO DE CAPAS FINAS HA PERMITIDO LA FABRICACION DE HETEROESTRUCTURAS DE OXIDOS COMPLEJOS CON INTERFASES ABRUPTAS A ESCALA ATOMICA DONDE HAN APARECIDO NUEVOS E INTERESANTES FENOMENOS QUE AUGURAN LA POSIBILIDAD DE DESARROLLAR NUEVOS DISPOSITIVOS, POR OTRA PARTE, LA ESTRUCTURA DE LOS OXIDOS COMPLEJOS EN CAPA DELGADA PUEDE MOLDEARSE CONVENIENTEMENTE INCLUSO A NIVEL DE CELDAS UNIDAD, PEQUEÑAS DIFERENCIAS EN EL CONTENIDO DE OXIGENO O EN LAS CONDICIONES DE PREPARACION PUEDEN AFECTAR LA CINETICA DE CRECIMIENTO GENERANDO IMPORTANTES CAMBIOS EN LA MICROESTRUCTURA, CALIDAD CRISTALINA Y CONCENTRACION DE DEFECTOS, TODOS ESTOS CAMBIOS PUEDEN TENER UN IMPORTANTE EFECTO EN LAS PROPIEDADES FISICAS DE LAS CAPAS, ADEMAS, DICHAS PROPIEDADES TAMBIEN PUEDEN CONTROLARSE MEDIANTE LA TENSION ESTRUCTURAL A TRAVES DE LA ELECCION DEL SUSTRATO ADECUADO,EN EL PRESENTE PROYECTO PRETENDEMOS INCIDIR EN DIFERENTES ASPECTOS RELACIONADOS CON EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO BASADOS EN EL USO DE UNIONES TUNEL MAGNETICAS (MTJS) Y MEMORIAS RESISTIVAS BIESTABLES, EL HECHO DE NECESITAR DOS ELECTRODOS MAGNETICOS INDEPENDIENTES IMPLICA UN ALTO GRADO DE COMPLEJIDAD TECNOLOGICA EN LA FABRICACION DE LAS MTJS, QUE PODRIA DISMINUIR SUSTANCIALMENTE SI SE UTILIZA EL FENOMENO DE LA MAGNETORRESISTENCIA TUNEL ANISOTROPA (TAMR); I,E, VARIACION DE LA RESISTENCIA DE LA UNION EN FUNCION DE LA ORIENTACION RELATIVA ENTRE LA MAGNETIZACION Y LA CORRIENTE TUNEL, QUE SE MANIFIESTA EN ALGUNOS CASOS CON UN UNICO ELECTRO METALICO O CON UNA BARRERA AISLANTE Y FERROMAGNETICA, COMO YA HEMOS OBSERVADO EN UNIONES TUNEL DEL TIPO PT/LAO/LSMO, EL FENOMENO DE LA TAMR SE BASA EN LA INTERACCION ESPIN-ORBITA QUE EN EL CASO DE LOS METALES 3D ES MUY MODESTA, SIN EMBARGO, EN LOS METALES 5D, TALES COMO IRIDIO, ALCANZA VALORES 20 VECES MAYORES LO CUAL POSIBILITARIA RESPUESTAS TAMR CONSIDERABLES, PRETENDEMOS ADEMAS ESTUDIAR OTROS FENOMENOS DE TRANSFERENCIA DE TORQUE DE ESPIN EN ESTOS MATERIALES, SE UTILIZARAN TECNICAS DE MICRO- Y NANOFABRICACION PARA EL DISEÑO Y FABRICACION DE MTJS Y DISPOSITIVOS PLANARES PARA EXPLORAR EL USO DE LA INTERACCION ESPIN-ORBITA Y EL DE LA CONMUTACION DE LA RESISTENCIA (RESISTIVE SWITCHING) EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS ESPINTRONICOS, ÓXIDOS COMPLEJOS\INTERFASES\ESPINTRÓNICA\UNIONES TÚNEL MAGNÉTICAS\CAPAS FINAS

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